mos管緩啟動電路分析-wenkub
2023-07-10 22:18:47 本頁面
【正文】 Q1的最小門檻電壓，VD2為二極管D2的正向?qū)▔航?，Vplt為產(chǎn)生Iinrush沖擊電流時的柵源電壓。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V，推薦12V的穩(wěn)壓二極管。圖6. 有源沖擊電流限制電路在75V輸入，DC/DC輸出空載時的波形 設(shè)計舉例 已知： Vmax=72VIinrush=3A選擇MOS管Q1為IRF540S選擇二極管D2為BAS21 按公式（4）計算：C21700pF?！ “垂剑?）計算：C1=。Page: 11 of 11?！ “垂剑?）計算：R1=?！ “垂剑?）計算：R2=。η可以在DC/DC電源供應(yīng)商所提供的數(shù)據(jù)手冊里查到?！ OS管選擇 以下參數(shù)對于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要：l 漏極擊穿電壓 Vds 必須選擇Vds比最大輸入電壓Vmax和最大輸入瞬態(tài)電壓還要高的MOS管，對于通訊系統(tǒng)中用的MOS管，一般選擇Vds≥100V。元器件R1，C1和D2用來保證MOS管Q1在剛上電時保持關(guān)斷狀態(tài)?！? 電路描述： 圖5所示為基于MOS管的自啟動有源沖擊電流限制法電路。在米勒平臺后期，MOS管Vds非常小，MOS進(jìn)入了飽和導(dǎo)通期。圖4. 帶外接電容C2的N型MOS管極間電容等效電路 MOS管的極間電容柵漏電容Cgd、柵源電容Cgs、漏源電容Cds可以由以下公式確定：公式中MOS管的反饋電容Crss,輸入電容Ciss和輸出電容Coss的數(shù)值在MOS管的手冊上可以查到。NSN MWR MOS管緩啟動電路原理分析Version Project FTFBSection File Name 電源的緩啟動電路原理分析Pages 11Document Number: MWR
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