《富勒烯與碳納米管》ppt課件(文件)
【正文】 陷沉積生長 ? 層 層相互作用生長 (liplip interaction) ? 層流生長 (step flow) ? 端部生長 (tip growth) ? 底部生長 (base growth) ? 噴槊生長 (extrusion mode) 端部生長和噴槊生長 ? 噴槊生長模式 認為金屬催化劑才是碳納米管的持續(xù)生長點 ， 碳原子不斷沉積到催化劑顆粒上形成金屬 碳合金 ， 當(dāng)碳原子達到飽和時由顆粒的一端析出形成碳納米管 。溫度降低時開口端封閉停止生長。 嚴格說來，這兩種模式不涉及到本質(zhì)的機理不同，它們都屬于噴槊生長。 CVD生長機理實驗驗證 13C標記的 MWCNT陣列的微區(qū)拉曼譜 (a) 純 12C和純 13CMWCNT陣列的參考拉曼譜 (b)先通 12C再通 13C的乙烯生長的陣列極其微區(qū)拉曼譜 (c)先通 13C再通 12C的乙烯生長的陣列極其微區(qū)拉曼譜 MWCNT的生長機理示意圖 圖中黑色橢圓表示附著在多孔硅襯底（白點區(qū)域）的 Fe催化劑顆粒，陰影部分表示 13C同位素。 氧化鋁膜制備的有序碳納米管陣列 (a) 原位生長； (b) 模板被部分腐蝕 碳納米管的表面修飾 共價功能化 A：端口功能化 B：側(cè)壁功能化 非共價功能化 C： 表面活化劑功能化 D： 聚合物功能化 E： 內(nèi)腔功能化 常見碳管的修飾方式與方法： 構(gòu)筑可見光光源 構(gòu)筑納米晶體管 Tans et al, Roomtemperature transistor based on a single carbon nanotube, Nature 393 (1998) Nano Transistors Tans et al, Roomtemperature transistor based on a single carbon nanotube, Nature 393 (1998) 構(gòu)筑納米場發(fā)射針尖 From IPN CNT group 構(gòu)筑納米反應(yīng)器 ? Figure C2 oxygenate formation activities as a function of time on stream. Reaction temperature: 320 ?C. Fresh RMinCNTs catalyst (a), that after 28 h (b), after 112 h (c) of reaction, Fresh RMoutCNTs catalyst (d) and that after 120 h of reaction (e). Nature Materials, 2022, 6, 507. CO + H2 Carbon Nanotubes Ethanol Rhbased Catalyst 構(gòu)筑納米散熱器 Figure. The enhanced values of thermal conductivity k vs. weight fractions of the CNTs. Adv. Mater. 2022, 17, 1652. 構(gòu)筑燃料電池 ? Construction of a high temperature PEMFC: Bipolar plate as electrode with inmilled gas channel structure, fabricated from
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