勵(lì)磁系統(tǒng)選型計(jì)算書(shū)-wenkub
2023-07-05 06:18:43 本頁(yè)面
【正文】 是否與計(jì)算的變壓器容量相比有510%的裕度，在滿足技術(shù)要求的前提下盡量選擇低容量的變壓器，有時(shí)要通過(guò)調(diào)整換弧壓降來(lái)確定最終的變壓器容量。接線組別：Y/△11，或△/ Y11額定容量： kVA 原邊電壓： kV副邊電壓： KV 短路阻抗： % 注：在考慮變壓器定貨時(shí)要明確變壓器的形式2 可控硅元件選型2．1可控硅反向峰值電壓計(jì)算每臂元件承受的最大反向電壓應(yīng)小于元件重復(fù)反向峰值電壓，即： 其中：過(guò)電壓余度系數(shù)， 過(guò)電壓沖擊系數(shù)， 電源電壓升高系數(shù)，~， 橋臂反向工作電壓最大值，UARM=*整流變副邊電壓由此，可算出： UARM=2****整流變副邊電壓=*整流變副邊電壓 （南瑞計(jì)算方法：3**整流變副邊電壓）（科大創(chuàng)新計(jì)算方法：3***整流變副邊電壓）（洪山計(jì)算方法：**整流變副邊電壓）2．2 可控硅額定通態(tài)平均電流計(jì)算ITa=（）KfbId=（）*KfbIFN其中：（）：安全系數(shù)，本計(jì)算取2Kfb： 控制角為0186。計(jì)算時(shí)，Ka取2，若np1=（ ） 1，則每臂選用單只可控硅元件滿足要求（在我們現(xiàn)有的設(shè)計(jì)中都是單柜單臂單元件結(jié)構(gòu)），否則就要考慮重新選擇可控硅。4 快速熔斷器選用計(jì)算4．1 電路形式的確定 在以往的設(shè)計(jì)中，我們主要選擇每臂一個(gè)快熔的三相全控整流電路，但在小勵(lì)磁系統(tǒng)中選用每相一個(gè)快熔的三相全控整流電路。注1： IRN 時(shí)4小時(shí)內(nèi)不會(huì)熔斷，在6 IRN時(shí)20ms就能熔斷。6. 滅磁保護(hù)的選擇計(jì)算6．1保護(hù)配置通常，勵(lì)磁系統(tǒng)配置的過(guò)壓保護(hù)有整流橋交流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)（浪涌吸收）；整流橋直流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)（可控硅換相過(guò)電壓吸收）；轉(zhuǎn)子反相過(guò)電壓吸收；非全相及大滑差過(guò)電壓保護(hù)。6．4非線電阻的滅磁保護(hù)計(jì)算 對(duì)于FR1殘壓的選擇，按照IEC規(guī)定。例如：W=%。 7. 勵(lì)磁變壓器CT
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