光電子技術(shù)課后答案安毓敏第二版(文件)
【正文】 選擇性，在光子直接與電子相互作用的情況下，其響應(yīng)速度一般比較快。原則上，光熱效應(yīng)對(duì)光波頻率沒有選擇性。 總結(jié)選用光電探測(cè)器的一般原則。正如其它電容器一樣，MOS電容器能夠存儲(chǔ)電荷。勢(shì)阱中能夠容納多少個(gè)電子，取決于勢(shì)阱的“深淺”，即表面勢(shì)的大小，而表面勢(shì)又隨柵電壓變化，柵電壓越大，勢(shì)阱越深。以典型的三相CCD為例說明CCD電荷轉(zhuǎn)移的基本原理。在t1時(shí)刻，φ1高電位，φφ3低電位。t3時(shí)刻，φ2仍為高電位，φ3仍為低電位，而φ1由高到低轉(zhuǎn)變。因此，時(shí)鐘的周期變化，就可使CCD中的電荷包在電極下被轉(zhuǎn)移到輸出端，其工作過程從效果上看類似于數(shù)字電路中的移位寄存器。所謂“浮置擴(kuò)散”是指在P型硅襯底表面用V族雜質(zhì)擴(kuò)散形成小塊的n+區(qū)域，當(dāng)擴(kuò)散區(qū)不被偏置，即處于浮置狀態(tài)工作時(shí)，稱作“浮置擴(kuò)散區(qū)”。復(fù)位正脈沖過去后FD區(qū)與RD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有一定的浮置電位。；在輸出信號(hào)中疊加有復(fù)位期間的高電平脈沖。答：不能。最好的ICCD是將像增強(qiáng)器熒光屏上產(chǎn)生的可見光圖像通過光纖光錐直接耦合到普通CCD芯片上。光從背面射入，遠(yuǎn)離多晶硅，由襯底向上進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，大量的硅被光刻掉，在最上方只保留集成外接電極引線部分很少的多晶硅埋層。電子轟擊型CCD器件采用電子從“光陰極”直接射入CCD基體的成像方法，簡化了光子被多次轉(zhuǎn)換的過程，信噪比大大提高，與ICCD相比，電子轟擊型CCD具有體積小、重量輕、可靠性高、分辨率高及對(duì)比度好的優(yōu)點(diǎn)。答：線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光、線偏振光、橢圓偏振光、圓偏振光、橢圓偏振光、線偏振光 試比較TN－LCD和STN－LCD的特點(diǎn)?！?40186。～8186。隨著電壓增加，到達(dá)C點(diǎn)后，放電變?yōu)樽猿址烹姡瑲怏w被擊穿，電壓迅速下降，變成穩(wěn)定的自持放電（圖中EF段），EF段被稱為正常輝光放電區(qū)，放電在C點(diǎn)開始發(fā)光，不穩(wěn)定的CD段是欠正常的輝光放電區(qū)，C點(diǎn)電壓Vf，稱為擊穿電壓或著火電壓、起輝電壓，EF段對(duì)應(yīng)的電壓VS稱為放電維持電壓。11。答：注入電致發(fā)光是在半導(dǎo)體PN結(jié)加正偏壓時(shí)產(chǎn)生少數(shù)載流子注入，與多數(shù)載流子復(fù)合發(fā)光。 試說明充氣二極管伏安特性中擊穿電壓和放電維持電壓的概念。STNLCD所用的液晶材料是在特定的TN材料中添加少量手征性液晶以增加它的扭曲程度，盒厚較薄，一般57μm。它的電光特性曲線不夠陡峻，由于交叉效應(yīng)，在采用無源矩陣驅(qū)動(dòng)時(shí)，限制了其多路驅(qū)動(dòng)能力。答：精密直列式電子槍；開槽蔭罩和條狀熒光屏；精密環(huán)形偏轉(zhuǎn)線圈。盡管薄型背向照明CCD器件的靈敏度高、噪聲低，但當(dāng)照度低于106lx（靶面照度）時(shí)，只能依賴圖像增強(qiáng)環(huán)節(jié)來提高器件增益，克服CCD噪聲的制約。靈敏度最高的ICCD攝像系統(tǒng)可工作在106lx靶面照度下。 試比較帶像增強(qiáng)器的CCD、薄型背向照明CCD和電子轟擊型CCD器件的特點(diǎn)。 何謂幀時(shí)、幀速？二者之間有什么關(guān)系？答：完成一幀掃描所需的時(shí)間稱為幀時(shí)Tf(s)，單位時(shí)間完成的幀數(shù)稱為幀速（幀／s）：
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