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正文內(nèi)容

電子技術與工藝(文件)

2025-08-14 00:10 上一頁面

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【正文】 或兩者結(jié)合的方法來標注電容的主要參數(shù)。二是用 3 位數(shù)字表示,其中第一、二位為有效數(shù)字位,表示容量值的有效數(shù),第三位為倍率,表示有效數(shù)字后的零的個數(shù),電容量的單位為 pF 。用于接收機的調(diào)諧回路中選臺或在振蕩器中改變頻率。例如在收音機中的短波部分,可用微調(diào)電容將頻率調(diào)的很準。假如數(shù)字式萬用表顯示絕緣電阻在幾百kΩ以下或者指針式萬用表的表針停在距∞較遠的位置,表明電容器漏電嚴重,不能使用。電容器接到A、B兩端,由于晶體管的放大作用,就可以測量到電容器的絕緣電阻。圖21 小容量電容器的簡易測量方法⑵ 測量電解電容器時,應該注意它的極性。注意:數(shù)字式萬用表的紅表筆內(nèi)接電源正極,而指針式萬用表的黑表筆內(nèi)接電源正極。將萬用表的兩只表筆分別與可變電容器的定片和動片引出端相連,同時將電容器來回旋轉(zhuǎn)幾下,阻值讀數(shù)應該極大且無變化。l,認識電感器, 電感器是由線圈構(gòu)成的,所以又稱電感線圈。按繞制方法分為單層、多層、蜂房式幾種。所產(chǎn)生的電勢稱感應電勢,電勢大小正比于磁通變化的速度和線圈匝數(shù)。 L 的基本單位為 H (亨),實際用得較多的單位為 mH (毫亨)和μ H (微亨),三者的換算關系如下: 1H=1000 mH=1000000μ H 。通過直流電時 X L 為零,僅線圈的直流電阻起阻力作用,因電阻一般很小,所以近似短路。線圈在一定頻率的交流電壓下工作時,其感抗 X L 和等效損耗電阻之比即為 Q 值,表達式如下: 。 Q 值越高,電路的損耗越小,效率越高,但 Q 值提高到一定程度后便會受到種種因素限制,而且許多電路對線圈 Q 值也沒有很高的要求,所以具體決定 Q 值應視電路要求而定。 2.電感器的種類 電感器的系列產(chǎn)品不多,多數(shù)電感都是根據(jù)電路的要求加工制作的。采用矽鋼片做鐵芯。3.變壓器 是互感元件,在電路中一般用作電壓變換、電流變換、信號傳輸、阻抗匹配。如何區(qū)別輸入與輸出變壓器:(3)脈沖變壓器 用于傳輸脈沖信號。四、半導體器件 常用的半導體器件主要有二極管、三極管、集成電路等。 A——表示為N型鍺材料。 E——表示為化合物材料。 第五部分:用字母表示規(guī)格號。多為 4 價元素構(gòu)成純凈的半導體稱為本征半導體。環(huán)境溫度越高本征激發(fā)產(chǎn)生的空穴與電子對的數(shù)量越大。當環(huán)境一定時激發(fā)與復合達到相等,自由電子與空穴的數(shù)量不再變化 ( 2 ). PN 節(jié) ① N 型半導體 在硅或鍺的晶體中摻與五價的元素,如磷中雜質(zhì)原子就代替某些硅原子與周圍的硅原子的最外層電子形成共價鍵,多余的一個電子受到的束縛力較弱,在室溫下就可以激發(fā)成自由電子,大大的增加了半導體的導電能力。 P 區(qū)空穴向 N 擴散 、N 區(qū)自由電子向 P 區(qū)擴散。結(jié)構(gòu)及電路符號如圖所示 ( 2 )二極管的伏安特性 . 二極管兩端的電壓U和流過二極管的電流I之間的關系可以用二極管伏安特性曲線來描述。目前又相繼出現(xiàn)多種新的類型的二極管供人們選用。是電子電路中最基本的元件之一。 圖23三極管的色點: 目前,有部分三極管的生產(chǎn)廠家用在管子上打色點來表示管子HFE參數(shù)的范圍。模擬集成電路品種繁多,其中應用最為廣泛的是集成運算放大器。 ( 3 )電路中級間都采用直接耦合方式工作,以減少級間耦合元件個數(shù)及耦合損耗。