某手機(jī)殼研發(fā)工藝總結(jié)報(bào)告(文件)
【正文】 盤(pán)公轉(zhuǎn) 公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)示意圖 Page 6 精拋 一，精拋工藝通過(guò)前期的實(shí)驗(yàn)已經(jīng)正常，主要確定使用耗材為120納米的二氧化硅和黑底聚氨酯精拋皮 SH14G。 ☆ 改善措施： ◆ 必須保證加工時(shí)工件有自轉(zhuǎn)和磨盤(pán)公轉(zhuǎn)模式下生產(chǎn)和引入定期利用金鋼石修整盤(pán)形工藝。 ◆ 因外徑周長(zhǎng)，內(nèi)徑周長(zhǎng)短，但他們所行駛的轉(zhuǎn)速一樣，因此內(nèi)徑走一圈和外徑走一圈的周長(zhǎng)相差很大，因此工件的兩頭會(huì)磨削比較多，而工件中間部位本身就處在磨盤(pán)凹下去的部位磨削，因此在粗磨后造成工件兩邊磨削多，中間磨削少的狀態(tài)，這時(shí)工件呈現(xiàn)中間凸兩邊凹狀態(tài)，當(dāng)工件再過(guò)銅拋時(shí)兩邊很難磨削到，因此必須加長(zhǎng)銅拋
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