【摘要】《集成電路版圖設(shè)計(jì)》實(shí)踐報(bào)告福州大學(xué)物信學(xué)院《集成電路版圖設(shè)計(jì)》實(shí)驗(yàn)報(bào)告 姓名:席高照學(xué)號(hào):111000833系別:物理與信息工
2025-06-23 22:31
【摘要】2022/2/61《集成電路設(shè)計(jì)概述》2022/2/62目的?認(rèn)識(shí)集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來(lái)?了解集成電路設(shè)計(jì)工藝?熟悉集成電路設(shè)計(jì)工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類(lèi)
2025-01-09 14:11
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門(mén)的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來(lái)表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來(lái)表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門(mén)的功能會(huì)因制造過(guò)程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類(lèi):無(wú)源元件電阻、電容、電感、互連線(xiàn)、傳輸線(xiàn)等有源器件各類(lèi)晶體管集成電路中的無(wú)源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無(wú)源元件,尤其是電容
2025-05-04 18:03
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)年審表申報(bào)企業(yè)(蓋章)所在地區(qū)申報(bào)日期年月日
2025-07-01 00:42
2025-07-15 18:10
【摘要】Chapter51第5章模擬集成電路及應(yīng)用Chapter52主要內(nèi)容?集成運(yùn)算放大器簡(jiǎn)介?集成運(yùn)算放大器的線(xiàn)性應(yīng)用?集成運(yùn)算放大器的非線(xiàn)性應(yīng)用Chapter53集成電路:采用半導(dǎo)體制造工藝,在一小塊硅單晶片上制作的具有特定功能的電子線(xiàn)路。★集成電路的基本概念分類(lèi):模擬集成電路與數(shù)字集成電路。
2025-01-19 12:01
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱(chēng)bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來(lái)表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門(mén)市專(zhuān)用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類(lèi)
【摘要】信息與通信工程學(xué)院微波仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告班 級(jí): 姓 名: 學(xué) 號(hào): 序 號(hào): 日 期: 2013年6月9日第頁(yè)目錄實(shí)驗(yàn)二分支線(xiàn)匹配器 3一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?3二、實(shí)驗(yàn)原
2025-08-03 01:07
【摘要】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計(jì)步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計(jì)路線(xiàn),即自工藝開(kāi)始,先進(jìn)行單元設(shè)計(jì),在精心設(shè)計(jì)
2025-04-29 03:20
【摘要】華?僑?大?學(xué)?專(zhuān)?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)EDAC華僑大學(xué)電子工程電系2022年華?僑?大?學(xué)?專(zhuān)?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-01-08 15:42
【摘要】《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-01-17 09:42
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門(mén)市專(zhuān)用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第五章MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2025-01-07 01:55