mosfet直流特性ppt課件-wenkub
2023-05-20 18:16:19 本頁面
【正文】 ??? ??、2pppnnn qpJqnJr iumn o n e qu ilib ???? ??????：pppnnn GRJqtpGRJqtne q u a t io nco n t in u it y?????????????? 113 、器件結(jié)構(gòu) 以 NMOS為例，結(jié)構(gòu)和尺寸如圖所示 GSVxyz0wLcxDSVbsVSSiP ??n?nDSIreg io nD ep letio noxt基本假定 ① 襯底均勻摻雜 ② 氧化層中面電荷密度 Q0為常數(shù) ③ 忽略源、漏區(qū)體電阻 ④ 忽略源、漏 PN結(jié)和場(chǎng)感應(yīng)結(jié)的反向漏電流 ⑤ 長(zhǎng)、寬溝 MOSFET： WLToxXc ⑥ 反型層載流子遷移率為常數(shù)，其值取位于柵和漏平均電場(chǎng)處的表面遷移率，盡管 與 Ex、Ey都有關(guān)。 Vy： y點(diǎn)相對(duì)于源端的電位 電流－電壓方程（ 1） dxqnyVwdxyVqnwd x d zJI YsYsnDS ???????????????00)( ??????0)( qn d xyQ i )( yQdydVWI IysDS ??yVIsLDS dVyQWdyIDS?? ?00)(? yVisDS dVyQLWI DS???0)(?0 yLYVDSVSByfs VVy ??? ?? 2)(oxbisFBGS CyQyQyVV )()()( ???? ?)()2()( max yQVVVCyQ byFFBGSoxi ?????? ?)( sbVVyq ?fpEvEiEcEfq?fnEx)(yq s?),( yxq?SiP ?（強(qiáng)反型近似） )2(2)( 0m a x SByfBsid a m xBb VVqNxqNyQ ?????? ???電流－電壓方程 yVIsDS dVyQLWI DS??0)(?一級(jí)近似模型： MOSFET線性區(qū) 假設(shè) 12 假定沿溝道長(zhǎng)度方向的體電荷密度 Qb是固定的，即與漏電壓 VDS無關(guān)： )2(2)( 0max SBfBsib VqNyQ ??? ???)()( YTnGSoxi VVVCYQg iv ew h ic h ????DSDSTnGSoxsDS VVVVCLWIh a v eWe )( ???? ?這一電流方程最先由 1964年得到，稱為薩之唐方程，也是 SPICE中的 LEVEL 1級(jí)模型。對(duì)于長(zhǎng)溝道， L’?L， 可以認(rèn)為溝道長(zhǎng)度基本不變，電流也不再變化，夾斷后 漏電流由 Idsat外推得到。 對(duì)于短溝道器件，溝道長(zhǎng)度調(diào)制 使得 MOST 工作在飽和區(qū)時(shí)，漏電流 I
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