光敏電阻測(cè)光強(qiáng)度設(shè)計(jì)畢業(yè)論文-wenkub
2023-07-10 19:10:43 本頁面
【正文】 為外延平面型。 平面型光敏電阻 在半導(dǎo)體單晶片（主要地是 N 型 Si單晶片）上，擴(kuò)散 P 型雜質(zhì)，利用 Si 片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型 Si單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而構(gòu)成的 PN 結(jié)。最近 一段的時(shí)候間內(nèi) ，使用大電流整流器的主流已由 Si合金型轉(zhuǎn)移到 Si 擴(kuò)散型。后文所出現(xiàn)的三極管，如果沒有特別說明，均認(rèn)為是 NPN 型。 ：在物理試驗(yàn)室里面對(duì)測(cè)試三極管的一些特性 ：對(duì)獲得的材料進(jìn)行整理。只有把握的時(shí)候代的契機(jī)，才能實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，三極管作為電子電路中的基本元器件，同的時(shí)候也涉及到很多有關(guān)半導(dǎo)體物理里面的知識(shí)。由于光敏電阻徹底改變了電子線路 的結(jié)構(gòu)，集成電路以及 大規(guī)模集成電路 應(yīng)運(yùn)而生，這樣制造像高速電子計(jì)算機(jī)之類的高精密裝置即變成了現(xiàn)實(shí)。 二、系統(tǒng)概述 ..........................................錯(cuò)誤 !未定義書簽。對(duì)輸入信號(hào)處理后，就可以用來顯示了。人們可以通過看此裝置的顯示了解現(xiàn)在的光照狀態(tài)，做合理的光照調(diào)節(jié)。本人授權(quán)湖南大學(xué)可以將本 論文 的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本 論文 。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本 論文 不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。對(duì)本文的研究做出主要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。 本論文屬于 保密 ，在 年解密后適用本授權(quán)書。 該設(shè)計(jì)可分為三部分：即光照檢測(cè)部分、信號(hào)處理部分、光強(qiáng)顯示部分。對(duì)于顯示部分可利用數(shù)碼管來顯示，不同的光 強(qiáng)對(duì)應(yīng)于不同的數(shù)值，就能簡(jiǎn)單的顯示出不同的光強(qiáng)了。 系統(tǒng)的主要功能 ............................................................... 3 光敏電阻測(cè)光系統(tǒng)的工作原理 .......................................... 4 光敏電阻測(cè)光 系統(tǒng)的工作過程 ................................................ 4 元器件的選擇 ................................................................. 5 光敏電阻功能及簡(jiǎn)介 .......................................................... 5 三、系統(tǒng)總體方案的設(shè)計(jì) ............................................... 6 硬件電路的設(shè)計(jì) ....................................................... 6 光強(qiáng)度自動(dòng)檢測(cè)電路的設(shè)計(jì) .................................................. 7 顯示電路的設(shè)計(jì) ............................................................... 8 四、 軟件設(shè)計(jì) .......................................................... 9 設(shè)計(jì)思想 ..................................................................... 9 方案實(shí)現(xiàn) ..................................................... 錯(cuò)誤 !未定義書簽。 我們生活中所接觸的一些電子產(chǎn)品，例如：電視，手機(jī)，電腦里面都含有一些三極管，我們可以通過對(duì)三極管的研究，來弄清楚這些生活中接觸到得電子產(chǎn)品在電路組成上的一 些特性，我們也可以通過對(duì)三極管的研究來了解如何避免錯(cuò)誤使用導(dǎo)致這些電子產(chǎn)品的損壞以及繼承前人的經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合現(xiàn)在的科學(xué)技術(shù)來研究更加具有經(jīng)濟(jì)效益的三極管。所以對(duì)于研究三極管的一些特性，以及三極管自身的一些應(yīng)用，也是很有必要的。 江漢大學(xué)畢業(yè)論文 2 第一章 .三極管的種類和結(jié)構(gòu) 三極管的結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)結(jié)區(qū)和三個(gè)引腳所組成： 發(fā)射區(qū) 和 基區(qū)之間構(gòu)成的 PN結(jié) 被 稱 之 為發(fā)射結(jié) ,而集電區(qū) 和 基區(qū)構(gòu) 成的 PN 結(jié) 被 稱 之 為集電結(jié) ,三條引線分別 被稱 之 為發(fā)射極 e、基極 b 和 集電極 。 三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 江漢大學(xué)畢業(yè)論文 3 (1) 基區(qū) 十分的 薄，且摻雜濃度低； (2) 發(fā)射區(qū)摻雜濃度 要 比基區(qū) 以及 集電區(qū)高得多； (3) 集電結(jié)的 結(jié) 面積比發(fā)射結(jié)大。 合金型光敏電阻 在 N 型 Ge 或 Si 的單晶片上，通過 合金銦、鋁等金屬的方法制作 PN 結(jié)而構(gòu)成的。因?yàn)榇?，不需要為調(diào)整 PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開關(guān)用的型號(hào)則很多。飽和的時(shí)候， Ic最大，集電極和發(fā)射之間的內(nèi)阻最小，電壓 Uce 只有 ~，UceUbe（ Si管 ， Ge 管 ），發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向電壓。 內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律 江漢大學(xué)畢業(yè)論文 6 圖 三極管內(nèi)部電流分配關(guān)系示意圖 2. 載流子在基區(qū)中擴(kuò)散和復(fù)合的過程 由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子載流子，其濃度從發(fā)射結(jié)邊緣到集電結(jié)邊緣是逐漸遞減的，即構(gòu)成了一定的濃度梯度，因?yàn)槎?，電子便不斷地向集電結(jié)方向擴(kuò)散。另一方面，集電結(jié)兩邊的少數(shù)載流子，也要經(jīng)過集電結(jié)漂移，在 c， b 之間構(gòu)成 所謂反向飽和電流 ICBO，不過， ICBO 一般很小 ， 而 集電極電流 ： INC +ICBO ≈ INC GS0105 同的時(shí)候基極電流 ： IB = IPB +IE ICBO≈IPB ICBO GS0106 反向飽和電流 ICBO 和發(fā)射區(qū)無關(guān)，對(duì)放大作用無貢獻(xiàn)，但是它是溫度的函數(shù)，是管子工作不穩(wěn)定的主要因?yàn)樗?。我們主要談一下等效?jì)算法。 三極管的小信號(hào)模型 由于三極管的小信號(hào)分析方法除
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