電工電子綜合實驗論文-eda非線性電阻電路的研究實驗報告(文件)
【正文】 圖9四、正文，得到數(shù)據(jù)如下:u/V i/mA u/V i/mA IV關系如圖在圖中取（，）（，）兩點求出斜率k=,斜率的誤差E=||/2=%。得到結果：u/V i/mA 此電路并沒有在u=1v時才達到2mA，～，可見二極管是有導通電壓的。2，減小電阻。再對圖9的電路進行仿真，方法和研究圖8電路相同。然后對如圖修正電路進行仿真。所以在實際使用時可根據(jù)考慮的因素（經(jīng)濟條件、所需要的端口參數(shù)等）進行調節(jié)。可見非線性元件的伏安特性曲線可以近似地用若干條直線來表示，但會有一定的誤差，使用時應考慮導通電壓等因素?？梢姷谌齻€拐點不符合要求，所以應對串聯(lián)部分斜率k=。（如圖）仿真得到結果：u/V i/mA u/V i/mA 取點（，）（，）計算出斜率k=, 斜率的相對誤差E=|kk0|/k0=2%。為此對電路進行修正?？梢姸O管并不是完全理想的。那么圖5中u軸上下兩個部分可用并聯(lián)兩個非線性電阻網(wǎng)絡來實現(xiàn)。 圖6 圖7 i(mA)01221圖4的伏安曲線同樣可以分解成圖7所示的兩個凸電阻串聯(lián)。實驗目的為1，實現(xiàn)用二極管、穩(wěn)壓管等元器件設計如圖5所示伏安特性的非線性電阻電路。實際電路為分電路的串聯(lián)。主要參數(shù)為Is和R，改變Is和R的值就可以得到不同參數(shù)的凸電阻。主要參數(shù)是Us和G，改變Us和G的值，就可以得到不同參數(shù)的凹電阻，其中電壓源也可以用穩(wěn)壓管
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