【正文】 穩(wěn)定正常地運行，從未出現(xiàn)過任何軟、硬件故障或通信數(shù)據(jù)丟失、錯碼現(xiàn)象，說明本成果具有很高的系統(tǒng)可靠性和性能穩(wěn)定性。五、合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓聯(lián)系地址：廈門大學(xué)軟件學(xué)院聯(lián) 系 人：姚俊峰聯(lián)系電話：13799289292E mail ：yao0010基于泛在網(wǎng)絡(luò)的創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)系統(tǒng)一、項目特點和技術(shù)指標該系統(tǒng)面向最新提出的泛在網(wǎng)絡(luò)，主要服務(wù)內(nèi)容包括三維虛擬人模擬、頭發(fā)仿真、運動模擬、皮膚模擬、服裝真實感模擬、表情模擬、卡通形象設(shè)計、游戲動漫劇情設(shè)計與開發(fā)、虛擬商務(wù)中心建立、三維虛擬商品互動設(shè)計、四維顯示空間建立、基于手機三維系統(tǒng)、自然景觀模擬系統(tǒng)。四、投產(chǎn)條件與預(yù)期經(jīng)濟效益2008年9月 8日投放市場,打造中國最大的創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)系統(tǒng)提供商。三、應(yīng)用范圍本產(chǎn)品適用于光纖通信中的波分復(fù)用系統(tǒng)四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：1. 合作方應(yīng)是光電公司或通訊公司，如：中興公司、華為公司、華科、康順等大型公司。 13860414757E mail ：liushou2002菲涅爾全息型密集光波分復(fù)用元件（FH—DWDM）一、項目特點和技術(shù)指標特點：1． 價格低、通道容量大；2． 使用壽命長，約10年以上；3． 投資小，是現(xiàn)有產(chǎn)品的6%左右；主要技術(shù)指標：中心波長通道寬度插入損耗信道數(shù)工作溫度12801610(nm)≥ 610(dB)81101050(度)二、技術(shù)成熟程度理論骨架及參數(shù)的設(shè)計，制作系統(tǒng)裝置的選取已成熟，完成實驗室小試。預(yù)期經(jīng)濟效益：兩條生產(chǎn)線年增產(chǎn)值600萬元，年增稅收102萬元，年增利潤438萬元。主要技術(shù)指標：一方面是微波介質(zhì)陶瓷材料及瓷料配方系列優(yōu)化，包括：（1）高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的系列化研究（ε=8085，Qf≥9500GHz，τf=0177。應(yīng)用背景：移動電話、GPS、無繩電話）；（2）中介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的系列化研究（ε=3050，Qf≥50,000GHz，τf=0177。應(yīng)用背景：數(shù)據(jù)移動通訊、衛(wèi)星通訊）。三、應(yīng)用范圍微波諧振器可用于移動通信的諧振器、濾波器、衛(wèi)星定位系統(tǒng)（GPS）、汽車電話、雷達以及軍用的制導(dǎo)系統(tǒng)。全國相關(guān)廠家總需求預(yù)計超過兩億只。五、合作方式合作興辦新企業(yè)聯(lián)系地址：廈門大學(xué)材料學(xué)院 聯(lián) 系 人：熊兆賢聯(lián)系電話：05922180129。4．可能在大功率、光電子、抗輻射、顯示、紫外探測等半導(dǎo)體器件獲得應(yīng)用。二、技術(shù)成熟程度本項目處于探索階段，先測量和分析人工生長的類金剛石薄膜各種半導(dǎo)體光電性能，如禁帶寬度、導(dǎo)電類型、遷移率、摻雜濃度、介電常數(shù)、折射率、厚度等基本參數(shù)和特性，改進材料生長條件，探索類金剛石薄膜材料在半導(dǎo)體光電器件的可能應(yīng)用。若需要新建立類金剛石半導(dǎo)體薄膜材料生長設(shè)備，另需約30萬元人民幣。 2180940(H)E mail ：cchen通訊InGaAs/InP PIN光電探測器芯片的產(chǎn)業(yè)化一、項目特點和技術(shù)指標特點：1．暗電流低。3．頻率高。采用開管鋅擴散工藝，大大節(jié)省了成本和時間。 總電容： （VR= 5V, f = 1MHz） 反向擊穿電壓：≥ 20伏。