【摘要】----山西晉能集團(tuán)朔州能源鋁硅合金有限公司鋁硅職責(zé)匯編編制:綜合管理部審核:批準(zhǔn):20xx年3月10日發(fā)布----
2025-07-13 16:01
【摘要】保密聲明與保密承諾茲有提供給 作投、融資項(xiàng)目評估之用的《中國財(cái)稅電子化綜合服務(wù)系統(tǒng)商業(yè)計(jì)劃書》(下稱“計(jì)劃書”)壹份。本計(jì)劃書提供者北京神舟競天科技有限公司謹(jǐn)作如下聲明:本計(jì)劃書分為前言、正文和附件叁個(gè)部分;其中正文分為《項(xiàng)目簡介》、《產(chǎn)品及服務(wù)》、《市場分析》、《營銷策略》、《發(fā)展戰(zhàn)略》、《財(cái)務(wù)計(jì)劃》、《風(fēng)險(xiǎn)控制》、《實(shí)施計(jì)
2025-08-03 07:12
【摘要】1SemiconductormaterialsLecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛民劉維峰2半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)(四)1噴霧熱解成膜技術(shù)?2CVD成膜技術(shù)?低壓CVD、常壓CVD、離子增強(qiáng)型CVD、MOCVD?3擴(kuò)散及陽極氧化技術(shù)
2025-03-22 02:27
【摘要】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-06-29 04:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【摘要】半導(dǎo)體直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)和測試計(jì)劃書(一)設(shè)計(jì)目的1、學(xué)習(xí)直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)方法;2、研究直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)方案;3、掌握直流穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓系數(shù)和內(nèi)阻測試方法;(二)設(shè)計(jì)要求和技術(shù)指標(biāo)1、技術(shù)指標(biāo):要求電源輸出電壓為±12V(或±9V/±5V)等,輸入電壓為交流220V,最大輸出電流為Iomax=500mA,紋波電壓△VOP-P≤5
2025-08-03 01:30
【摘要】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-03-01 04:27
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點(diǎn):是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點(diǎn),耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng),造價(jià)便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點(diǎn):①
2025-05-01 06:14
【摘要】半導(dǎo)體光電子學(xué)的新進(jìn)展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室清華大學(xué)電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【摘要】第九章半導(dǎo)體光電子材料n電子器件和光電子器件應(yīng)用是半導(dǎo)體材料最重要的兩大應(yīng)用領(lǐng)域n半導(dǎo)體材料Si,GaAs和GaN,InP等既是重要的電子材料,也是重要的光電子材料半導(dǎo)體激光材料n1962年,GaAs激光二極管的問世,作為半導(dǎo)體光電子學(xué)的開端。n激光的激射波長取決于材料的帶隙,且只有具有直接帶隙的材料才能產(chǎn)生光輻射,它使注入的電
2025-01-05 09:59
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個(gè)PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點(diǎn)三重?cái)U(kuò)散;叉指型基極和發(fā)射極;特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾u(yù)m—幾十um)N-摻雜
【摘要】半導(dǎo)體的光學(xué)特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導(dǎo)體光電子器件工作的本質(zhì)就是?光子與半導(dǎo)體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關(guān)鍵。?光子與半導(dǎo)體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下,電子從一個(gè)狀態(tài)進(jìn)入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表
2025-01-14 10:03
【摘要】年產(chǎn)8億米高密度集成電路封裝材料鋁硅鍵合線項(xiàng)目資金申請報(bào)告年產(chǎn)8億米高密度集成電路封裝材料鋁硅鍵合線項(xiàng)目資金申請報(bào)告目錄第一章總論.........................................2第一節(jié)概述............................................
2025-06-27 17:07
【摘要】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用 能源、材料與信息被認(rèn)為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進(jìn)展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個(gè)方面的發(fā)展,一個(gè)又一個(gè)劃時(shí)代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41