金閘管及其電路ppt課件-wenkub
2023-05-22 04:33:19 本頁面
【正文】 四 層 半 導 體 K（陰極） G（控制極） A（陽極） PNPN四層半導體結構 三 個 PN 結 符號 A K G G K P1 P2 N1 N2 A P P N N N P A G K 2. 晶閘管工作原理 陽極 陰極 控制極 A P P N N N P G K ig 223。 可控硅導通的條件： （ 1）陽極 A加正電壓 （ 2）控制極 G加正的觸發(fā)電壓 可控硅截止的條件： (2)可控硅正向導通后，若令其關斷，必須減小 UAK（或使 UAK反向），使可控硅中電流小于某一最小電流 IH （ IH稱為維持電流） A ig 223。 若使其關斷，必須降低 UAK 或加大回路電阻，把陽極電流減小到維持電流以下。當 U = UDSM（ 正向轉折電壓）時，晶閘管自動導通。 (1) UDRM：正向阻斷電壓 晶閘管耐壓值。普通晶閘管 URRM為 100V3000V） (2) URRM：反向峰值電壓 U I IH IF 額定正向平均電流 UDSM 正向轉折電壓 URSM 反向擊穿電壓 UDRM URRM (3) IF：額定正向平均電流： 通用系列為： 50、 100、 200、 300、 400 500、 600、 800、 1000A 等 14種規(guī)格。 u1 u2 uT uL A G K RL uG (3) 輸出電壓及電流的平均值 p ? = ? w p t d u U L L 2 1 ? = p ? w w p t td U sin 2 2 1 2 L L L R U I = 2co 2??= Uw t uL ? 2p p UDRM= 2 2 U 承受的最高反向電壓 : t uT 一、電阻性負載橋式可控整流電路 (1) 電路及工作原理 ? u2 0的導通路徑： u2 (A) T1 RL D2 u2 (B) T T2 晶閘管 D D2 二極管 T1 T2 D1 D2 RL uL u2 A B + T1 、 D2導通， T2 、 D1截止 uG . 單相半控橋式整流電路 T2 RL D1 u2 (A) u2 (B) ? u2 0的導通路徑： T T2 晶閘管 D D2 晶體管 T1 T2 D1 D2 RL uL u2 A B + uG T2 、 D1導通， T1 、 D2截止 (2) 工作波形 t u2 t uG t uL t uT1 T1 T2 D1 D2 RL uL u2 A B + ? ? (3) 輸出電壓及電流的平均值 ? = p ? w p ) ( 1 L t d u U L ? = p ? w w p ) ( sin 2 1 2 t td U 2co 2??= UL L L R U I = w t uL ? 2p p 例：橋式可控整流電路中，U2=220V， RL=3?,可控硅控制角 ?=15~180?
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