三、應(yīng)用范圍光電探測器是將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的主要器件，廣泛應(yīng)用在光纖通信網(wǎng)絡(luò)的光交換機、光接收端機、中繼站，移動通信網(wǎng)絡(luò)的光直放站，計算機網(wǎng)絡(luò)中的光纖收發(fā)器、光纖網(wǎng)卡、光交換機、光集線器，有線電視網(wǎng)絡(luò)的光接收機、光工作站、中繼站等設(shè)備中和半導(dǎo)體激光器穩(wěn)定驅(qū)動電路中。預(yù)期經(jīng)濟效益：成本預(yù)算：國產(chǎn)2英寸InGaAs/InP 外延片約 6000元/片，進口約8000～12000元/片。一片2英寸外延片可獲產(chǎn)值約7萬元，利潤約4～5萬元。近年來國際上在GaN基材料上取得突破進展，研制出高效率的藍色和白色高亮度LED，不但能實現(xiàn)大屏幕全彩色顯示，而且有可能取代目前的白熾燈、熒光燈等用于照明工程，從而徹底改變目前人類的生活。二、技術(shù)特色和技術(shù)成熟程度目前GaN基材料的P型有效摻雜濃度太低和良好的P型歐姆接觸制備困難，它將降低PN結(jié)的注入比、降低發(fā)光效率、增加器件正向工作電壓、使器件發(fā)熱、性能變差，成為約束GaN基材料和器件發(fā)展技術(shù)瓶頸。采用該技術(shù)后，GaN 藍色（或白色）LED的性能將得到大大改善：，發(fā)光效率和發(fā)光功率都將得到提高。每個芯片的價格約（￥~）。本成果是一種符合環(huán)保的綠色能源技術(shù)，具有設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、性能可靠、運行時無噪聲、無磨損、無泄漏、移動靈活等優(yōu)點?；跓崴陌雽?dǎo)體溫差電源結(jié)合高效能高亮度的LED燈。C）；（溫度約150176。四、應(yīng)用范圍特別適合遠離電網(wǎng)、單獨架設(shè)電力線成本較高或應(yīng)急用電的小功率用電體系。六、合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓或聯(lián)合開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學(xué)物理與機電工程學(xué)院聯(lián) 系 人：陳 忠 聯(lián)系電話：05922181712(辦)E mail ：chenz全光纖磁光開關(guān)制造一、項目特點和技術(shù)指標近年來，通信網(wǎng)絡(luò)的傳輸和交換容量增長非常迅速，全光網(wǎng)絡(luò)成為各國共同關(guān)注的熱點技術(shù)之一。本方法采用法拉第磁光效應(yīng)，并將開關(guān)的主要元件制作成光纖型，其具有如下的技術(shù)特點和指標： 技術(shù)特點：1. 全光纖型，在國內(nèi)外均未有相關(guān)研究報道，是一種全新的磁光開關(guān)方案，已申請發(fā)明專利；2. 外形尺寸細小，全光纖磁光開關(guān)尺寸相對于已有的磁光開關(guān)有較大程度的減??； 3. 納秒脈沖技術(shù)，全光纖磁光開關(guān)采用納秒脈沖技術(shù)，利用晶體管的雪崩特性為高速磁場提供納秒控制電流脈沖；4. 高速磁場及其控制，全光纖磁光開關(guān)采用高速磁場及其控制技術(shù)，具有速度快、磁滯小和耗能少等優(yōu)點；5. 驅(qū)動電壓低，光纖可以卷曲成光纖圈，磁場利用率相對提高，所需驅(qū)動電壓低、耗能低、發(fā)熱量小、溫度穩(wěn)定性相對提高；6. 可集成可擴展，全光纖磁光開關(guān)結(jié)構(gòu)纖細，可以大規(guī)模集成為高密度的磁光開關(guān)三維陣列。四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：小型生產(chǎn)規(guī)模，需廠房100~200 m2，投產(chǎn)啟動資金150萬，包括設(shè)備的購買資金和技術(shù)轉(zhuǎn)讓費。LCD和PDL為主流的平板電視雖存有零輻射，低耗能，散熱小、纖薄輕巧、精確還原圖像，顯示字符銳利、屏幕調(diào)節(jié)方便等優(yōu)點，但其響應(yīng)時間、亮度和對比度、可視角度、高價格等方面的因素也阻礙了其進一步的發(fā)展。技術(shù)特點：1. 采用超高亮度的RGB三基色的LED作為發(fā)光源2. 自行設(shè)計新型的RGB三基色LED光源系統(tǒng)3. 采用自行設(shè)計高速掃描機構(gòu)投影成像的方案產(chǎn)品的主要技術(shù)指標：（1）標準光亮度（流明）：2500（2）對比度 3000：1（3）分辨率 1024768（4）投影方式：正投或吊投（5）最小/最大投影距離：2~6米二、技術(shù)成熟程度本項目的各個部分已通過初步的可靠性認證，并在著手產(chǎn)品試制過程中。