《固體物理學(xué)教案》ppt課件(文件)
【正文】 22BBq a q ashk T k T???? ?????一般條件下： 103 1 0am??? 191 . 6 1 0 .q c o u l???231 .3 8 1 0 /Bk J K??? 300TK?51 0 V / m?貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 估算得： 45 . 8 1 0 12 BqakT? ?? ? ? ?d01v e x p32 BBq a Eak T k T?? ? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?20 e x p6 BBaq Ek T k T? ? ? ???? ? ? ?????20 e x p6 BBaq Ek T k T?? ????????—— 離子遷移率 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 離子導(dǎo)電率 ? 離子定向遷移的電流密度 dvj n q n q ? ? ? ?? ? ? ?其中 n為單位體積中正填隙離子數(shù)目． ? 離子導(dǎo)電率： 220 e x p6 BBn q a Enqk T k T??? ??? ? ?????? 填隙離子的擴(kuò)散系數(shù)： 201 e x p6 BEDakT?????????貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 2BnqD k T? ? —— Einstein關(guān)系 離子導(dǎo)電率與溫度的關(guān)系為： 0 e x p QT R T?? ????????2200 6Bnq ak?? ? Q為離子導(dǎo)電激活能 ? ? 0 Ql n T l n RT????Q R tg??1/T ln(?T) ln?0 ? —— Arrhenius關(guān)系 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 固體電解質(zhì)或快離子導(dǎo)體： 具有較高離子導(dǎo)電性的材 料，固體電解質(zhì)的定義范圍要寬一些．快離子導(dǎo)體一 般是指在較低溫度下（ 300 186。C 時(shí) ?＝ (?cm)1 ? 固體電解質(zhì)：如 YSZ (yttria stabilized zirconia) 在 1000 186。C 時(shí) ? ?1 (?cm)1 Na－ ?－ Al2O3 在 300 186。 ? 圖中是簡單立方結(jié)構(gòu)晶體 中界面為（ 100）面的傾斜 晶界，相當(dāng)于一系列平行 的、伯氏矢量在 [100]方向 上的刃型位錯(cuò)線。這些小晶粒本身可以近似看作單晶，且在多晶體內(nèi)做雜亂排列。 則稱發(fā)生層錯(cuò)。 ? 晶體表面位錯(cuò)露頭處最容易被腐蝕，選用適當(dāng)?shù)母g液，可觀察到形成錐形的腐蝕坑． ? 螺型位錯(cuò)在晶體表面形成 一生長臺階，新凝結(jié)的原子 最容易沿臺階集結(jié)，所以晶 體生長中容易沿著螺旋面生長出新的一層，而且依次排序不會把臺階消滅． 返回 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 面缺陷 ? 堆垛層錯(cuò) ? 孿晶界面 ? 晶粒間界 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 堆垛層錯(cuò) ? 密堆積結(jié)構(gòu)晶體中的某個(gè)原子層發(fā)生堆積錯(cuò)誤，稱為堆垛層錯(cuò)（ stacking fault），如立方密積的fcc晶體中的正常堆積次序： 返回 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 線缺陷 位錯(cuò) ? 位錯(cuò)的描述 , 柏格斯回路 ? 刃型位錯(cuò) ? 螺型位錯(cuò) ? 螺型位錯(cuò)與晶體生長 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 Burgers回路 參考回路 ? 位錯(cuò)的描述 , 柏格斯回路 ? 位錯(cuò)的定義： Burgers矢量不為零（ b?0）的線缺陷． ? Burgers矢量集中反映了位錯(cuò)的特征，并可將位錯(cuò)和 其他線缺陷有效地區(qū)分開來． 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 E F ? 刃位錯(cuò)： b垂直于位錯(cuò)線 ? 刃位錯(cuò)的特點(diǎn)： ? 柏格斯矢量 b垂直于位錯(cuò)線． ? 有多余的半截原子面． ? 有固定的滑移面． ? ? b 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 螺位錯(cuò)： b平行于位錯(cuò)線． A B ? 螺位錯(cuò)的特點(diǎn)： ? 柏格斯矢量 b平行于位錯(cuò)線． ? 整個(gè)晶體形成一螺旋卷面． ? 凡是包含位錯(cuò)線的平面均 是其滑移面． 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 位錯(cuò)與晶體的
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