【正文】 (b) 放大狀態(tài) (c) 截止?fàn)顟B(tài) 第 22 頁 共 45 頁 T?12 VRER C 44． 電路如圖所示，靜態(tài)時晶體管處于 （ ）。 (a) 保持 UCC， RB一定，減小 RC (b) 保持 UCC， RC一定，增大 RB (c) 保持 RB， RC一定，增大 UCC ++C 1C 2R BR C? U CC++u ou i 4． 電路如圖所示，已知 R1 ?5k?， R2?15k?， R3 ?10k?， RC ?2k?， RE ? 2k?, 當(dāng)電阻R2 不慎被短路后 , (如圖 ),該電路中的晶體管處于 〔 〕。 需使 ( ) (a) 偏置電阻 RB 增大。39。I CI BU CE? 40 ? AO 9． 單管放大電路如圖所示，其交直流負載的正確畫法是圖 2 中的 ( )。 第 25 頁 共 45 頁 ++C 1C 2R B 1R B 2R CU CC++u iu o 12． 如圖所示的放大電路 （ ）。 (a) 增大 (b) 減小 (c) 不變 14． 兩級共射阻容耦合放大電路，若將第二級換成射極輸出器，則第一級的電壓放大倍數(shù)將 ( )。 (a) 集電極 (b) 發(fā)射極 (c) 基極 18． 電路如圖所示，電阻 RE 引入的反饋為 ( )。 B 1R 39。 (a) 串聯(lián)電壓負反饋 (b) 串聯(lián)電流負反饋 (c) 并聯(lián)電壓負反饋 (d) 并聯(lián)電流負反饋 24． 某交流放大電路引入電壓負反饋后 ( )。 (a) 耦合電容的影響 (b) 晶體管的結(jié)電容和導(dǎo)線的分布電容的存在以及電流放大系數(shù) β 的下降 (c) 發(fā)射極旁路電容的影響 28． 為了放大變化緩慢的信號或直流信號，多極放大器級與級之間必須采用 ( )。 第 28 頁 共 45 頁 (a) 大信號狀態(tài) (b) 小信號狀態(tài) (c) 脈沖信號狀態(tài) 33． 固定偏置放大電路如圖所示，已知 UCC V?20 ， UBE . V?07 ， 晶體管的電流放大系數(shù) β=100，欲滿足 IC mA?2 ， UCE V?4 的要求，試求電阻 RB ， RC 的阻值。（設(shè)UBE ?06. V ） 。 +R B 1R B 2R CR ER Lu ou i+C 2C 1? 12 VCBE+－+－ 38． 電路如圖所示，已知晶體管的 ? =60， rbe k?1 ? ， UBE = V，試求 : (1) 靜態(tài)工作點 IB， IC， UCE； (2) 電壓放大倍數(shù)； (3) 若輸入電壓 u t mi V? 10 2 sin ?，則輸出電壓 uo 的有效值為多少 ? +3k Ω270 kΩ+C 1 C 2u iu oR B 1R C ? 12 V3D G 6+－+－ 39． 電路如圖 1，圖 2 所示，已知 T1， T2 的 ??50 ， rbe k?1? ? ，要求： (1) 畫出兩個電路的微變等效電路； (2) 計算兩電路的電壓放大倍數(shù)和輸入電阻，輸出電阻； (3) 根據(jù)以上計算結(jié)果，試簡要說明兩放大電路的特點和應(yīng)用場合。 (a) 變壓器耦合 (b) 直接耦合 (c) 阻容耦合 2． 開環(huán)工作的理想運算放大器，同相輸入時的電壓傳輸特性為 （ ）。 (a) 串聯(lián)電壓負反饋 (b) 串聯(lián)電流負反饋 (c) 并聯(lián)電壓負反饋 (d) 并聯(lián)電流負反饋 R FRu O－＋∞+ui 6． 電路如圖所示， RF 引入的反饋為 ( ) 。 (a) ri1 大于 ri2 (b) ri1 小于 ri2 (c) ri1 等于 ri2 ∞＋＋ ∞＋＋R 1R 2R 1R 2R F R Fu Ou Ou iu i 10． 電路如圖所示，其電壓放大倍數(shù)等于 ( )。 (a) ui (b) 2ui (c) 零 ∞＋＋RRRRu Ou i 14． 電路如圖所示，該電路為 ( )。 ∞＋＋圖2圖1－－++ +－OuOuOuOuOuiUO ( s a t )UO ( s a t )UO ( s a t )UO ( s a t )UO ( s a t )UO ( s a t )( a) ( b)( c)O Ouiuiui 1。 (a) 積分運算電路 (b) 微分運算電路 (c) 比例積分運算電路 ∞＋＋RR Fu iu OC 16． 電路如圖所示為 ( )。 (a) 圖 1 (b) 圖 2 (c) 圖 3 第 33 頁 共 45 頁 12． 電路如圖所示，已知 ui=1V，當(dāng)電位器的滑動端從 A 點移到 B 點時，輸出電壓 uO的變化范圍為 ( )。 (a) 工作在線性區(qū)，降低穩(wěn)定性 (b) 工作在非線性區(qū)，提高穩(wěn)定性 (c) 工作在線性區(qū)，提高穩(wěn)定性 8． 