每臺產(chǎn)品在扣除相關(guān)成本后可獲利千元。目前在標準工作電流下，標準的GaN基藍色LED芯片的發(fā)光功率約為4mW，許多廠商從提高外量子效率入手來提高出光功率。二、技術(shù)成熟程度已可以小批量生產(chǎn)三、應(yīng)用范圍GaN基高亮度藍色LED在白光照明、LCD背光模塊、汽車用燈、全彩顯示屏、交通號等方面有廣泛應(yīng)用。芯片體積3mm3mm功耗500～2000mW光譜范圍1～20mm發(fā)射率近于黑體的輻射能量效率～20 %表面溫度最高850176。使用Al電極，器件最高溫度可以達到850176。四、投產(chǎn)條件與預(yù)期經(jīng)濟效益Si基MEMS紅外光源的制備與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體微加工制備工藝完全兼容。C時壽命不低于5年，可靠性測試表明器件滿足使用要求。C時不低于5年二、技術(shù)成熟程度我們從2006年就開始Si基MEMS紅外光源的制備研究，現(xiàn)正在申請Si基MEMS紅外光源制備方法和相關(guān)的4項中國發(fā)明專利。根據(jù)不同的使用目的和要求可封裝成標準的單個和陣列器件，即插即用，方便可靠；②光源可在連續(xù)工作模式和脈沖模式下工作，高調(diào)制特性可實現(xiàn)編碼調(diào)制的隱蔽工作方式，因此在軍事目標敵我識別上有較大應(yīng)用前景；③光源可實現(xiàn)低成本大批量的制造。如果加上其它提高外量子效率的手段，可大幅度提高LED產(chǎn)品的檔次，提高經(jīng)濟效益。五、合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓或聯(lián)合開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學(xué)物理與機電工程學(xué)院聯(lián) 系 人：翁梓華聯(lián)系電話：05928622841, 2181164E mail ：xmuxmuxmuGaN基高亮度藍光發(fā)光二極管（LED）外延一、項目特點和技術(shù)指標GaN基高亮度藍色LED在白光照明、LCD背光模塊、汽車用燈、全彩顯示屏、交通號等方面有廣泛應(yīng)用。四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：該項目屬中小型生產(chǎn)規(guī)模，生產(chǎn)車間約100~200m2，投產(chǎn)需要啟動資金150萬元，包括相關(guān)設(shè)備以及技術(shù)轉(zhuǎn)讓費。本項目主要是使用RGB三基色LED作為發(fā)光源，并通過外部色彩轉(zhuǎn)換控制電路和高速掃描機構(gòu)來投影成像。其制作成本大約為4500元，售價在5800元以上，預(yù)計五年內(nèi)可收回投資成本。三、應(yīng)用領(lǐng)域及市場前景光開關(guān)作為一種光元器件，可以集成到各種不同的光網(wǎng)元中，例如光網(wǎng)絡(luò)自動保護倒換裝置、光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)視系統(tǒng)、光通信器件測試系統(tǒng)、光分插/分復(fù)用系統(tǒng)（OADM）、光交叉連接器（OXC）、光纖傳感器系統(tǒng)和光纖測試系統(tǒng)等。全光纖磁光開關(guān)是一種將磁光材料和偏振合/分束器等主要元件制作成光纖形狀的磁光開關(guān)。五、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益主要的設(shè)備及手段：基本電子生產(chǎn)設(shè)備。產(chǎn)品的主要技術(shù)指標：本技術(shù)提供一種適合熱源條件較廣的溫差電源系統(tǒng)。技術(shù)特點：根據(jù)各種半導(dǎo)體溫差發(fā)電模塊工作溫度特性和用戶特定的使用環(huán)境，模塊熱端采熱采用三種方式：（溫度約250176。本技術(shù)提供一種基于半導(dǎo)體溫差發(fā)電模塊的環(huán)保電源系統(tǒng)。五、合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓或技術(shù)入股合作研發(fā), 總經(jīng)費投入約1000萬元人民幣（含技術(shù)轉(zhuǎn)讓費）。四、預(yù)期經(jīng)濟效益目前2英寸直徑的GaN基延片單價$300美元，每個芯片面積約380x380微米，芯片成品率約80％，每片外延片可制備LED芯片 約1萬只。