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正文內(nèi)容

淺析薄膜電池特性與其電路拓撲-wenkub

2023-07-02 19:21:26 本頁面
 

【正文】 時,“表面極化”現(xiàn)象不會發(fā)生。類似于晶體管,表面極化現(xiàn)象是完全可逆的,只要“晶體管”關(guān)斷,電池的輸出電流仍可以達到先前的水平。 Backcontact電池板基本外形圖 Backcontact電池板工藝結(jié)構(gòu)圖在測試過程中,Backcontact電池板(高效率太陽能電池板)的“表面極化”現(xiàn)象被發(fā)現(xiàn),該現(xiàn)象會使A300太陽能電池板表面堆積靜態(tài)電荷,但堆積電荷的過程是非破壞性和可逆的。 單晶硅電池的工藝結(jié)構(gòu) 這類太陽能電池板轉(zhuǎn)換效率高、壽命長、工作性能穩(wěn)定,不受其對地電位的極性及其漏電流大小的影響,在太陽能逆變器拓撲方面沒有任何限制,這里不做詳細介紹。多晶硅薄膜電池既具有晶硅電池的高效、穩(wěn)定、無毒和資源豐富的優(yōu)勢,又具有薄膜電池工藝簡單、節(jié)省材料、大幅度降低成本的優(yōu)點,因此多晶硅薄膜電池的研究開發(fā)成為近幾年的熱點。⑶ x-Si薄膜與薄膜太陽能電池◆ 非晶硅薄膜電池。多晶硅與單晶硅材料的差別主要是多晶硅內(nèi)存在許多晶粒間界。因此,生產(chǎn)廠家迫切希望在不降低光電轉(zhuǎn)換效率的前提下,找到替代單晶硅的材料。由于材料昂貴,這種太陽電池成本過高,初期多用于空間技術(shù)作為特殊電源,供人造衛(wèi)星使用。按照材料區(qū)分,太陽電池有晶硅電池、非晶硅薄膜電池、銅銦硒(CIS)電池、碲化鎘(CdTe)電池、砷化稼電池等;其中以晶硅電池為主導。一、薄膜電池特性太陽能電池發(fā)展背景與分類1954年美國貝爾實驗室制成了世界上第一個實用的太陽能電池,并于1958年應用到美國的先鋒1號人造衛(wèi)星上。薄膜電池特性及其電路拓撲分析 由于傳統(tǒng)能源面臨著環(huán)境污染、能源枯竭等一系列問題,90年代以來,在可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的推動下,可再生能源技術(shù)進入了快速發(fā)展的階段。由于材料、結(jié)構(gòu)、工藝等方面的不斷改進,現(xiàn)在太陽能電池的價格不到20世紀70年代的1%。由于硅是地球上儲量第二大元素,作為半導體材料,人們對它研究得最多、技術(shù)最成熟,而且晶硅性能穩(wěn)定、無毒,因此成為太陽電池研究開發(fā)、生產(chǎn)和應用中的主體材料。七十年代開始,把硅太陽電池轉(zhuǎn)向地面應用。目前,比較適用的材料就是多晶硅。這給多晶硅太陽能電池帶來以下三方面影響:晶粒間界處存在勢壘,阻斷載流子的通過。非晶硅太陽電池是最理解的一種廉價電池,它的最大特點就是薄,不同于單晶硅與多晶硅電池需要以硅片為襯底,而是在玻璃或不銹鋼等材料的表面鍍上一層薄薄的硅膜,其厚度只有單晶硅的1/300;因此,可以大量節(jié)省硅材料,加之可連續(xù)化大面積生產(chǎn),能耗也低,成本自然也低。◆ 有機半導體薄膜電池。⑵ Backcontact太陽能電池板為了提高轉(zhuǎn)換效率及美學效果,在單晶硅、多晶硅電池板的基礎(chǔ)上,各大太陽能電池廠家對電池板的工藝結(jié)構(gòu)做了進一步優(yōu)化,其中以SunPower生產(chǎn)的A300太陽能電池板最為突出。在使用中,如果電池阿辦的電位極性配置不合理,可能會降低電池板的轉(zhuǎn)換效率,但對電池板的壽命不造成影響。表面極化發(fā)生機理:1. 當電池組對地呈正電壓時,“表面極化”現(xiàn)象發(fā)生。