電路如圖所示，當(dāng) RF 減小時，放大電路的 （ ）。 (a) 零 (b) 約 120 dB (c) 無窮大 4． 同相輸入比例運算放大器電路中的反饋極性和類型屬于 （ ）。 (3) 若想改善上述電路輸出電壓波形失 真情況，應(yīng)調(diào)整電路中哪一元件的 參數(shù)，如何調(diào)整？ ++ORBRCuiuo ? t? 1 5 VuimV/15 21 0 0 k ?+－+－ 圖 1 圖 21 k ? 41． 圖示電路中，設(shè)晶體管的 ?=100， rbe=1k?，靜態(tài)時 UCE V?55. 。 102030400 5 10 15 20? UCCRBRCUCEIBICBCEETQ400 ? A300 ? A200 ? A1 0 0 ? AIBA? 50 ?UCEIC m A( V)+－ 圖 1 圖 2 36． 放大電路如圖所示，要求： (1) 畫出電路的直流通道，交流通道以及微變等效電路圖 。若要使 UCE 的靜態(tài)值達到 ，估算 RB1 ， RB2 的阻值。 (a) 第一級的漂移 (b) 中間級漂移 (c) 末級漂移 30． 在直接耦合放大電路中，采用差動式電路結(jié)構(gòu)的主要目的是 ( )。 (a) 輸入電阻 (b) 信號源內(nèi)阻 (c) 負載電阻 26． 將單管放大電路的靜態(tài)基極電流 IB適當(dāng)調(diào)大，將集電極電阻 RC的阻值適當(dāng)調(diào)小，則該放大電路的通頻帶將 ( )。 (a) 串聯(lián)電壓負反饋 (b) 串聯(lián)電流負反饋 (c) 并聯(lián)電壓負反饋 (d) 并聯(lián)電流負反饋 22． 在串聯(lián)電壓負反饋放大電路中，若將反饋深度增加，則該電路的輸出電阻將 ( )。 (a) 串聯(lián)電壓負反饋 (b) 串聯(lián)電流負反饋 (c) 并聯(lián)電壓負反饋 (d) 正反饋 ++C 1C 2R F+－U CCR CR Su S+u O 20． 兩級放大電路如圖所示，第二級與第一級之間的 RF 支路引入的反饋為 ( )。 (a) RS +[(rbe+(1+? )RE)]//RB (b) (RS //RB)//[rbe+(1+? )(RE//RL)] (c) RB//[rbe+(1+? )RE] (d) RB//[(rbe+(1+? )(RE//RL)] ++R ER LC 1C 2R BBR Su SU CCu i++u o 16． 就放大作用而言，射極輸出器是一種 ( )。 (b)能穩(wěn)定靜態(tài)工作點，但比無二極管 D 的電路效果要差。 (a) 放大電路的動態(tài)分析 ； (b) 放大電路的靜態(tài)分析 ； (c) 放大電路的靜態(tài)和動態(tài)分析 11． 如圖所示的放大電路 ( )。Q Q 39。 (a) 不改變 (b) 向 Q39。 (a) 確定電壓放大倍數(shù) Au (b) 確定靜態(tài)工作點 Q (c) 確定輸入電阻 ri ， 輸出電阻 ro 6． 放大電路如圖所示，其中的晶體管工作在 ( )。 ( a) RL ( b) RB (c) C1 (d) C2 +TR BR L u oU CC－+C 1C 2R Cu i++ 2． 下列各電路中能實現(xiàn)交流電壓放大的是圖 （ ）。 1 V 3V? 3V 0 V0 . 5V0 . 7 V 10 V4 V9. 7 V5 . 3V6 V? 2. 3V( a ) ( b ) ( c ) ( d ) 42． 測得某一 PNP 硅管三個極的電位是： VB = ?， VE = ?， VC = ?7V，則該管工作在 （ ）。 (a) 減 小 (b) 增 加 (c) 不 變 38． 在計算低頻小功率晶體管輸入電阻 rbe 時，有三位同學(xué)用了三種方法，而且計算結(jié)果差別很大，請指出正確的表達式是 （ ）。 (a) 發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏 (b) 發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均反偏 (c) 發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正偏 (d) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 第 21 頁 共 45 頁 34． 已知某晶體管處于放大狀態(tài)，測得其三個極的電位分別為 6V、 9V 和 ，則 6V所對應(yīng)的電極為 （ ）。 (a) NPN 型鍺管 (b) PNP 型鍺管 (c) NPN 型硅管 (d) PNP 型硅管 30． 圖示的三極管接在放大電路中，該管工作 正常，測得 UBE= ?，則此管的類型為 (a) PNP 型鍺管 ； (b) NPN 型鍺管 ； (c) PNP 型硅管 ；