工廠生產(chǎn)及質(zhì)量培訓(xùn)--靜電防護(hù)訓(xùn)練講儀-wenkub
2023-03-23 15:58:37 本頁(yè)面
【正文】 B 靜電感應(yīng)只對(duì)導(dǎo)體和半導(dǎo)體才有作用 . + + + + + + + + + + + + — — + + — — + + — — + + 二 . 靜電電荷產(chǎn)生的種類(lèi) : ? 1. 摩擦 ? 2. 分離 ? 3. 電場(chǎng)感應(yīng) ? 4. 傳導(dǎo) 三 .靜電電荷對(duì)微電子工業(yè)的影響 : 1. 微粒污染 : 在潔凈室裏 ,靜電是使直徑在 ~ 之間的顆粒沉積的主要原因 . 當(dāng)芯片帶有靜電后就很容易沉積灰塵 . 2. ESD(ESD中文意思是靜電電壓放電 )失效 : 靜電放電時(shí)當(dāng)放電電流過(guò)大 , 產(chǎn)生過(guò)高熱能 , 將會(huì)擊穿集成電路內(nèi)部線路 . 3. 三種擊穿現(xiàn)象 : 1. 熱擊穿 : PN破壞 2. 介電擊穿 : 氧化層的破壞 3. 金屬汽化 : 金屬線被汽化而開(kāi)路 四 .半導(dǎo)體的靜電敏感度 : 裝置型式 靜電放電敏感度範(fàn)圍 (伏 ) 裝置型式 靜電放電敏感度範(fàn)圍 (伏 ) VMOS 30~1800 散粒 (肖特基 )二極管 300~2500 MOSFET 100~200 薄片電阻 (厚 ,細(xì) ) 300~3000 GaASFET 100~300 雙向晶體管 380~7000 EPROM 100 ECL(發(fā)射極偶合邏輯電路 ) 500~1500 JFET 140~7000 SCR(可控硅 ) 680~1000 SAW 150~1500 散粒 (肖特基 )晶體管 1000~2500 OPAMP 190~2500 散粒晶體管邏輯電路 1000~2500 CMOS 250~3000 靜電放電的三種型式 : 1. 人體型式 : 當(dāng)人體活動(dòng)時(shí)身體和衣服之間摩擦產(chǎn)生靜電 , 若不及時(shí)將靜電 釋放給大地 , 而直接把靜電轉(zhuǎn)移給 ESD敏感裝置而造成損壞 . 2. 微電子器件帶電型式 : 在自動(dòng)化生產(chǎn)過(guò)程中 , 一些塑料器件因摩擦產(chǎn)生靜 電 , 通過(guò) ESD敏感裝置接觸 , 造成損壞 . : 在有強(qiáng)電場(chǎng)圍繞時(shí) , 能通過(guò)感應(yīng)方法損壞 ESD敏感裝置 . 靜電電荷的消除原理 : ? 1. 接地 : 將導(dǎo)體材料接通大地 , 把靜電電荷傳導(dǎo)到大地 . ? 2. 離子中和 : 用離子發(fā)生設(shè)備產(chǎn)生離子 , 來(lái)中和物體表面所帶靜電荷 . ? 3. 屏蔽 : 用高導(dǎo)電性 材料 做成屏蔽層 , 使ESD敏感裝置不受外界靜電場(chǎng)損壞 . 一 . ESD等級(jí)分類(lèi)及控制程序 ： : 等級(jí) 電壓範(fàn)圍 典型設(shè)備 0 0~100V EPROM, VMOS, MOSFET, GAAS, FET, SAM 1 100~1000V SCR, JFET, 薄膜電阻 , 二極管 2 1000~4000V Protected MOS, SCHOTTKY, TTL, OP AMP and LSI 3 4000~1500V 大多其它半導(dǎo)體 2. ESD失效的潛伏性 : 有時(shí) ESD並沒(méi)有把半導(dǎo)體完全破壞 , 而只把元件某部分的品質(zhì)降低 . 從事ESD敏感半導(dǎo)體等行業(yè)應(yīng)留意以下幾點(diǎn) : 1). [潛伏性的 ESD問(wèn)題 ]: 在任何場(chǎng)合都會(huì)發(fā)生 。 5
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