【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》試卷五一、填空題(12分)1、(3FF)16=()2=()10=()8421BCD2、OC門(mén)稱(chēng)為()門(mén),多個(gè)OC門(mén)輸出端并聯(lián)到一起可實(shí)現(xiàn)()功能。3、消除組合邏輯電路中競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)的方法有()、()等。
2024-11-08 00:11
【總結(jié)】天津冶金職業(yè)技術(shù)學(xué)院2020——2020學(xué)年第(二)學(xué)期期末考試《電力電子技術(shù)》試卷B班級(jí):電氣,電子專(zhuān)業(yè)姓名--------------------------------------------------------------------------------------
2024-10-18 13:09
【總結(jié)】一、單項(xiàng)選擇題(每小題1分,共15分)在下列每小題的四個(gè)備選答案中選出一個(gè)正確的答案,并將其字母標(biāo)號(hào)填入題干的括號(hào)內(nèi)。1.一位十六進(jìn)制數(shù)可以用多少位二進(jìn)制數(shù)來(lái)表示?(C)A.1B.2C.4D.162.以下電路中常用于總線應(yīng)用的是(A)C.漏極開(kāi)路門(mén)
2025-06-22 17:27
【總結(jié)】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 07:58
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-24 23:33
【總結(jié)】壹浙江理工大學(xué)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試題參考答案(B)一.2.解:(1)靜態(tài)分析:)(Aμ101mA1V2efcEQCEQEQBQefBEQBQEQCCb2b1b1BQ???????????
2024-10-21 19:42
【總結(jié)】1《模擬電子技術(shù)》試卷目錄《模擬電子技術(shù)》試卷1..................................................................................................................................1《模擬電子技術(shù)》試卷1答案
2025-01-09 21:12
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷(本科)及參考答案試卷二及其參考答案試卷二一、(18分)選擇填空題1.用卡諾圖法化簡(jiǎn)函數(shù)F(ABCD)=(0,2,3,4,6,11,12)+(8,9,10,13,14,15)得最簡(jiǎn)與-或式________。A. B. C. D. 2.邏輯函數(shù)F1、F2、F3的卡諾圖如圖1-2所示,他們之間的邏輯關(guān)系是
2024-10-22 00:56
【總結(jié)】模擬試卷一一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)為_(kāi)___偏置,集電結(jié)為_(kāi)____偏置;工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)為_(kāi)__偏置,集電結(jié)為_(kāi)___偏置。3.當(dāng)輸入信號(hào)頻率為fL和fH時(shí),放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時(shí)的__倍,或者是下降了__dB,此時(shí)與中頻時(shí)相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_(kāi)____。4.為提高放大電路
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》期末考試試卷1班級(jí)_______學(xué)號(hào)______姓名______分?jǐn)?shù)______題號(hào)得分閱卷一二三四五總分得分閱卷一.填空(25分)(1)本征硅中若摻入五價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子,摻雜
2025-06-28 20:13
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》試卷目錄《模擬電子技術(shù)》試卷1 1《模擬電子技術(shù)》試卷1答案 5《模擬電子技術(shù)》試卷2 7《模擬電子技術(shù)》試卷2答案 10《模擬電子技術(shù)》試卷3 12《模擬電子技術(shù)》試卷3答案 16《模擬電子技術(shù)》試卷4 18《模擬電子技術(shù)》試卷4答案 20《模擬電子技術(shù)》試卷5 23《模擬電子技術(shù)》試卷5答案 26《模擬電子
2025-06-05 21:27
【總結(jié)】1華中師范大學(xué)成人專(zhuān)科學(xué)年第一學(xué)期《基礎(chǔ)會(huì)計(jì)》試卷(B卷)考試時(shí)間:120分鐘閉卷班級(jí):學(xué)號(hào):姓名:成績(jī):一、選擇題:(本大題共20小題,每小題1分,共20分)1、下列經(jīng)濟(jì)業(yè)務(wù)中,會(huì)引起一項(xiàng)負(fù)債減少,而另一項(xiàng)負(fù)債增
2025-01-09 18:57
【總結(jié)】天津師范大學(xué)成人高等學(xué)歷教育考試試卷(A卷)2022-2022學(xué)年度第一學(xué)期考試科目:電子技術(shù)基礎(chǔ)班級(jí):2022級(jí)電子信息科學(xué)與技術(shù)姓名:學(xué)號(hào):題號(hào)一二三四五六七八總分分?jǐn)?shù)一、名詞
2025-01-08 20:12
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)A第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門(mén)課程本學(xué)期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項(xiàng)選擇題(只有一個(gè)選項(xiàng)正確,共10道小題)1.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子,因此它應(yīng)()。??(A)?帶負(fù)電??(B)?帶正電??(C)?不
2025-06-28 21:29
【總結(jié)】試卷一專(zhuān)升本試卷及其參考答案試卷一(總分150分)(成人高等學(xué)校專(zhuān)升本招生全國(guó)統(tǒng)一考試電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷之一)一、選擇題(本大題10個(gè)小題,每小題4分,共40分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的,把所選項(xiàng)前的字母填在題后的括號(hào)內(nèi)。)1.用萬(wàn)用表的R×100檔測(cè)得某二極管的正向電阻阻值為500?,若改
2024-10-26 00:25