前者的適用范圍很廣,其特性和指標可以滿足一般應用要求;后者是在前者的基礎上,為適應某些特殊要求而制作的 。它的兩個輸入端可以擴大集成運算放大器的應用范圍。此外,集成運算放大器還有一些輔助電路,如過流保護電路等。 老化、篩選就是對元器件施加外界應力,使早期失效的元器件在上機前暴露、剔除。下面我們討論元器件失效的普遍規(guī)律,介紹老化篩選的一般方法和原則; 1.器件失效的普遍規(guī)律及相應對策 電路器件具有一定的使用壽命。失效率的常用單位是Fit(“菲特”),1Fit=109/h。統(tǒng)計數(shù)字表明,新制造出來的電子元器件,在剛剛投入使用的一段時間內(nèi),失效率比較高,這種失效稱為早期失效,相應的這段時間叫做早期失效期。在偶然失效期內(nèi),電子元器件的失效率很低,而且在極長的時間內(nèi)幾乎沒有變化,可以認為它是一個很小的常數(shù)。圖 20失效率函數(shù)曲線 2.老化的原則和方法: 老化篩選的作用就是外加應力,將早期失效的元器件的潛在故障加速暴露篩選掉。但外加應力也不能太小,否則達不到老化、篩選的目的。隨著電子技術的飛速發(fā)展,促進了電子元器件的生產(chǎn),當代電子元件不僅門類多、品種全,且新產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)。各種元器件常用手冊形式給出,善于查閱手冊也是很重要的。在電路設計中要完成某一方面功能,可能有多種元器件能夠勝任,到底選用哪一種,要進行權衡。常見的有:(1)高低溫存儲老化(2)電老化(3)功率老化3.電子元器件的測試與篩選(1)電路器件的選擇與代換 在工程技術中,完成某一方面功能,要用到各種各樣的電路器件,這就要考慮電路器件的選擇問題。例如對三極管來說,外加電壓不能超過BVce0值,外加溫度不能超過結(jié)溫。電子元器件典型的失效率函數(shù)曲線如圖所示。元器件的早期失效是十分有害的,但又是不可避免的。失效率越低,說明元器件的可靠性越高。電子元器件的可靠性用失效率表示。目前,對電子元器件的老化、篩選尚無統(tǒng)一的標準和方法。尤其船用電子整機設備,常工作在高溫、潮濕、具有振動沖擊的環(huán)境中,其條件更為惡劣。 輸出組一般采用甲乙類互補對稱放大電路,主要用于提高集成運算放大器的負載能力,減小大信號工作下的非線性失真。它由輸入級、中間電壓放大級、輸出級和偏置電路等組成。運算放大器本質(zhì)上是一個高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的直接耦合多級放大電路,因它最初主要用于模擬量的數(shù)學運算而得此名。若電阻、電容值太大,會占用過大的硅片面積,所以,集成電路中不采用大容量電容元件,其高阻值電阻多用有源器件來替代。通用型集成電路的組成及其基本特性 1 、通用型集成運算放大器的組成 集成電路是利用半導體的制造工藝,將整個電路中的元器件制作在一塊基片,封裝后構(gòu)成特定功能的電路塊。在電路中可作為信號放大器、振蕩器、射極輸出器等使用。3半導體三極管 半導體三極管簡稱三極管。 二極管是單向?qū)щ姷姆蔷€性元件。2 . 二極管構(gòu)成及特點 ( 1 )二極管構(gòu)成 在 PN 結(jié)兩端各引出一根引線,然后用外殼封裝起來就構(gòu)成了一個半導體二極管。自由電子為少數(shù)載流子,稱為少子。自由電子和空穴是半導體中參與導電的自由電荷,在沒有外加電場時空穴與自由電子都作雜亂無章的熱運動,故不形成電流。在室溫或光照下少數(shù)價電子可以獲得足夠的能量擺脫共價鍵的束縛成為自由電子,同時在共價鍵留下一個空位,稱為空穴,這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。2. 