【正文】 取的線規(guī)為 1 (16) 槽滿率 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 6 槽有效面積： 6 6 2e s i ( 8 .6 8 2 5 8 .4 8 0 9 ) 1 0 7 .8 3 4 4 1 0 m mA A A = = ? ? 其中，槽面積 sA 和槽絕緣面積 iA 計(jì)算詳見附錄 B。 (18) 每相有效串聯(lián)導(dǎo)體數(shù) Φ 1 dp 1 480 477NK =? 磁路計(jì) 算 (1) 計(jì)算滿載電勢 初設(shè) EL(1 ) eⅱ = =，則 1 L N(1 ) 0 .9 2 3 8 0 = 3 4 9 .6 VEU f162。 (4) 定子齒磁密 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 7 i 1 S 6t1 0 .0 0 7 01 .4 9 1 .4 6 4 6 T7 1 0 0 1 0FBF A = ? ? 180。 (8) 空氣隙磁密 S 60 .0 0 7 01 .4 9 0 .6 3 6 6 T1 6 3 0 1 0FBF Ad d= ? ? 180。 (10) 有效空氣隙長度 3e f 1 2 1. 26 90 0. 54 31 5 1 0. 67 78 2 10 mKKdd dd== 創(chuàng) =? 其中，定、轉(zhuǎn)子卡氏系數(shù) 1K? 、 K?? 計(jì)算詳見附錄 B。=? 創(chuàng) ? (12) 定、轉(zhuǎn)子軛部磁壓降 定子軛部磁壓降： 23f 1 f 1 f 1 f 1 0. 52 10 14 .6 8 10 11 7. 3 10 89 .7 27 3 AF C H L 162。 、 t22L162。故可以繼續(xù)計(jì)算，否則必須返回重新計(jì)算直至誤差小于 1%。 其中，查文獻(xiàn) [5]中圖 得定子諧波比漏磁導(dǎo) =229。 其中，轉(zhuǎn)子槽比漏磁導(dǎo) s2? 的計(jì)算詳見附錄 B。 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 10 (7) 轉(zhuǎn)子繞組端部漏抗標(biāo)幺值 * RE 2 Xef0 . 7 5 7 0 . 7 5 7 0 . 1 4 2 0 . 0 6 0 4 0 . 0 1 0 92 0 . 1 9 7 2DXClp=? 創(chuàng) = (8) 轉(zhuǎn)子斜槽漏抗標(biāo)幺值 2 2**sks k 220 . 0 2 1 20 . 5 0 . 5 0 . 0 1 6 0 0 . 0 0 4 80 . 0 2 0 7bXX t d驏 驏琪 琪== 創(chuàng) =琪琪 桫桫 其中，斜槽度 SKb 計(jì)算詳見附錄 B。 定子銅的重量： c s 1 1 c1 t 1 Cu 5 49 26 36 387 10 4 10CuG Cl N Z A N r162。 (15) 定子有功電流分量標(biāo)幺值 *1P 11 h= = =162。故可繼 續(xù)計(jì)算，否則需要重新假設(shè)初值，直到誤差小于 %。=? 創(chuàng) ? (26) 空載轉(zhuǎn)子齒部磁壓降 23t21 0 t21 0 t21 8 10 20 10 31 .36 AF H L 162。== 創(chuàng)創(chuàng) = (28) 空載氣隙磁壓降 630 0 . 8 1 0 0 . 6 4 8 6 1 . 1 6 2 1 0 3 6 2 . 4 2 4 6 AKBF dm d d 0d0 == 創(chuàng)創(chuàng) = (29) 空載總磁壓降 0 0 t1 0 t2 1 0 t2 2 0 j1 0 j2 06 0 2 .8 0 5 5 .9 6 8 .5 6 5 4 .4 4 1 9 2 .5 4 5 2 .8 05 6 3 .7 4 1 6 AF F F F F F Fd0= + + + + += + + + + += (30) 空載磁化電流 00m01 d p 12 2 9 6 7 . 