【正文】 常溫25℃時的Ices/IR測試，和“”中常溫25℃時的絕緣耐壓測試，以及“”中的測試項目，并記錄測試過程中的最大漏電流值及相關數據。l 室溫環(huán)境下：晶體管電特性項目測試結果符合規(guī)格書標準。2℃）環(huán)境下，將待測的IGBT安裝在相應機型上，放入可程式快速溫變濕熱箱中，要求變頻器風扇處于運轉狀態(tài)。5℃以內，或符合軟件設計。為了盡量減小波形失真，必須使用隔離電源給示波器供電，并使用如圖34所示的兩種方法連接示波器探頭。測試過程中需要注意以下事項：l 焊接的IGBT須按照如圖所示的方法連接示波器探頭，插接的IGBT若不采用帶短地線的探頭帽方式放置探棒，可用標準探頭，但需將地線纏繞在探棒上，盡量使探頭主信號線與地線構成的回路面積最小。l 抓取波形時，示波器橫軸時間軸設為1μS/div(推薦), 縱軸幅值軸設為5V/div(推薦)。如圖5所示：合格：，小于+20V限值。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上測量IGBT開通、關斷時間測試可以在IGBT驅動波形測試的過程中進行，記錄波形的Rise time與Fall time，即為IGBT開通與關斷時間。即一個通道用普通探頭測量，另一個通道用高壓差分探頭測量，并且注意把有源差分探頭的電源隔離或將差分探頭的電源適配器的地線端去掉，否則可能會燒壞差分探頭。圖7 IGBT開通波形上升時間l ≤關斷時間≤。測量變頻器在正常運行時載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下的IGBT開通、關斷驅動電壓幅值，并記錄測量值。l ≤ Top ≤ V 、12V≤ Base ≤0V或符合設計參數。測試變頻器在正常運行時，載頻為缺省載頻，負載分別為電機空載、滿載、限流狀態(tài)下IGBT上下橋死區(qū)時間，并記錄測量值。l 抓取波形時，示波器橫軸時間軸設為500nS/div, 縱軸幅值軸設為10V/div。l 高壓變頻器上下橋死區(qū)時間≥ μS或符合設計參數為合格。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上，選擇V/F模塊，進行突變載測試，測試在變頻器缺省參數時進行。測試過程要注意以下事項：l 測試前要保證變頻器輸出三相平衡，且變頻器檢測到的電流符合標準。這種狀況下，只需測試“變頻器恒速時過載”即可。注：非并聯使用模塊的機型不需測試此項。l 均流測試要求被測電路對稱，在電路不對稱情況下，測試數據只能做參考使用。驗證IGBT模塊在輸出短路情況下，模塊是否可以承受廠商宣稱的電流應力以及是否可以及時保護。短路測試中，測量流過短路電流的上橋和下橋IGBT集射極電壓（Vce），并記錄最大峰值，計算△U=Vce峰值 實驗中的變頻器的母線電壓值。在主動工作區(qū)時短路Vce滿足： Vce(上橋)+Vce(下橋)=VPN(母線)在上式關系下，如果IGBT晶元本身性能及IGBT封裝工藝相差不大的情況下，在理論上可等效為：Vce(上橋)=Vce(下橋)=1/2VPN(母線)。每次短路測試至少進行5次，測量并記錄短路電流的最大值以及短路電流上升時間等。建議測試設備電源隔離處理。式中U= 變頻器的額定母線電壓；△U= Vce峰值實驗中的變頻器母線電壓值；Vces= IGBT數據表給出的參數。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上測量IGBT模塊在滿載工況下的溫升。溫升測試需要同時滿足以下條件方為合格l IGBT模塊所有測試點溫升值≤40℃，且IGBT計算結溫小于廠商規(guī)格。在默認載頻， 150%周期性過載 (根據變頻器過載能力選擇)情況下，溫度穩(wěn)定后，測量模塊基板邊緣的最大溫升 (近似為IGBT或二極管底部殼溫升)。l 計算IGBT、續(xù)流二極管的結溫、和、：(：最高環(huán)境溫度)計算出的結溫滿足以下條件方為合格l 、＜70%最高允許結溫。為確保測試報告一致性及規(guī)范性，IGBT測試報告應按照規(guī)定格式生成。因替代測試時存在這樣的問題：在現有機型上是否可應用？可應用的情況下，存在是局部替代還是完全替代(替代時需要調整系統(tǒng)參數且原模塊不能兼容的屬于局部替代；完全不用改動或改動后原模塊也可兼容的屬于完全替代) ？另外需注明，在哪些機型上屬于局部替代？哪些機型上屬于完全替代？完全不能替代的情況為應用產品測試不合格。能否替代的測試結論得出時，需分別說明：器件測試是否合格(符合規(guī)格書標準即合格)。8. 數據記錄及報告格式測試過程中每個測試點要依據測試數據記錄表格指定格式填寫，記錄完畢后應由測試人員歸檔保存作為測試數據原始記錄，以便后期確認原始測試結果及產品失效分析的依據。