薄膜工藝技術(shù)-wenkub
2023-02-06 15:54:29 本頁面
【正文】 2O= B2H6+N2O= 2： SN： LOCOS技術(shù)， FOX SIH2CL2+NH3= 鈍化： SN對堿金屬和水氣極強(qiáng)的擴(kuò)散阻擋能力 3 ：關(guān)于 TEOS TEOS結(jié)構(gòu)： 用 TEOS代替普通 SIO2原因：用于 IMD，臺階覆蓋性極好；熱穩(wěn)定性好；相對普通的二氧化硅，較致密 缺點(diǎn)：顆粒度 與 TEOS相對應(yīng)， BPSG可用 TMB， TMPO來沉積。 （ 5） 極佳的覆蓋能力 二： CVD沉積原理及特點(diǎn) D：薄膜的參數(shù) ?厚度 ?均勻性 /臺階覆蓋性（畫圖說明） ?表面平整度 /粗糙度 ?自由應(yīng)力 ?潔凈度 ?完整性 影響薄膜質(zhì)量和沉積速率的參數(shù)：反應(yīng)氣體流量， 反應(yīng)壓力 ， 腔室溫度 ，是否參雜及參雜數(shù)量， RF頻率和功率 三： CVD沉積膜及其應(yīng)用 前面說過， CVD幾乎可以沉積半導(dǎo)體元件所需要的所有薄膜。 ③ 吸附分子間或吸附分子與氣體分子間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成晶核 ④ 晶核生長 晶粒聚結(jié) 縫道填補(bǔ) 沉積膜成長。 在目前的 VLSI及 ULSI生產(chǎn)過程中，除了某些材料 因特殊原因 還在用濺鍍法之外，如鋁硅銅合金及鈦等，所有其他的薄膜均用CVD法來沉積。薄膜工藝技術(shù)交流 CVD部分 一：概述 二： CVD沉積原理及特點(diǎn) 三： CVD沉積膜及其應(yīng)用 四： CVD方法及設(shè)備 五：薄膜技術(shù)的發(fā)展 一：概述 ? 基本上，集成電路是由數(shù)層材質(zhì)不同的薄膜組成，而使這些薄膜覆蓋在硅晶片上的技術(shù)，便是所謂的薄膜沉積及薄膜成長技術(shù)。 二： CVD沉積原理及特點(diǎn) A： 定義 ： 指使一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體，以 某種方式激活 后，在襯底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并淀積出所需固體薄膜的生長技
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