《電子技術(shù)》ppt課件(文件)
【正文】 、光敏三極管等 )。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。 所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能影響很大。 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) N型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體 摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為電子半導(dǎo)體或 N型半導(dǎo)體。 摻入三價(jià)元素 Si Si Si Si 在 P 型半導(dǎo)體中 空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。 3. 當(dāng)溫度升高時(shí)，少子的數(shù)量 （ a. 減少、 b. 不變、 c. 增多）。 空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié) 擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 IR P接負(fù)、 N接正 溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。 結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。 反向擊穿 電壓 U(BR) 導(dǎo)通壓降 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。 2. 反向工作峰值電壓 URWM 是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓 UBR的一半或三分之二。硅管的反向電流較小 ，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。 4. 二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。 在這里，二極管起鉗位作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) ui 8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二極管截止，可看作開(kāi)路 uo = ui 已知： 二極管是理想的，試畫出 uo 波形。 (2) 電壓溫度系數(shù) ?ｕ 環(huán)境溫度每變化 1?C引起 穩(wěn)壓值變化的 百分?jǐn)?shù) 。 實(shí)質(zhì) :用一個(gè)微小電流的變化去控制一個(gè)較大電流的變化，是 CCCS器件 。 從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成 ICE。 正常工作時(shí)發(fā)射結(jié)電壓： NPN型硅管 UBE ? ~ PNP型鍺管 UBE ? ? ~ ? IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V O 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 2. 輸出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 常數(shù)?? B)( CEC IUfI3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大區(qū) 輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)： (1) 放大區(qū) 在放大區(qū)有 IC=? IB ，也 稱為線性區(qū)，具有恒流特性。 飽和區(qū) 截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) 當(dāng) UCE? UBE時(shí) ， 晶體管工作于飽和狀態(tài)。 注意： 和 ? 的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且 ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。 ?IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 點(diǎn)，有 由 Q1 和 Q2點(diǎn)，得 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 基極反向截止電流 ICBO ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，受溫度的影響大。 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 4. 集電極最大允許電流 ICM 5. 集 射極反向擊穿電壓 U(BR)CEO 集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值的下降，當(dāng) ?值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為 ICM。 PC ? PCM =IC UCE 硅 管允許結(jié)溫約為 150?C， 鍺 管約為 70?90?C。 溫度每升高 1?C， ? 增加 %~%。硅管優(yōu) 于鍺管。手冊(cè)上給出的數(shù)值是 25?C、基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓 U(BR) CEO。 溫度 ??ICEO?， 所以 IC也相應(yīng)增加。 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 例：在 UCE= 6 V時(shí)， 在 Q1 點(diǎn) IB=40?A, IC=； 在 Q2 點(diǎn) IB=60 ?A, IC=。 深度飽和時(shí)， 硅管 UCES ? ， 鍺管 UCES ? 。 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3
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