能源材料ⅱⅵ族多晶薄膜太陽電池材料(文件)
【正文】 p型，具有中等的電阻率；或薄膜為 n型，具有高的電阻率。 CdTe/CdS太陽能電池的 工作原理 ： CdTe和 CdS能形成電性能優(yōu)良的異質(zhì)結(jié)。 CuInSe2(簡(jiǎn)稱 CIS）太陽電池 CIS的結(jié)構(gòu)為 ：光 /金屬柵狀電極 /減反射膜 /窗口層（ ZnO） /過渡層（ CdS） /光吸收層（ CIS）/金屬背電極（ Mo） /襯底（玻璃）。 ? n層由低阻的 n型 CdS形成，具有較低的體電阻，與上電極的接觸電阻也較小。 四、薄膜材料及太陽電池的制備工藝 CdS/CdTe太陽電池的制備方法 主要是 CSS法 。 處理結(jié)果：增加了 CdTe的原子遷移率，促進(jìn) CdTe和 CdS膜的晶粒生長(zhǎng)，并且使晶界鈍化。 背接觸電極的最佳制作工藝 ： （ 1）腐蝕產(chǎn)生一富 Te表面，形成高摻雜或簡(jiǎn)并p+內(nèi)表面層； （ 2） p型摻雜劑進(jìn)入接觸電極材料； （ 3）熱處理加速接觸電極材料的反應(yīng)和擴(kuò)散。 2）熱處理對(duì)薄膜光學(xué)和電學(xué)特性的影響 適當(dāng)?shù)臒崽幚砜筛纳票∧さ慕Y(jié)晶度和組分的均 勻性，減少膜中的缺陷。由于在真空中薄膜的 Se極易蒸發(fā)，使 Se的含量嚴(yán)重不足，導(dǎo)致薄膜偏離化學(xué)計(jì)量比。因有少量 Se蒸發(fā)而產(chǎn)生呈現(xiàn)施主的 Se空位； ? 在氧氣或空氣中 ，可使薄膜的 p型導(dǎo)電性增加，電阻率下降。但較易獲得接近化學(xué)計(jì)量比的薄膜。 用 CdCl2對(duì) CdTe薄膜進(jìn)行熱處理，有下列作用： （ 1）阻止 Te元素氧化； （ 2）退火后， CdTe/CdS器件成分分布更均勻； （ 3） CdTe退火時(shí) CdCl2充當(dāng)溶劑，促進(jìn)晶粒生長(zhǎng)。 CdS/CdTe太陽電池制備中的主要影響因素 1） CdCl2處理（處理 CdTe層） 目的 ：改善電池的性能，提高器件的輸出特性和均勻性。 3）（ ZnCd） S/CuInSe2太陽電池 以 ZnxCd1xS代替 CdS制成 ZnxCd1xS/CuInSe2太陽
黨政相關(guān)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1