0 9 1 . 8 1 8 7 A0 . 9 0 . 9 3 7 8 0 . 8 6 6pFI m N K 180。 (5) 轉(zhuǎn)子電流密度 導(dǎo)條電密： 22BB5 1 9 . 4 1 4 . 2 2 2 A /m m1 3 8 . 9 2IJ A= = = 端環(huán)電密： 2RRR2 3 1 4 .6 2 .7 6 7 5 A /m m1100IJ A= = = (6) 定子銅耗 * * 2 * 2Cu1 1 1 1. 35 08 0. 03 41 0. 06 23P I R= = ? *3Cu1 Cu1 N 0 .0 2 2 4 3 7 1 0 2 4 9 .0 5 5 3 WP P P== 創(chuàng) = (7) 轉(zhuǎn)子鋁耗 * * 2 * 2A l 2 2 2 1. 10 49 0. 01 76 0. 04 20P I R= = ? *3A l 2 A l 2 N 0 .0 2 1 5 3 7 1 0 1 6 8 .0 9 6 5 WP P P== 創(chuàng) = (8) 雜散損耗 雜散損耗的大小與設(shè)計(jì)參數(shù)和工藝情況有關(guān)，目前尚難以準(zhǔn)確計(jì)算，故以推薦值為主。 (11) 總鐵耗 F e 1 F e t 2 F e j 2 .5 7 .4 6 5 2 2 4 7 .0 3 1 1 2 .7 3 7 6 WP K P K P= + = ? ? (12) 總鐵耗標(biāo)幺值 FeFe 325 1 6 .1 0 .0 2 0 83 7 1 0PP P* = = =180。故 可繼續(xù)計(jì)算，否則需要重新假設(shè)初值，直到誤差小于 %。 (3) 起動(dòng)時(shí)定子諧波漏抗 **1 ( s t) Z 1 0. 71 0. 01 54 0. 01 14X K Xdd= = ? 其中，起動(dòng)時(shí)漏磁路飽和系數(shù) ZK 的計(jì)算取值詳見附錄 B。 ? ? ，合格。計(jì)算中有些參數(shù)需先依據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式假設(shè)，然后再核算。EK39。( ) / 01E E EK K K??效 率 計(jì) 算39。通過查閱相關(guān)技術(shù)手冊，確定該電機(jī)的主要參數(shù)，包括定、轉(zhuǎn)子內(nèi)外徑，氣隙 和鐵心長度，節(jié)距和繞組型式，槽形、槽形尺寸和槽配合，以及所需材料等。其中，起動(dòng)轉(zhuǎn)矩、最大轉(zhuǎn)矩、起動(dòng)電流倍數(shù)和功率因數(shù)均得到了改善。其次，應(yīng)該嚴(yán)格按照電磁計(jì)算步驟進(jìn)行計(jì)算，在計(jì)算過程中，反復(fù)調(diào)整相關(guān)參數(shù)，使性能指標(biāo)滿足要求。 感謝所有授我以業(yè)的老師，沒有這些年知識(shí)的積淀，我沒有這么大的動(dòng)力和信心完成這篇論文。 %myflag1 myflag1=1 是雙層槽絕緣占面積 ,myflag1=0 是單層槽絕緣占面積 myflag2 = 0。 %myflag5 myflag5=1 是半開口槽和半閉開口槽 ,myflag5=0是開口槽 myflag6 = 3。 %額定電壓 f = 50。 p = 1。 %功電流 Z1 = 2*m1*p*q1。 %定轉(zhuǎn)子每極槽數(shù) KB_2 = +*log10(PN)。Kdp1_1 = 。 V = *1*p_1/(alpha_p_1*Knm_1*Kdp1_1*A_1*B_delta_1*n_1)。 %由參考文獻(xiàn)［電機(jī)設(shè)計(jì)］表 103 Dt1__D 表示 Dt1/D D1_1 = Di1_1/(Di1__D)。 %lef 鐵心有效長度 li = l 。 %轉(zhuǎn)子外徑 Di2 = 。 %轉(zhuǎn)子齒距 %定子繞組采用單層繞組 ，交叉式，節(jié)距 1~9,2~10， 11~18 bsk = *t1。 %每槽導(dǎo)體數(shù) Ns1= ceil(Ns_1)。 I1_1 = Ikw/eta_1/cos_phi。 d_1=*10^(3)。 bi_11=t1*B_delta_1/。 %槽鍥 h01 = 。 h21 = 。 bi1 = (bi1_1+bi1_2)/2。 %槽面積 Delta_t = 。 Sf = 1*Ns1*d^2/Aef。 %短距系數(shù) Kdp1=Kd1*Kp1。 %轉(zhuǎn)子導(dǎo)條電密 AB_1=I2_1/JB_1。 h02 = 0。 h22 = 0,0045。 b42 = 。 %導(dǎo)條截面積 IR_1=I2_1*Z2/(2*pi*p)。 %%%%%%%%%%第二部分 磁路計(jì)算 %%%%%%%%% KE_1=。 Phi=E1/(4*Knm*Kdp1*f*N1)。 %轉(zhuǎn)子每極下齒部截面積 %myflag2 myflag2=1 是平底槽 myflag2=0 是圓底槽 switch myflag2 case 1 hf1_1 = (D1Di1)/2hs1。 end hf2_2= %轉(zhuǎn)子軛部計(jì)算高度 Af1 =Kfe*li*hf1_1。 %計(jì)算極弧系數(shù) Fs = 1/alpha_p1。 %轉(zhuǎn)子齒磁密 B_delta = Fs*Phi/A_delta。 %氣隙磁密 Bi1 = Fs*Phi/Ai1。 %轉(zhuǎn)子軛部截面積 tau = pi*Di1/2/p A_delta = tau*lef。 end %定子軛部計(jì)算高度 %myflag3 myflag3=1 是平底槽 myflag3=0 是圓底槽 switch myflag3 case 1 hf2_1= (D2Di2)/2hs2。 Ai1 = Kfe*li*bi1*Zp1。 %E1 為滿載相電勢 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 27 Ks_1 = 。 AR_1=IR_1/JR_1。 bi2 = pi*(D22*2/3*hs2)/Z2(b42+hs2*b32/3/h32)。 b22 = 。 b12 = 。 bi_2=t2*B_delta_1/。 I2_1 = KI*I1_1*3*N_phi1*Kdp1/Z2。 Kd1=sin(q1*alpha/2)/(q1*sin(alpha/2))。 case 0 At = Delta_t*(2*hs_1+pi*r21)。 hs_1 = h21+h11。 bi1_1 = pi*(Di1+2*h01+2*h11+2*h21)/Z12*r21。 b11 = 。 hf_1=tau*alpha_p_1*B_delta_1/2/。 d= d_1+*10^(3)。 %用 NA 表示 Nt1_1*Ac1 蘭州交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 25 Ni1_1=1。 N1 = N_phi1/2。 %并聯(lián)支路 alpha_1 為 1 N_phi1_1 = ceil((eta_1*cos_phi*pi*Di1*A_1)/(m1*Ikw))。 %極距 t1= pi*Di1/Z1。 lef =li+2*delta。 %D1 定子沖片外徑 Di1 = D1*(Di1__D)。 %由參考文獻(xiàn)［電機(jī)設(shè)計(jì)］表 102 Di1_1 = (2*p*V/(Lambda*pi))^(1/3)。 %由參考文獻(xiàn)［電機(jī)設(shè)計(jì)］圖 102 B_delta_1 = 。 alpha_p_1 = 。 %轉(zhuǎn)子槽數(shù) Zp1=Z1/(2*p)。 %每極每相槽數(shù) UN_phi = Un。 %功率因數(shù) eta_1 = 。 %myflag7 myflag7=1 是半閉口槽 ,myflag7=0 是開口槽 PN = 4000。 %myflag3 myflag3=1 是平底槽 ,myflag3=0 是圓底槽 myfla