已申請了“激光誘導(dǎo)下氮化鎵P型有效摻雜制備方法”（申請?zhí)枺?，公開號：CN1554576A）和“激光誘導(dǎo)下氮化鎵P型歐姆接觸的制備方法”（申請?zhí)枺?，公開號：CN1554575A）兩項發(fā)明專利。國內(nèi)能生產(chǎn)芯片的廠家不多，而且芯片的發(fā)光效率、發(fā)光功率、正向工作電壓、抗靜電感應(yīng)能力、工作壽命等性能方面和國外還有一定的差距，具有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)也不多。五、合作方式技術(shù)轉(zhuǎn)讓或合作開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學(xué)物理與機電工程學(xué)院聯(lián) 系 人：陳 朝 聯(lián)系電話：05922182458(O)。芯片產(chǎn)值預(yù)計：每個外延片約有8100個管芯，按成品率75%計算，可產(chǎn)管芯6000只。四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：作伙伴最好是半導(dǎo)體器件廠家，已經(jīng)具有平面工藝生產(chǎn)線設(shè)備。二、技術(shù)成熟程度本芯片制造技術(shù)已經(jīng)逐漸成熟，完成了實驗室小試、中試，工業(yè)化試生產(chǎn)，以及小批量供應(yīng)國內(nèi)外用戶使用得到好評。 工作電壓：－5伏 響應(yīng)度：～（～）。采用氧化鋁為鈍化掩膜，芯片性能在10年以上。2．光響應(yīng)度高。先投入少量經(jīng)費開展類金剛石薄膜半導(dǎo)體基本性質(zhì)的研究，改進現(xiàn)有薄膜材料生長工藝，使所生長的薄膜材料能適應(yīng)半導(dǎo)體器件的要求；再探索用類金剛石薄膜材料研發(fā)各種新型半導(dǎo)體器件的可能性并盡快研發(fā)出適合市場需要的新型半導(dǎo)體器件。四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：合作伙伴最好是類金剛石半導(dǎo)體薄膜材料的生產(chǎn)或研發(fā)單位，已具有類金剛石半導(dǎo)體薄膜生長設(shè)備，能提供研發(fā)所需要的類金剛石半導(dǎo)體薄膜。6．制造成本低。2．高臨界擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度。 滿足我國兩億只濾波器的需求，國家將花去2億美元以上的外匯（進口價）。四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：投產(chǎn)資金： 500 3000萬元（不含土建）。二、技術(shù)成熟程度微波材料制造技術(shù)已經(jīng)成熟，完成了實驗室小試、小罐中試以及工業(yè)化試生產(chǎn)。應(yīng)用背景：衛(wèi)星通訊、移動電話基站）；（3）低損耗微波介質(zhì)陶瓷的系列化（ε=1822，Qf≥60,000GHz，τf=0177。10ppm/℃；ε100，Qf≥4000GHz，τf=0177。 13646027374E mail ：liushou2002微波信息陶瓷材料元器件及其模塊一、項目特點和技術(shù)指標特點：為了滿足移動通信的需要，微波介質(zhì)諧振器已經(jīng)從原來的體積較大的TE01d 模為主的元器件，發(fā)展為以體積較小的TEM 結(jié)合TE01d 模諧振器和其它特殊設(shè)計的綜合元器件。三、應(yīng)用范圍光通訊系統(tǒng)四、投產(chǎn)條件和預(yù)期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：5． 合作方應(yīng)是光電公司或通訊公司，如：中興公司、華為公司、華科、康順等大型公司。預(yù)期經(jīng)濟效益：兩條生產(chǎn)線年增產(chǎn)值600萬元，年增稅收102萬元，年增利潤438萬元。聯(lián)系地址：廈門大學(xué)軟件學(xué)院聯(lián) 系 人：姚俊峰聯(lián)系電話：05922580592傳 真：05922580500E – mail ：yao0010全息型稀疏光波分復(fù)用元件（H—CWDM）一、項目特點和技術(shù)指標特點：1． 產(chǎn)品成本低（不按通道數(shù)計）；2． 生產(chǎn)投資?。?． 插入損耗不會隨復(fù)用通路數(shù)的增加而增加；4． 使用壽命長，約10年以上；主要技術(shù)指標：類型通道間隔通道數(shù)插入損耗工作溫度Fresnel反射式81103dB1050(度