舉例5高頻電子電路設計-第四章高頻電子電路設計-wenkub
2023-01-21 16:14:39 本頁面
【正文】 L2 C 2 0 C 2 1L20N3RL＋－Ｖo＋ VCCT r2RB1*Vi＋－晶體管 T1與 RB RBRE RF組成的寬帶功率放大器工作在甲類狀態(tài)。 根據(jù)放大器電流導通角 θ的范圍 ， 可以分為甲類 、 乙類 、 丙類和丁類等功率放大器 。 它不需要調(diào)諧回路 ， 可在很寬的頻率范圍內(nèi)獲得線性放大 。也可以 用示波器測量 C點的波形，觀察波形在 X 方向的相移。 ? 所有測量儀器如高頻電壓表 、 示波器 、 掃頻儀 、數(shù)字頻率計等的地線及輸入電纜的地線都要與被測電路的地線連接好 ， 接線 盡量短 。 ? 安裝時應合理布局，減小分布參數(shù)的影響。安裝要點 ? 電路元件不要排得太松，引線盡量不要平行，否 則會引起寄生反饋。 可以先取 ，然后在實驗中調(diào)試 。 2/1~8/1/ 32 ?? CCF13 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY (3) 測變?nèi)荻O管的 Cjv 特性曲線 ， 設置變?nèi)莨艿撵o態(tài)工 作點 VQ 本題給定變?nèi)荻O管的型號為 2CC1C ， 已測量 出其 Cjv 曲線如圖 。 mA2CQ ?I? 主要技術(shù)指標 主振頻率 fo =5MHz， 頻率穩(wěn)定度≤ 5 10–4/小 時 ， 主振級的輸出電壓 Vo≥1V， 最大頻偏 。 越大，說明調(diào)制信號的控制作用越強，產(chǎn)生的頻偏越大。 jC? 圖 管 2CC1C的 Cjv 曲線。 小時/omi nma xoo fffff ???? 最大頻偏 指在一定的調(diào)制電壓作用下所能達到的最大頻率偏移值。 圖 接入振蕩回路的等效電路 ， 接入系數(shù) p及回路總電容CS分別為 C cC jC 1L 1jccCCCp?? jcjc1 CCCCCC???SC j 6 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 變?nèi)荻O管的 Cjv 特性曲線 圖 變?nèi)荻O管的 Cjv特性曲線 變?nèi)荻O管的 Cjv特性曲線如圖 所示 。 為減小晶體管的極間電容對回路振蕩頻率的影響，C C3的取值要大。 ICQ一般為 (1~4)mA。 AP?? 工作頻率或波段 發(fā)射機的工作頻率應根據(jù)調(diào)制方式，在國家或有關(guān)部門所規(guī)定的范圍內(nèi)選取。 1 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 一、調(diào)頻發(fā)射機及其主要技術(shù)指標 ( a)( b)高頻振蕩頻率調(diào)制調(diào)制信號低頻功放緩沖隔離 倍頻 高頻功放高頻放大混頻本振中頻放大限幅鑒頻1. 組成框圖 2 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 一、調(diào)頻發(fā)射機及其主要技術(shù)指標 2. 主要技術(shù)指標 ?發(fā)射功率 一般是指發(fā)射機輸送到天線上的功率。 ? 總效率 發(fā)射機發(fā)射的總功率 與其消耗的總功率 P’C 之比 ， 稱為發(fā)射機的總效率 。 3 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 二、單元電路設計與調(diào)試 整機電路的設計計算順序一般是從末級單元電路開始，向前逐級進行。 ICQ偏大，振蕩幅度增加，但波形失真加重，頻率穩(wěn)定性變差。 如果選 C1 2， C1C3，則回路的諧振頻率 fo主要由C1決定，即 11o π21CLf ?5 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 1變?nèi)荻O管調(diào)頻 RB2VQRB1C1＋ VCCL1CC2C3EBCBRETRCDCcC4AL2C5C6＋DCR3R2R1v?L C 振蕩器 調(diào)頻電路** 調(diào)頻電路由變?nèi)荻O管 DC及耦合電容 Cc組成， R1與 R2為變?nèi)荻O管提供靜態(tài)時的反向直流偏置電壓 VQ，電阻 R3稱為隔離電阻，常取 R3R2，R3R1，以減小調(diào)制信號 vΩ對 VQ的影響。 設電路工作在線性調(diào)制狀態(tài) ，在靜態(tài)工作點 Q處 ，曲線的斜率為 VCk ΔΔC ?7 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 1 LC調(diào)頻振蕩器 主要性能參數(shù)及其測試方法 ? 主振頻率 LC振蕩器的輸出頻率 fo稱為主振頻率或載波頻率。將 稱為相對頻偏。由圖可得 VQ= –4V時 CQ=75pF， 9 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY ? 調(diào)制靈敏度 單位調(diào)制電壓所引起的最大頻偏稱為調(diào)制靈敏度 ， 以 表示 ， 單位為 kHz/V， 即 fS mΩmVfSf?? 為調(diào)制信號的幅度； 為變?nèi)莨艿慕Y(jié)電容變化 時引起的最大頻偏。 fSfS fS11 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY 1設計舉例 例 設計一 LC高頻振蕩器與變?nèi)荻O管調(diào)頻電路。 ? 已知條件 +VCC = +12V， 高頻三極管 3DG100， 變?nèi)荻O管2CC1C。 取變?nèi)莨莒o態(tài)反向 偏壓 VQ=4V， 由特性曲線可得變?nèi)莨艿撵o態(tài)電容 CQ=75pF。 當 VQ= 4V時 ， 對應 CQ=75pF， 則 CC ? pf . )( jcc CCCp ??p ?p取標稱值 20pF p∵ 15 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY (5) 計算調(diào)制信號的幅度 為達到最大頻偏 的要求 ， 調(diào)制信號的幅度 VΩm， 可由下列關(guān)系式求出 。 ? 多級放大器應排成一條直線，盡量減小末級與前級之間的耦合。 17 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY b。 18 YANGTZE NORMAL UNIVERSITY C。 （ 2）觀測動態(tài)波形并測量電路的性能參數(shù) 。 但效率 ? 較低 ， 一般只有
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1