it歷史-硬盤發(fā)展歷史(附圖)-wenkub
2023-07-24 20:25:32 本頁面
【正文】 它使得早期的硬盤體積上相對而言比較龐大，這給用戶的使用帶來了非常的不便。在此項溫氏技術(shù)提出后 的 5 年，即 1973 年， IBM 公司制造出了第一臺采用“溫徹期特”技術(shù)的硬盤，從此硬盤技術(shù)的發(fā)展有了正確的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)，現(xiàn)在大家所用的硬盤大多是此技術(shù)的延伸。此款 RAMAC 在那時 主要用于飛機(jī)預(yù)約、自動銀行、醫(yī)學(xué)診斷及太空領(lǐng)域內(nèi)。此外 Deskstar 75GXP 系列產(chǎn)品的最高容量達(dá) 75GB，是當(dāng)時最大容量的硬盤，而 Deskstar 40GV的數(shù)據(jù)存儲密度則高達(dá) /每平方英寸，這再次涮新數(shù)據(jù)存儲密度世界記錄。此系列產(chǎn)品的內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率高達(dá) 48MB/s，數(shù)據(jù)緩存為 4~16MB，支持Ultra160/m SCSI 及 Fibre Channel(光纖通道 )，這將硬盤外部數(shù)據(jù)傳輸率提高到了160MB~200MB/s。 80 年代末期 IBM 對硬盤發(fā)展的又一項重大貢獻(xiàn)，即發(fā)明了 MR（ Mago Resistive)磁阻，這種磁頭在讀取數(shù)據(jù)時對信號變化相當(dāng)敏感，使得盤片的存儲密度能夠比以往 20MB 每英寸提高了數(shù)十倍。 1968 年 IBM公司首次提出“溫徹斯特 /Winchester”技術(shù)，探討對硬盤技術(shù)做重大改造的可能性?！? 硬碟發(fā)展歷史 |硬碟發(fā)展歷史和相關(guān)知識 硬盤發(fā)展簡史 作者： awu 從第一塊硬盤 RAMAC 的產(chǎn)生到現(xiàn)在單碟容量高達(dá)十幾 GB 的硬盤，硬盤也經(jīng)歷了幾代的發(fā)展，下面就介紹一下其歷史及發(fā)展?！皽貜厮固亍奔夹g(shù)的精隋是：“密封、固定并高速旋轉(zhuǎn)的鍍磁盤片，磁頭沿盤片徑向移動，磁頭懸浮在高速轉(zhuǎn)動的盤片上方，而 不與盤片直接接觸”，這也是現(xiàn)代絕大多數(shù)硬盤的原型。 1991 年 IBM生產(chǎn)的 英寸的硬盤使用了 MR 磁頭，使硬盤的容量首次達(dá)到了 1GB，從此硬盤容量開始進(jìn)入了 GB 數(shù)量級?？偟脕碚f，希捷的此款（ 捷豹 ） Cheetah X15 系列將硬盤的性能提高到了一個新的里程碑。（網(wǎng)易） 硬盤歷史發(fā)展綜述 現(xiàn)在的 IDE 硬盤，容量動輒 20GB，轉(zhuǎn)速則大多為 7200RPM，數(shù)據(jù)緩存則是 2MB，這就是現(xiàn)在主流 IDE 硬盤的標(biāo)準(zhǔn)。普通用戶是不可能用到得，當(dāng)然當(dāng)時的電腦也不多，還沒有所謂的 PC（ Personal Computer）。 下面讓我們分塊來介紹硬盤技術(shù)的歷史與發(fā)展。 邁拓鉆石十一代 1979 年， IBM 再次發(fā)明了薄膜磁頭，為進(jìn)一步減小硬盤體積、增大容量、提高讀寫速度提供了可能。 GMR 比 MR 具有更高的信號變化靈敏度 ，從而使得硬盤的單碟容量可以做得更高，目前最新的磁頭技術(shù)為第四代 GMR磁頭技術(shù)。 早期的硬盤轉(zhuǎn)速一般只有 4000RPM 甚至更低，低轉(zhuǎn)速的主要原因是由于電機(jī)技術(shù)的限制，隨著技術(shù)的 革新，轉(zhuǎn)速提高到了 4400RPM 及 4900RPM，再后來就是 5400RPM 了。電機(jī)技術(shù)發(fā)展了，直接影響的就是硬盤主軸轉(zhuǎn)速的提高，而轉(zhuǎn)速就決定著硬盤的尋道時間。 最早的硬盤接口要算是 ST506/412 接口，它是希捷開發(fā)的一種硬盤接口，首先使用這種接口的硬盤為希捷的 ST－ 506 及 ST－ 412。其特點是將編解碼器放在硬盤本身之中，而不是在控制卡上，理論傳輸速度是前面所述的 ST506 的 2~4 倍，一般可達(dá)到 10M
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