太陽(yáng)能電池基本參數(shù)的影響因素分析(文件)
【正文】 生，這些電流對(duì)測(cè)試所得的暗電流的值是有貢獻(xiàn)的，由薄層貢獻(xiàn)的部分稱(chēng)之為薄層漏電流，由體區(qū)貢獻(xiàn)的部分稱(chēng)之為體漏電流。 η ?根據(jù) η =ImVm/P=FFIscVoc/P(P為太陽(yáng)輻射功率 )，可得： 填充系數(shù)越大，即轉(zhuǎn)換效率越大。 ? 并聯(lián)電阻 Rsh 一般為幾千 歐姆， 主要是電池邊緣漏電、電池表 面污濁或耗盡區(qū)內(nèi)的復(fù)合電流引起的，這幾種電流構(gòu) 成了漏電流。但是，隨著沉積時(shí)間繼 續(xù)增長(zhǎng)，由于沒(méi)有摻硼，摻碳的緩沖層電阻升高，較 厚的緩沖層雖然解決了晶格失配的問(wèn)題，但是高阻層 成為主要矛盾，所以隨著摻碳緩沖層厚度的繼續(xù)增 加，填充因子下降，電池性能變差。 ?主要考量的是薄層電阻，即方塊電阻，它是太陽(yáng)能電池串聯(lián)電阻的一個(gè)組成部分。 ?從該圖可以看出，在襯底溫度達(dá)到某個(gè)值時(shí)，電阻值最小，透過(guò)率也較大?？墒窃黾幽ず窬蜁?huì)增加成本，并且當(dāng)膜厚增大到一定值后，它的電阻就不會(huì)降低的很多，這一點(diǎn)由 Ag材料本身的性能決定。 ?P4：如果切割不完全，則增加漏電流，減少 并聯(lián)電阻，導(dǎo)致 Ioc減少，效率降低；如 果切割深度過(guò)深，導(dǎo)致玻璃漏在表面， 應(yīng)該對(duì)效率無(wú)影響。 ?劃線(xiàn)深度 ? P1：如果太淺，就代表有 TCO殘留在 glass 上，電流就會(huì)直接從 TCO薄膜流過(guò)，將 電池短路，這樣就將少了串聯(lián)電池的個(gè)
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