回復(fù)與再結(jié)晶退火(文件)
【正文】 (織構(gòu)制動(dòng) \尺寸效應(yīng) )， 迅速長(zhǎng)大 ， 吞食周圍小晶粒 ， 造成材料晶粒粗大 ， 不均勻 ，因此 ， 韌性 ， 強(qiáng)度 ， 塑性明顯下降 ， 要盡量防止 。 高層錯(cuò)能金屬 （ 鋁 ） ， {112}111較多 。 ?鈦合金在大變形量冷軋之后 ， 織構(gòu)為 {001}110；再結(jié)晶退火后為{112}110。 ③ 綜合理論 認(rèn)為①、 ②都只能各自從一個(gè)角度解釋織構(gòu)問(wèn)題，目前通常是把二者結(jié)合起來(lái) 。不涉及到退火本質(zhì)。 強(qiáng)度 塑性 冷變形 退火態(tài) 硬態(tài) 1/2硬 3/4硬 1/4硬 軟態(tài) 除圖示力學(xué)性能外 ， 如需要各向異性的要求 ， 則需查閱有關(guān)的手冊(cè) 。 b、 熱處理可強(qiáng)化者：要防止淬火效應(yīng) 。除了參考原則，具體的還要做實(shí)驗(yàn)。 同時(shí)又十分高效 。 a、 及時(shí) 、 節(jié)能 、 高效； b、 細(xì)晶 ， 提高產(chǎn)品質(zhì)量 。 鎂合金晶粒易粗化 。 織構(gòu)有利有弊 ， 是需要控制的 ， 但控制困難 ， 因?yàn)橛绊懸蛩靥?， 這是一門專門的學(xué)問(wèn) 。 ② 定向長(zhǎng)大理論 認(rèn)為任何取向的亞晶均可能發(fā)展成晶粒 ， 只是有取向有利的才能獲得最大的長(zhǎng)大速度 ， 而不利的方向在長(zhǎng)大過(guò)程中被消失淘汰 （ 有點(diǎn)象生物中的生存斗爭(zhēng) ， 適者生存 ） 可以解釋織構(gòu)變化的規(guī)律性 。 同樣 ， 退火時(shí)發(fā)生回復(fù)再結(jié)晶 ， 晶粒長(zhǎng)大時(shí) ， 晶粒取向也會(huì)發(fā)生變化 ， 晶粒也有可能保持擇優(yōu)取向 退火織構(gòu) （ 2）分類 通常 ， 回復(fù)織構(gòu)與變形織構(gòu)是相同的 （ 晶界沒(méi)有明顯變化 ） 回復(fù)階段：點(diǎn)缺陷運(yùn)動(dòng) ， 位錯(cuò)重排 ， 最多就是形成粗大亞晶 （ 原位再結(jié)晶 ） 。 面心立方金屬中出現(xiàn)的軋制織構(gòu)主要有 {011}211 、 {123}63 {112}11 {110}001。 實(shí)際情況中不均勻性是多種多樣 ， 產(chǎn)生 原因也從整個(gè)加工 （ 包括熔煉 、變形 、 退火等 ） 工藝中去尋找 ， 具體問(wèn)題具體分析 。 控制再結(jié)晶過(guò)程： 控制上述影響因素 ， 達(dá)到調(diào)整再結(jié)晶溫度和再結(jié)晶晶粒大小的目的 。 T1 T2 (a) (b) (c) (d) (e) Continuous recrystallization in smallgrained at (a) strain and annealed for 1hr at (b) 200oC, (c) 225oC, (d) 250oC, (e) 300oC. Al3%Mg heated for 1hour after Coldrolled 50% TEM images showing the grain structure At same T, crystal size changes with annealing duration. Note: The second recrystallization. ④ 退火 加熱速度 : 加熱速度上升 ， 細(xì)化 。 ① 預(yù)變形量（變形程度） 如圖所示規(guī)律 ，存在臨界變形程度（ εc~115%，與退火溫 度、變形溫度、純度或合金成分等有關(guān)） Pure Al monocrystal strained to (a) and (b) . (Hot pressed). 