材料現(xiàn)代分析方法第一章習(xí)題答案(文件)
【正文】 向陽極轟擊，由于陽極的阻礙作用，電子將產(chǎn)生極大的負加速度。連續(xù)譜短波限只與管壓有關(guān)，當(dāng)固定管壓，增加管電流或改變靶時短波限不變。7. 試計算鉬的K激發(fā)電壓，已知鉬的λK＝。應(yīng)用：光電效應(yīng)產(chǎn)生光電子，是X射線光電子能譜分析的技術(shù)基礎(chǔ)。解：透射因數(shù)I/I0=eμmρx 其中μm：質(zhì)量吸收系數(shù)/cm2g1，ρ：密度/gcm3 x：厚度/cm，本題ρPb=，x= 對Mo—Kα，查表得μm=141cm2g1， 其透射因數(shù)：I/I0= eμmρx =e141=e70=10. 試計算含WC＝％，Wcr＝4％，Ww＝18％的高速鋼對MoKα輻射的質(zhì)量吸收系數(shù)。Fe2B屬正方晶系，點陣參數(shù)a=b=,c=。=試求Ag樣品第一衍射峰的d值和Ag的點陣常數(shù)。由于Ag屬于面心立方點陣，根據(jù)面心立方點陣的消光規(guī)律：HKL同奇同偶不消光，可知：其第一衍射峰為（111）衍射。不同（HKL）面的衍射角2θ不同，構(gòu)成不同的衍射圓錐，但各衍射圓錐共頂。結(jié)構(gòu)因數(shù)只與原子的種類以及在單胞中的位置有關(guān)，而不受單胞的形狀和大小的影響。只能將其中同一類的離子（或氯離子，或銫離子）位置看成點陣點，這樣每個點陣點是完全一樣的，才符合點陣定義。入射用CuKα（λKα=根據(jù)晶面間距公式d=a/(H2+K2+L2)1/2；2θ(100)=176。；第一條衍射線的干涉指數(shù) （100）面心F點陣HKL奇偶混雜HK奇偶混雜③若以面間距(d)和衍射強度（I）表征衍射花樣，dI數(shù)據(jù)組就是鑒別物相的基本依據(jù)。，基點的選擇原則是什么？如計算體心立方點陣，選擇（0,0,0）、（1,1,0）、（0,1,0）與（1,0,0）四個原子是否可以？如計算面心立方點陣，選擇（0,0,0）、（1,1,0）、（0,1,0）與（1,0,0）四個原子是否可以?②位置各異：在基點的選擇時應(yīng)選擇不同位置上的特征點，相交于一點的面屬于相異點，平行面屬于同位置點，故面心點一般取3個，頂點取1個，體心點取1個。（3）計算面心立方點陣時，由于面心晶胞含有四個原子，所以基點個數(shù)為四個，根據(jù)位置各異原則，原子坐標(biāo)為（0,0,0）、（1/2,1/2,0）、（1/2,0,1/2）與（0,1/2,1/2），而選擇（0,0,0）、（1,1,0）、（0,1,0）與（1,0,0）四個原子是不可以的，它們是一個簡單立方點陣，且基點位置不是各異的。用一些事情，總會看清一些人。4. 歲月是無情的，
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