【正文】 1 2 3 A O P B b a F G J SA(B)+ SB(A) SA(B) SA(B)+L SB(A) L+ SB(A) T 點(diǎn) G :低共熔點(diǎn) f=0 L?SA(B)+ SB(A) 點(diǎn) J ：轉(zhuǎn)熔點(diǎn)， f=0 L+SA(B) ? SB(A) 2條液相線 2條固相線 2條溶解度曲線 2個(gè)最大固溶度點(diǎn)，無變量點(diǎn) A O P B b a SA(B)+ SB(A) SA(B) SA(B)+L L+ SB(A) T 3 J[F , 開始回吸 SA(B)＋ (SB(A))] F J SA(B) L + SA(B)? SB(A) p=3 f=0 SB(A) SB(A) p=1 f=2 [X ， SA(B)+ SB(A)] SB(A) H X L p=1 f=2 熔體 3 J[G， SB(A)] G D [C , (SA(B))] C D L ?SA(B) p=2 f=1 L ?SB(A) p=2 f=1 E F F(L消失 )[E ， SB(A)] L＋ SB(A) SB(A) SA(B) + SB(A) 剛離開 J時(shí)組成 SA(B)先消失 L＋ SA(B)同時(shí)消失 L先消失 J點(diǎn) : L＋ SA(B) ? SB(A) 3 1 2 組成點(diǎn) 1 2 3 A O P B b a F G J SA(B)+ SB(A) SA(B) SA(B)+L SB(A) L+ SB(A) T 小結(jié)： ? 在分析二元系統(tǒng)相圖時(shí)，重點(diǎn)在于正確的區(qū)分特殊的點(diǎn)、線和區(qū)，把握它們的意義。包括：低共熔線、轉(zhuǎn)熔線、化合物分解或液相分解線以及多晶轉(zhuǎn)變線。 因此， CaO— SiO2系統(tǒng)可以劃分成 : SiO2— CS、 CS— C2S、 C2S— CaO 三個(gè)分二元系統(tǒng)。 注意 ：鎂質(zhì)磚 (T共 ＝ 1850℃ )與硅質(zhì)磚 (T共 ＝ 1436℃ ) 不能混用，否則共熔點(diǎn)下降。 缺點(diǎn) ：由于本質(zhì)上是一種動(dòng)態(tài)法，不象淬冷法那樣更符合相平衡 的熱力學(xué)要求，所測(cè)得相變溫度僅是一個(gè) 近似值 只能測(cè)定相變溫度，不能確定相變前后的物相，要確定物相仍需其它方法配合。 適用對(duì)象 ：適用于相變速度慢的系統(tǒng)，如果快則在淬冷時(shí)發(fā)生相變。 淬冷法 最大優(yōu)點(diǎn)： 準(zhǔn)確度高。 做法： (1) 將樣品加熱成液態(tài)； (2) 令其緩慢而均勻地冷卻，記錄冷卻過程中系統(tǒng)在不同時(shí) 刻的溫度數(shù)據(jù)； (3) 以溫度為縱坐標(biāo)，時(shí)間為橫坐標(biāo)，繪制成溫度－時(shí)間曲線， 即步冷曲線 (冷卻曲線 )； (4) 由若干條組成不同的系統(tǒng)的冷卻曲線就可以繪制出相圖。 Al2O3SiO2系統(tǒng)相圖 要求 ： (1)會(huì)劃分分二元系統(tǒng)； (2)無變量點(diǎn)的性質(zhì)及相間平衡； (3)在 SiO2A3S2分系統(tǒng)中， 莫來石質(zhì) (Al2O372% )及剛玉質(zhì)耐火磚(Al2O390% )都是性能優(yōu)良的耐火材料。 四、專業(yè)相圖： CaOSiO2系統(tǒng)相圖 要求： (1)會(huì)劃分分二元系統(tǒng)； (2)無變量點(diǎn)的性質(zhì)，相間平衡； (3)具體分析 SiO2CS分系統(tǒng)； (4) C2SCaO分系統(tǒng) (5) 會(huì)應(yīng)用相圖指導(dǎo)實(shí)際生產(chǎn)。主要包括低共熔點(diǎn)、轉(zhuǎn)熔點(diǎn)。如圖所示。 ? 在連續(xù)固溶體相圖中還有兩種特殊情況即具有最高熔點(diǎn)和最低熔點(diǎn)的系統(tǒng)。 形成連續(xù)固溶體的二元系統(tǒng)相圖 ? 溶質(zhì)和溶劑能以任一比例互相溶解的固溶體稱連續(xù)固溶體。但在某些實(shí)際系統(tǒng)中，兩個(gè)組分在液態(tài)并不完全互溶，只能有限互溶。 2．具有一個(gè)同成分熔融化合物的二元系統(tǒng)相圖 E1 E2 A AmBn B M′ L＋ A L A ＋AmBn B+AmBn B+L L+ AmBn L +AmBn a b M AmBnM線將此相區(qū)分成兩個(gè)簡(jiǎn)單的分二元系統(tǒng)。 具有多晶轉(zhuǎn)變的二元系統(tǒng)相圖 A、在低共熔點(diǎn)下發(fā)生 TE TP B％ A B A?＋ B A?＋ B A?＋ L B＋ L E T a b B、在低共熔點(diǎn)以上發(fā)生 a C P E A?+L A?+L A?+B B+L L A B B% 特殊點(diǎn) E：低共熔點(diǎn) ， f ＝ 0，是析晶終點(diǎn)， L ?A?＋ B ； P：晶型轉(zhuǎn)變點(diǎn)， f＝ 0，不是析晶終點(diǎn)， L＋ A??L＋ A? 1 B％ A B A?＋ B A?＋ B A?＋ L B＋ L E T a TE TP P F/ F D D/ C C/ 1/ b 析晶路程： L p=1 f=2 熔體 1 C [C/ , (B)] L ?B p=2 f=1 E[D/, B＋ (A?)] A?+B p=2 f=1 [F， A?＋ B] E(液相消失 )[D , B＋ A? ] A? +B p=2 f=1 L ?A+B p=3 f=0 [1/ ， A?＋ B] L→A+B A?→A ? 2 3 a E A?+L A?+L A?+B B+L L A B B% D L ? A? p=2 f=1 F [F/ , (A?)] F/ F C P P[C , (A?＋ A?)] E [D/ ， A?+B] D/ L p=1 f=2 熔體 2 P[C , A? ] L+A ? ? A? +L p=3 f=0 A ? ? A? E(L消失 )[G ， A?＋ B] G L ? A? +B p=3 f=0 A ? +B←L L ?A ? p=2 f=1 三、二元相圖基本類型 二元相圖的 八種類型 ： 具有低共熔點(diǎn)的二元系統(tǒng)； 生成一致熔融化合物的二元系統(tǒng)； 生成不一致熔融化合物的二元系統(tǒng)； 固相中有化合物形成或分解的系統(tǒng)； 具有多晶轉(zhuǎn)變的系統(tǒng)； 具有液相分層的系統(tǒng)； 形成連續(xù)固溶體的系統(tǒng)； 形成不連續(xù)固溶體的系統(tǒng)。 化合物在低溫形成高溫分解 L+A L+B A+B A C