改良西門子法制備高純多晶硅-wenkub
2023-07-12 15:51:10 本頁面
【正文】 [1]其中重點介紹了現(xiàn)在普遍都使用，技術(shù)相對成熟的改良西門子法，包括改良西門子法的制備工藝、三氯氫硅的提純與尾氣處理。關(guān)鍵詞:高純多晶硅；良西門子法；尾氣處理The preparation of high purity poly crystalline silicon modified SiemensAbstract：This paper mainly describes various preparation methods of high purity poly crystalline silicon,hydrogen reduction method,the silicon crosslinked with hydrogen silica thermal deposition method,silicon tetra chloride hydrogen reduction method,fluidity bed method,physical purification method preparation of high purity poly crystalline silicon and other crafts. Which focus on widely used now， the technology is relatively mature and improved Siemens method,including improved Siemens method of preparation,chemical hydrogen purification of silicon and tail gas treatment.Keywords: high purity poly crystalline silicon；a good method of Siemens；tail gas treatment.緒論 近年來，太陽能硅電池、半導體工業(yè)和電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，而多晶硅是這些產(chǎn)業(yè)的最基本和主要的功能材料，因此，多晶硅的生產(chǎn)受到了各國企業(yè)的重視。其化學反應式為： Si+3HCl→SiHCl3+H2 （1）反應除了生成中間化合物三氯氫硅外，還有附加產(chǎn)物，如SiClSiH2Cl2和FeClBClPCl3等雜質(zhì)，需要精餾提純。 硅烷熱分解法 用硅烷作為中間化合物有特別的優(yōu)點，首先是硅烷宜于提純，硅中的金屬雜質(zhì)在硅烷的制備過程中，不易形成揮發(fā)性的金屬氫化物氣體，硅烷一旦形成，其剩余的主要雜質(zhì)僅僅是B和P等非金屬，相對容易去除；其次是硅烷可以熱分解直接生成多晶硅，不需要還原發(fā)應，而且分解溫度相對較低。該方法利用金屬硅和氯氣發(fā)生反應，生成中間化合物四氯化硅，其反應式為： Si+ 2Cl2→ SiCl4 （9）同樣采用精餾技術(shù)，對四氯化硅提純，然后再利用高純氫氣在1100～1200℃還原，生成多晶硅，反應式為： SiCl4 + 2H2 → Si+ 4HCl （10） 流化床法流化床法
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