僅多邊化 變形不均勻，局部驅(qū)動(dòng)再結(jié)晶 a b c d e f εc ab—— 變形小，儲(chǔ)能低，不足以驅(qū)動(dòng)再結(jié)晶，僅回復(fù)（多邊化）； bc—— 變形不均勻，僅局部區(qū)域（個(gè)別晶粒變形較大）驅(qū)動(dòng)再結(jié)晶， N小， N/Gn小，故晶粒極粗大； cd—— N增大， N/Gn增大，故晶粒細(xì)化； de—— 晶粒穩(wěn)定 ef—— 變形強(qiáng)烈不均勻，再結(jié)晶開(kāi)始時(shí)間各異，晶粒大小不均。 （ 2）影響再結(jié)晶晶粒大小的因素 總的來(lái)講，晶粒尺寸與 N/Gn （形核率 /晶核生長(zhǎng)速率） 、 Gg（晶粒 長(zhǎng)大速率 ）有關(guān)。 起始晶粒度難以把握 ， 難以控制 。 Recrystallization of Austenite containing %Nb, %C and %N. Steps are related to precipitates. (b) (a) Modeling。 ④ 原始晶粒尺寸 d0 原始晶粒小，則變形儲(chǔ)能高 ， T再 下降 ⑤ 合金成分 Ι—— 低濃度時(shí) ， 少量濃度元素或雜質(zhì)總使 T再 急劇上升 原因：少量元素或雜質(zhì)與位錯(cuò) 、 層錯(cuò)結(jié)成氣團(tuán) （ contrell、 鈴木等 ）阻礙位錯(cuò)遷移 ， 因而阻礙形核 ， 濃度進(jìn)一步提高 ， 位錯(cuò)等處逐漸處于飽和 ， T再 上升平緩 。 ③ 回復(fù)與再結(jié)晶的關(guān)系 回復(fù)對(duì) 再結(jié)晶的影響 具有雙重性 ， （ 1） 空位下降 ， 擴(kuò)散慢 ， 能量下降 ， 驅(qū)動(dòng)力下降 ， 阻礙再結(jié)晶； （ 2） 多邊化也是作為再結(jié)晶的開(kāi)始階段 ， 有利于再結(jié)晶 再結(jié)晶過(guò)程包括： （ a） 形成一些晶核 （ 由大角度晶界包圍 ， 且具有高度結(jié)構(gòu)完整性 ， 儲(chǔ)能低的區(qū)域 ） ； （ b） 晶核逐漸吞食周圍變形基體的方式長(zhǎng)大； （ c） 直到整個(gè)基體有新生晶粒 點(diǎn)滿為止 Deformed matrix New grains Mechanism: subgrain growth, grain boundary protrudes 2)再結(jié)晶溫度及其影響因素 （ 1）定義（測(cè)定 T再 時(shí)，建立一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn) ） T再 不是一個(gè)物理量（合金成分一定時(shí)， T再 還與工藝過(guò)程參數(shù)有關(guān)）。 再結(jié)晶從廣義上講包括回復(fù)（點(diǎn)缺陷，位錯(cuò)重布），再結(jié)晶（形核長(zhǎng)大），晶粒長(zhǎng)大三個(gè)階段 。（這一點(diǎn)對(duì) W、 Mo的生產(chǎn)很重要， 再結(jié)晶退火會(huì)導(dǎo)致晶粒粗大，強(qiáng)烈提高脆化溫度，使材料不易加工，通常中間退火須采用回復(fù)退火）。 2. Shortrange obstacles in the form of dislcoation debris and dipoles produced during plastic deformation at low T. 堆垛層錯(cuò)能強(qiáng)烈影響回復(fù)階段位錯(cuò)重新組合傾向： ）（ ??82GbKd ?位錯(cuò)分解成兩個(gè)不全位錯(cuò)，夾一層錯(cuò) : 位錯(cuò)
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