精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)筆記-wenkub
2023-07-12 05:05:25 本頁面
【正文】 / VO＝（2412）/24＝IL＝IO/（1－D）＝2/（）＝4A若r＝，則IPK＝（1＋r/2）IL＝（1+）4＝電感量L＝VOND/rILf＝12**4*100*1000＝＝*10－6Hf＝200KHz L＝，f＝1MHz L＝24，二極管只在sw關(guān)斷時(shí)流過電流＝負(fù)載電流，所以ID＝IL（1－D）＝IO25，則平均開關(guān)電流Isw＝ILD26， 由基爾霍夫電壓定律知：Sw導(dǎo)通時(shí)：VIN ＝VON＋VSW → VON＝VIN－VSW≈VIN 假設(shè)VSW相比足夠小Sw關(guān)斷時(shí)：VOFF ＝VO＋VD → VO＝VOFF－VD≈VOFF 假設(shè)VD相比足夠小VOFF≈VO27，由4可得D＝tON/（tON＋tOFF）＝VOFF/（VOFF ＋VON）由26可得：D＝VO/（VO＋VIN ）→VIN＝VO（1－D）/D28，直流電流IDC＝電感平均電流IL，即IDC≡IL＝IO /（1－D）29，紋波電流IAC＝ΔI/2＝VIND/2Lf＝VO（1－D）/2Lf由1，26，27得，ΔI＝VONtON/L＝VINTD/L ＝VIND/LfΔI/ tON＝VON/L= VIN/LΔI＝VOFFtOFF/L ＝VOT（1－D）/L＝VO（1－D）/LfΔI/ tOFF＝VOFF/L＝VO/L30，電流紋波率r＝ΔI/ IL＝2IAC/IDC 在臨界導(dǎo)通模式下，IAC＝IDC，此時(shí)r＝2 見P51r＝ΔI/ IL＝VOND/Lf IL＝VOＦＦ（1－D）/Lf IL→L＝VOND/rf ILr＝VOND/Lf IL＝VIND/Lf IL r＝VOＦＦ（1－D）/Lf IL= VO（1－D）/Lf IL31，峰峰電流IPP＝ΔI＝2IAC＝rIDC＝rIL32，峰值電流IPK＝IDC＋I(xiàn)AC＝（1＋r/2）IDC＝（1＋r/2）IL＝（1＋r/2）IO /（1－D）最惡劣輸入電壓的確定：要在VIN最小輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)buckboost電路 p4951第3章 離線式變換器設(shè)計(jì)與磁學(xué)技術(shù)在正激和反激變換器中，變壓器的作用：電網(wǎng)隔離變壓器“匝比”決定恒比降壓轉(zhuǎn)換功能。這個(gè)比例常數(shù)叫電感常數(shù)，用AL表示，它的單位是nH/匝數(shù)2（有時(shí)也用nH/1000匝數(shù)2）L=AL*N2*109H所以增加線圈匝數(shù)會急劇增加電感量若H是一閉合回路，可得該閉合回路包圍的電流總量Hdl＝IA，安培環(huán)路定律結(jié)合楞次定律和電感等式可得到V＝NdΦ/dt＝NAdB/dt＝LdI/dt可得功率變換器2個(gè)關(guān)鍵方程：ΔB＝LΔI/NA非獨(dú)立電壓方程 →B＝LI/NAΔB＝VΔt/NA獨(dú)立電壓方程 →BAC＝ΔB/2＝VOND/2NAf 見P7273N表示線圈匝數(shù)，A表示磁心實(shí)際幾何面積（通常指中心柱或磁心資料給出的有效面積Ae）BPK＝LIPK/NA不能超過磁心的飽和磁通密度由公式知道，大的電感量，需要大的體積，否則只增加匝數(shù)不增加體積會讓磁心飽和磁場紋波率對應(yīng)電流紋波率rr＝2IAC/IDC＝2BAC/BDCBPK＝（1＋r/2）BDC→BDC＝2BPK /（r＋2）BPK＝（1＋2/r）BAC→BAC＝r BPK /（r＋2）→ΔB＝2 BAC＝2r BPK /（r＋2）磁心損耗，決定于磁通密度擺幅ΔB，開關(guān)頻率和溫度磁心損耗＝單位體積損耗體積，具體見P7576Buck電路5， 電容的輸入輸出平均電流為0，在整個(gè)周期內(nèi)電感平均電流＝負(fù)載平均電流，所以有：IL＝Io6， 二極管只在sw關(guān)斷時(shí)流過電流，所以ID＝IL（1－D）7， 則平均開關(guān)電流Isw＝ILD8， 由基爾霍夫電壓定律知：Sw導(dǎo)通時(shí)：VIN ＝VON＋VO＋VSW → VON＝VIN－VO－VSW≈VIN－VO假設(shè)VSW相比足夠小VO＝VIN－VON－VSW≈VIN－VONSw關(guān)斷時(shí)：VOFF ＝VO＋VD → VO＝VOFF－VD≈VOFF 假設(shè)VD相比足夠小9， 由4可得D＝tON/（tON＋tOFF）＝VOFF/（VOFF ＋VON）由8可得：D＝VO/{（VIN－VO）＋VO}D＝VO/ VIN10，直流電流IDC＝電感平均電流IL，即IDC≡IL＝Io 見511，紋波電流IAC＝ΔI/2＝VIN（1－D）D/ 2Lf＝VO（1－D）/2Lf由1，9得，ΔI＝VONtON/L ＝（VIN－VO）D/Lf＝（VIN－DVIN）D/Lf＝VIN（1－D）D/ LfΔI/ tON＝VON/L＝（VIN－VO）/LΔI＝VOFFtOFF/L ＝VOT（1－D）/L＝VO（1－D）/LfΔI/ tOFF＝VOFF/L＝VO/L12，電流紋波率r＝ΔI/ IL＝2IAC/IDC 在臨界導(dǎo)通模式下，IAC＝IDC，此時(shí)r＝2 見P51r＝ΔI/ IL＝VOND/Lf IL＝(VIN－VO)D/Lf IL＝VOＦＦ（1－D）/Lf IL＝VO（1－D）/Lf IL13，峰峰電流IPP＝ΔI＝2IAC＝rIDC＝rIL14，峰值電流IPK＝IDC＋I(xiàn)AC＝（1＋r/2）IDC＝（1＋r/2）IL＝（1＋r/2）IO最惡劣輸入電壓的確定：VO、Io不變，VIN對IPK的影響：D＝VO/ VIN VIN增加↑→D↓→ΔI↑, I
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