如圖21所示：圖22 信號發(fā)生器輸入脈沖波形圖22為待測變頻器周期性過載時的輸出電流波形：圖23 過載電流波形對于15KW以上的變頻器用勵磁電機或電感，按下述方法進行過載時的溫升測試：l 在默認載頻，帶額定負載，溫度穩(wěn)定后，測量模塊基板邊緣的溫升；l 在上述基礎上，變頻器不停機：若帶勵磁電機，緩慢調節(jié)勵磁電流，使輸出電流在120%變頻器額定電流，持續(xù)10mins；然后再增大勵磁電流（調節(jié)時間在25S內，防止變頻器跳OC），使輸出電流在150%變頻器額定電流，持續(xù)30S，記錄此時模塊基板邊緣的最大溫升；（備注：整個過程中不能出現停機）l 在第一步基礎上，若帶電感，采用VF控制方式，調節(jié)電機額定電壓和電機額定頻率，使輸出電流在120%變頻器額定電流，持續(xù)10mins；然后急停機，調節(jié)電機額定電壓或電機額定頻率（時間盡可能短）使輸出電流在150%變頻器額定電流，記錄此時模塊基板邊緣的最大溫升；l 計算IGBT的損耗：：IGBT損耗：導通損耗：開關損耗、： IGBT輸出特性曲線，近似為一條直線，是橫坐標交點，是直線斜率：輸出電流峰值：調制比(輸出電壓峰值除以母線電壓，兩象限變頻器近似為1)：輸出功率因數：開關頻率：規(guī)格書中注明IGBT在特定測試條件下，IGBT每次開通的損耗：規(guī)格書中注明IGBT在特定測試條件下，IGBT每次關斷的損耗：規(guī)格書中注明的特定測試條件，電流值： 變頻器的母線電壓：規(guī)格書中注明的特定條件，電壓。 IGBT晶元結溫測試 檢驗模塊內部IGBT、續(xù)流二極管結溫在額定負載以及過載的條件下是否滿足降額要求。圖18單橋臂整流模塊測試點布置圖19 PIM模塊測試點布置圖20 單橋臂IGBT模塊測試點布置圖21 溫度檢測點的測試點布置分別按照G/P型變頻器默認載頻滿載運行，在測試過程中要維持電流滿載，風道水平，保證機器風扇都正常工作及風道暢通。l 短路測試Vge電壓須符合：20V≤Vge≤+20V注：短路電流上升時間是指從短路電流開始上升到IGBT開始保護關斷的時間，具體示例如圖17所示：圖17 IGBT短路時間示例檢驗模塊內部集成溫度檢查電路設計是否合理，驗證模塊在滿載下是否滿足熱應力降額要求。式中K為常數，可根據模塊規(guī)格書中Isc測試條件(Vge、Vth取最大值)計算得出；Vge為實測短路門極驅動電壓Max值；Vth為實測IGBT晶元閾值電壓Max值。l 測量短路電流上升時間時，IGBT保護關斷是以短路電流下降為依據的，但應注意區(qū)分模塊短路自限流功能造成的短路電流下降、IGBT保護關斷造成的短路電流下降及IGBT在保護關斷之前恰碰到窄脈沖關斷造成的短路電流下降。圖中：黃色電流，綠色粉色Vce電壓，紫色故障信號圖15 IGBT進入主動區(qū)的短路Vce波形不合格：IGBT進入主動工作區(qū)后，上下橋的Vce電壓相差＞400V。短路Vce波形如圖1213：(黃色短路電流，紫色綠色短路Vce電壓，粉色故障信號)圖12 短路Vce波形圖13 短路Vce波形短路測試中，測量流過短路電流的IGBT(上橋或下橋)門極驅動電壓波形，并記錄最大值，注意觀察因短路導致門極驅動電壓抬升的幅度，如圖14所示：短路門極驅動電壓波形：(黃色短路電流，綠色短路Vce，紫色短路門極驅動電壓)相間短路時，門極驅動電壓被明顯抬升，抬升幅度3V左右, Vge(max) +20V。2℃）環(huán)境下，將IGBT模塊裝配在相應功率等級的變頻器上。l 同相并聯模塊，每個模塊輸出電流均方根值差值≤177。2℃）環(huán)境下，按照模塊適配機型的最大功率且默認載頻運行，分別在負載電機或電感空載、滿載、限流的工況下，同時測量同相每個并聯模塊的輸出電流有效值(均方根值)，及輸出總電流，每個均流測試不低于5次，并記錄測試數據及均流波形，如圖1011。l 測試過程，變頻器不誤報除過載以外的故障(如：OUT、OC)。l 測試時注意查看電流變化，如果振蕩嚴重應立即切斷變頻器電源，防止炸機。測試包括，在變頻器恒速時，直接加載至限流水平，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障；在變頻器加速過程中，直接加載至限流水平，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障；在變頻器減速過程中，直接加載至限流水平，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障；在電機空載且轉速超過1000rpm時，使用直接啟動方式啟動變頻器，維持這種狀態(tài)至變頻器跳過載故障或繼續(xù)加速運行。注：無限流功能的機型不需測試此項。l 660V電壓等級變頻器的上下橋死區(qū)時間≥ μS或符合設計參數為合格。