霍爾效應的應用實驗報告-wenkub
2023-05-29 04:16:05 本頁面
【正文】 磁場B的大?。徊⑶胰糁d流子類型(n型半導體多數(shù)載流子為電子，P型半導體多數(shù)載流子為空穴),則由VBB’的正負可測出磁場方向，反之，若已知磁場方向，則可判斷載流子類型。 V4然后求它們的代數(shù)平均值，可得：通過對稱測量法求得的VH誤差很小。 B +B根據(jù)副效應產生的機理，采用電流和磁場換向的對稱測量法基本上能把副效應的影響從測量結果中消除。設試樣的寬為b，厚度為d，載流子濃度為n ，則 （2） 由（1）、（2）兩式可得： (3)即霍爾電壓（A 、A／電極之間的電壓）與乘積成正比與試樣厚度成反比。如圖151所示的半導體試樣，若在X方向通以電流 ，在Z方向加磁場，則在Y方向即試樣 AA/ 電極兩側就開始聚集異號電荷而產生相應的附加電場。測試儀：（1）兩組恒流源。三、 器材：實驗儀：（1）電磁鐵。.. . . . ..一、 名稱：霍爾效應的應用二、 目的：1．霍爾效應原理及霍爾元件有關參數(shù)的含義和作用2．測繪霍爾元件的VH—Is，VH—IM曲線，了解霍爾電勢差VH與霍爾元件工作電流Is，磁場應強度B及勵磁電流IM之間的關系。（2）樣品和樣品架。（2）直流數(shù)字電壓表。電場的指向取決于試樣的導電類型。比例系數(shù)稱為霍爾系數(shù)，它是反映材料霍爾效應強弱的重要參數(shù)。具體的做法是Is和B（即IM）的大小不變，并在設定電流和磁場的正反方向后，依次測
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