當電池組對地呈負電壓時,漏電流由地流向電池表面,從而表面堆積的是正電荷,在正電荷作用下,表面等效晶體管處斷開狀態(tài),不會影響電池組工作。它的吸收系數(shù)比單晶硅要高出一個數(shù)量級。③ 制備非晶硅的工藝和設備簡單,淀積溫度低,時間短,適于大批生產(chǎn)。由于電池本身是薄膜型的,太陽的光可以穿透,所以還可做成疊層式的電池,以提高電池的電壓。這是因為:輕摻雜的非晶硅的費米能級移動較小,如果用兩邊都是輕摻雜的或一邊是輕摻雜的另一邊用重摻雜的材料,則能帶彎曲較小,電池的開路電壓受到限制;如果直接用重摻雜的p+和n+材料形成p+n+結(jié),那么,由于重摻雜非晶硅材料中缺陷態(tài)密度較高,少子壽命低,電池的性能會很差。而較高的內(nèi)建電場也基本上從這里展開,使光生載流子產(chǎn)生后立即被掃向n+側(cè)和p+側(cè)。除了非晶硅薄膜電池以外,市場上主要有CIS和CdTe類國外有批量生產(chǎn)。而且太陽能發(fā)電產(chǎn)生的環(huán)保效應和社會效益則是巨大的。從圖中可以看到,光照越強(短路電流越大)電池的開路電阻越小,多晶硅薄膜電池的開路電阻最小,其次是CIS薄膜電池,CdTe電池開路電阻最大。CIS電池B的電壓介于多晶硅與CdTe電池之間,而CdTe電池C的開路電壓最化范圍較大,幾乎為圖中的整個電壓范圍。:薄膜電池的年產(chǎn)量 美國各種薄膜電池組件年產(chǎn)量從上圖可以看出,薄膜電池是未來的一種趨勢。我們認為隨著技術(shù)發(fā)展,c/c值會達到一個比較合理的值:80%,從而可以預估未來太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率(將當前實驗室最高效率*80%得未來效率)。 壓力測試示意圖這種效應晶體硅及薄膜電池中均存在,在CdS電池中比較明顯,Cu2SCdS電池中未觀察到該現(xiàn)象。② 腐蝕造成裂化延伸到薄膜電池層。⑥ 在照明條件下,偏濕熱的情況下會造成和和實際應用的一樣的損壞。電池單元鑲嵌在無框架的玻璃上,漏電流較?。环蔷щ姵貑卧押迷跓o暇的金屬貼箔上,漏電流會比較大。A. 漏電流對薄膜電池性能的影響 非晶硅、CdTe薄膜電池結(jié)構(gòu)、CdTe薄膜電池結(jié)構(gòu),從上到下的順序依次為:Class → TCO(SnO2:F)→ Active PV Layers → EVA → class backsheet對于CIS薄膜電池,具體的結(jié)構(gòu)順序無從查證,從上到下的順序依次可能為:class superstrate → EVA→ Active PV Layers → Mo → class ???由于CIS薄膜電池的工藝及材料都與非晶硅、CdTe薄膜電池不同,故從非晶硅、CdTe薄膜電池得到的實驗結(jié)果不能簡單套用,關(guān)于它受漏電流影響而出現(xiàn)的現(xiàn)象仍無從得知,相關(guān)文獻都沒有給出結(jié)論。對地電位正偏的薄膜電池受腐蝕程度相對較小,與沒有漏電流相似,注意并不是沒有腐蝕。、。薄膜電池性能受漏電流的影響總結(jié)如下:① 電池板對地存在負偏壓時腐蝕較大,負偏壓越大,腐蝕越大。在白天,流經(jīng)EVA與glass接觸面(R2)和EVA內(nèi)部 (R3)是漏電流的主要路徑。對于CIS薄膜電池,由于沒有足夠的證據(jù),仍然很難給出一個明確的結(jié)論。近年來,效率已經(jīng)越來越成為各光伏逆變器廠商競爭的關(guān)鍵。在太陽能逆變器拓撲中,主要有帶變壓器型逆變器與無變壓器型逆變器兩種;由于變壓器本身的效率一般為98%~99%,這無形中就降低了太陽能逆變器效率1%~2%,因此,在傳統(tǒng)太陽能電池板應用中,無變壓器型逆
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