半導體二極管 PN 節(jié)的形成 ( 1 )半導體 物體導電能力的好壞取決于物質(zhì)內(nèi)部自由電荷的多少,導體的導電能力強,自由電荷多;絕緣體導電能力弱,內(nèi)部自由電荷少。 P——普通管; V——微波管;W——穩(wěn)壓管; Z——整流管; L——整流推;N——阻尼管;K——開關管;U——光電管;X——低頻小功率;G——高頻小功率;D——低頻大功率;A——高頻大功率:等等。 C——表示為N型硅材料。下面分別作簡要介紹:1. 國產(chǎn)半導體器件的型號命名由五部分組成: 第一部分:表示電極數(shù)目。(4)中頻變壓器(俗稱中周) 超外差收音機的中頻負載,與電容匹配組成調(diào)諧回路。(2)音頻變壓器包括輸入、輸出變壓器。(3)色碼電感 作濾波、振蕩、去耦用。繞在高頻磁芯上,為了減小分布電容常繞成蜂房式。 ( 5 )額定電流 通常是指允許長時間通過電感元件的直流電流值。值得注意的是,損耗電阻在頻率 較低時可視作基本上以線圈直流電阻為主;當 較高時,因線圈骨架及浸漬物的介質(zhì)損耗、鐵芯及屏蔽罩損耗、導線高頻趨膚效應損耗等 影響較明顯, R 就應包括各種損耗在內(nèi)的等效損耗電阻,不能僅計直流電阻。 X L 與線圈電感 L 和交流電頻率 f 成正比,計算公式為: X L (Ω) =2 π f ( Hz ) L ( H )。自感電勢的方向總是阻止電流變化的,猶如線圈具有慣性,這種電磁慣性的大小就用電感量 L 來表示。)見圖22: 圖22電感器的參數(shù):.(1) 電感量 L 電感量 L 也稱作自感系數(shù),是表示電感元件自感應能力的一種物理量。(把漆包線或紗包線等在絕緣的骨架上繞一定圈數(shù),就構(gòu)成了線圈。三、電感器 電感器是一種儲存磁場能的器件。用萬用表紅、黑表筆交換來測量電容器的絕緣電阻,絕緣電阻大的一次,連接表內(nèi)電源正極的表筆所接的就是電容器的正極,另一極為負極。測量時萬用表內(nèi)電源的正極與電容器的正極相接,電源負極與電容器負極相接,稱為電容器的正接。這時,可以借助一個NPN三極管的放大作用進行測量。⑴ 檢測小容量電容器① 對于容量大于5100pF的電容器,用萬用表的歐姆擋測量電容器的兩引線,應該能觀察到萬用表顯示的阻值變化,這是電容器充電的過程。 微調(diào)電容器也是一種可變電容器,在小范圍內(nèi)調(diào)節(jié),并可固定下來。此法與電阻 3 位數(shù)碼標注法相似,不再多述。如 10p 代表 10pF , μ代表 μ F , 3p3 代表 , 8n2 代表 8200pF 等。標注較齊的電容通常有標稱容量、額定電壓、允許偏差、電容型號、商標、工作溫度及制造日期等。電容的絕緣電阻及漏電流是重要的性能參數(shù),電子設備的故障有不少都是因某個電容漏電太大、擊穿而造成的,所以我們不要輕視這個參數(shù)。 500。 50。 10。 400。 500。 60。 100。電容器的分檔耐壓見表6: 表6電容類型耐壓CY100。如果一般電容工作于脈動電壓下,則交流分量通常不得超過直流電壓的百分之幾至百分之十幾(應隨交流分量頻率的增高而相應遞減),且交、直流分量的總和不得大于額定電壓。5% 177。 1F=1012PF.2.電容器的型號命名 電容器的型號由五部份組成:其各部份組成的標志如下:第一部分:主稱;第二部分:材料;第三部分:分類;第四部分:序號;第五部分:區(qū)別代號;見表4 表4第一部分主稱代號C意義電容器第二部分材料CTIYLZJDAN 等等高頻瓷低頻瓷玻璃釉云母滌綸紙介金屬化紙介鋁電解質(zhì)鉭電解質(zhì)鈮電解質(zhì)第三部分分類12345678等等按材料分———略第四部分序號第五部分區(qū)別代號3.電容器的標稱系列及允許偏差 電容器的標稱系列與電阻不同,它是依所用介質(zhì)材料不同而各自成系列。電容器的標稱容量及允許偏差的基本含義同電阻一樣,只是使用單位(電容量)與
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