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正文內(nèi)容

單片機原理、接口及應用(文件)

2025-08-05 14:25 上一頁面

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【正文】 上電復位 開關復位 第 1章 MCS51單片機結構 上電后,由于電容充電,使 RST持續(xù)一段高電平時間。 開關復位 要求在電源接通的條件下,在單片機運行期間,用接鈕開關操作使單片機復位。 A=00H 表明累加器已被清零。 記住一些特殊功能寄存器復位后的主要狀態(tài),對于熟悉單片機操作,減短應用程序中的初始化部分是十分必要的。 XTAL1, XTAL2: 接外部晶體或外部時鐘。訪問外部存儲器時,用于鎖存 P0口低 8位地址,該引腳 ALE輸出脈沖的頻率為振蕩頻率的 1/6。取指令操作期間, PSEN的頻率為振蕩頻率的 1/6,若訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,則有一個機器周期中的 PSEN信號不出現(xiàn) EA/VPP: ① EA =0,單片機只訪問外部程序存儲器。 ~ : P1口,靜態(tài)通用端口。 第 1章 MCS51單片機結構 圖 17 在 51系列單片機的 2051/1051型號中因無 P0口和 P2口總線引腳,因此只有 20個引腳(見圖 ),由于不能進行外部擴展,因此無 PSEN引腳,它們內(nèi)部有一個模擬比較器,相比較的模擬信號由 ( AIN0)和 ( AIN1)輸入,而模擬比較器的輸出接,在內(nèi)部已連接,因此外部無 。 4KB程序存儲器 ROM(視不同產(chǎn)品型號不同: 8031內(nèi)部無 ROM;8051內(nèi)部為掩模式 ROM; 8751為 EPROM; 89C51內(nèi)部為 FLASH EEPROM)。 32條可編程的 I/O線(四個 8位并行 I/O端口)。現(xiàn)將此內(nèi)容歸納于教材表 ,此表是編程和硬件擴展的基礎,相當重要,務必要熟記和掌握。 具有兩個優(yōu)先級嵌套中斷結構的五個中斷源。 第 1章 MCS51單片機結構 兩個 16位定時器 /計數(shù)器 。 MCS51系列單片機是目前市場上應用最廣泛的單片機機型。 ~ : P3口,雙功能靜態(tài)端口。 ②在 8751單片機片內(nèi) EPROM編程期間,此引腳引入 21V編程電源 VPP。 PSEN:程序存儲器允許。 ②接備用電源,當 VCC掉電后,在低功耗條件下保持內(nèi)部 RAM中的數(shù)據(jù)。 第 1章 MCS51單片機結構 引腳功能 各個引腳的功能說明如下: GND:接地端。 SP=07H 表明堆棧指針指向片內(nèi) RAM 07H單元,根據(jù)堆棧操作的先加后壓法則,第一個被壓入的數(shù)據(jù)被寫入08H單元中。 圖 15 復位電路 第 1章 MCS51單片機結構 單片機的復位操作是使 SFR寄存器進入初始化,不改變片內(nèi) RAM區(qū)中的內(nèi)容。通常選擇 C=10?f ,R=10K?。 當 MCS51系列單片機的復位引腳 RST出現(xiàn) 5ms以上的高電平時,單片機就完成了復位操作。 第 1章 MCS51單片機結構 指令周期 :執(zhí)行一條指令所需的時間。 狀態(tài)周期 :振蕩頻率經(jīng)單片機內(nèi)的二分頻器分頻后提供給片內(nèi) CPU的時鐘周期。這種方式適宜用于使單片機的時鐘與外部信號保持一致。 ★ 電容器 C0 C02起穩(wěn)定振蕩頻率、快速起振的作用。 PCON—— 電源控制寄存器。 TH0, TL0—— 定時器 /計數(shù)器 0。 第 1章 MCS51單片機結構 此外還有如下寄存器,它們將在后面章節(jié)介紹: IP—— 中斷優(yōu)先級控制寄存器。 P0 P1 P2 P3—— I/O端口寄存器 是四個并行 I/O端口映射入 SFR中的寄存器。 SP— 堆棧指針。 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 CY AC F0 RS1 RS0 OV - P 位地址 位名稱 第 1章 MCS51單片機結構 OV:溢出標志 反映補碼運算的運算結果有無溢出 有溢出 OV=1,無溢出 OV=0。 AC:輔助進 /借位標志 反映高半字節(jié)與低半字節(jié)之間的進 /借位, AC=1有進 /借位; AC=0無進 /借位 。 PSW— 程序狀態(tài)字。 21個特殊功能寄存器的名稱及主要功能介紹如下,詳細的用法見后面各節(jié)的內(nèi)容。 第 1章 MCS51單片機結構
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