【正文】 2 2 題 214 解圖 1 解：由于 IE=IB+IC， 所以 A 為集電極， B 為基極， C 為發(fā)射極， 50 ?? mAmA?。 （ 2）根據(jù)二極管動態(tài)電阻的定義， Q 點(diǎn)小信號情況下的動態(tài)電阻為： ? ??????????? IUr 根據(jù)已知條件，二極管上的交流電壓有效值為 10mA，故流過的交流有效值為： ? ? )mA(1mA1010Dd ????????? rUI i 15. 測得某晶體管的電流 IE=2mA， IB=50μ A， ICBO=1μ A，試求 ? 、 ? 及 ICEO。 14. 電路及二極管伏安特性如題 214 圖所示，常溫下 UT≈ 26mV，電容 C 對交流信號可視為短路， ui 為正弦波，有效值為 10nV，問： （ 1）極管在輸入電壓 ui 為零時的電流和電壓各為多少？ （ 2）二極管中流過的交流電流有效值為多少？ VT2 0V 12V 3V 12V VT1 12V 15V VT3 題 213 解圖 (b) 2 1 m/V 1 0 i/mA 4 3 VD 500Ω 2V + _ _ + uo ui C R U (a) 題 214 圖 解 ： （ 1） 利用圖解法可以方便地求出二極管的 Q 點(diǎn)。 在實驗室中，常常通過對電路中晶體管各腳電位的測試來判斷晶體管的類型、材料及其工作狀態(tài)。三角波負(fù)半周VDZ ui uo _ + _ 題 211 圖 3KΩ + ui uo t t 0 15V 15V 8V 15V 題 211 解圖 VDZ1 _ + _ 題 212 圖 + VDZ2 uo 3KΩ ui 8V uo 15V 8V t 0 15V 題 212 解圖 uo t 時，穩(wěn)壓管 VDZ2 正向?qū)?，?dāng)電壓幅值小于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值時，穩(wěn)壓管 VDZ1 截止，當(dāng)?shù)扔诖笥诜€(wěn)壓值時，穩(wěn)壓管反向擊穿，輸出電壓為穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值。 11. 電路如題 211 圖所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ=8V，設(shè)輸入信號是峰值為 15V 的三角波，試畫出輸出電壓 uo 的波形。在 DV3 和 DV4 導(dǎo)通的情況下，斷開二極管 DV1 和 DV2，此時 DV1 兩端電壓近似為 2V； DV2 兩端電壓為 8V；因此 DV2 導(dǎo)通。在 CD1 導(dǎo)通情況下，斷開 VD2，此時 VD2 兩端壓降為 9V，所以 VD2 截止。 10. 二極管電路如 210 圖所示，試判斷圖中二極管是導(dǎo)通還是截止？輸出電壓為多少？ VD1 VD2 3KΩ (c) 6V + _ 9V 12V +12V (d) VD3 + uo VD4 VD2 VD1 6V 0V 8V _ 6KΩ 6KΩ 3kΩ (b) VD _ + 3V 5V uo 2KΩ 3kΩ 12V + _ VD uo 6V (a) 題 210 圖 解： 在題 210（ a）圖中，將二極管斷開，以二極管的兩個極為端口向外看，如題 210 解（ a）圖所示，則 A—B 間電壓為 –6 –(–12)=6（ V），二極管處于正偏，導(dǎo)通。 6. 三極管的電流放大系數(shù) α、 β 時如何定義的？能否從共射極輸出特征曲線上求得 β？在整個輸出特性曲線中，是否均勻一致？ 答： α：共基極電流放大系數(shù)； β：共射極電流放大系數(shù)；根據(jù) β 的定義，可以在共射極輸出特性曲線上求出，在整個輸出特性曲線上， β 的取值并不均勻一致，只有在放大區(qū)內(nèi)，取值才一致。 5. 既然三極管具有兩個 PN 結(jié)，可否用兩個二極管相連以構(gòu)成一只三極管，說明理由。 （ 8）錯；絕緣柵場效應(yīng)管因為柵 源之間和我柵 漏之間有 SiO2 絕緣層而使柵 源間電阻非常大，因此耗盡型 N 溝道 MOS 場效應(yīng)管的 UGS大于零，有絕緣層故而吧影響輸入電阻。 （ 4）錯；穩(wěn)壓源要進(jìn)入穩(wěn)壓工作狀態(tài)，兩端的反向電壓必須達(dá)到穩(wěn)壓值。 （ ） 答案：（ 1）對；溫度升高后，載流子濃度增加，但是對于本征半導(dǎo)體來講，電子和空穴的數(shù)量始終是相等的。 （ ）（ 5）體管工作在飽和狀態(tài)時發(fā)射極沒有電流流過。 2. 判斷下列說法正確的與否 （ 1）本征半導(dǎo)體溫度升高后，兩種載流子濃度仍然相等。 （ 4）晶體管的三個工作區(qū)分別是 、 和 。 1. 填空 （ 1） N 型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入 ； P 型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入 。在放大電路中，晶體管通常工作在 區(qū)。 （ ） （ 2） P 型半導(dǎo)體帶正電， N 型半導(dǎo)體帶負(fù)電。 （ ） （ 6）在 N 型半導(dǎo)體中如果摻入足量的三價元素。 （ 2）錯。 （ 5）錯；晶體管工作 在飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)時發(fā)射極有電流流過，只有在截止?fàn)顟B(tài)時沒有電流流過。 3. 為什么使用二極管時，應(yīng)特別注意不要超過 最大正向平均電流（最大整流電流）和最高反向工作電壓。 答：不能。 7. 一只 NPN 型三極管，能否將 e 和 c 兩電極交換使用？為什么？ 答：不能，因為三極管中兩個 PN 結(jié)不對稱，摻雜濃度也不同，發(fā)射區(qū)濃度大， 集電區(qū)濃度小。 在題 210（ a）圖中，將二極管斷開，以二極管的兩個極為端口向外看，如題 210 解（ b）圖所示，則 A—B 間電壓為 3 15103102 102333 ????? ? (A)，二極管處于正偏，導(dǎo)通。 在題 210(d)中，應(yīng)分別判斷每只管子的狀態(tài)。需要注意的是， DV2 和 DV4 的導(dǎo)通將使 DV3 兩端的電壓為 8V，使DV3 截止 。 解：電路如題 211 解圖所示，三角波正半周期時，當(dāng)電壓幅值小于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值時，穩(wěn)壓管截止，當(dāng)?shù)扔诖笥诜€(wěn)壓值時，穩(wěn)壓管反向擊穿，輸出電壓為穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值；三角波負(fù)半周時，穩(wěn)壓管正向?qū)?，假設(shè)正向電阻為 0，則輸出電壓為零。 13. 測得放大電路中三只晶體管三個電極的直流點(diǎn)位如題 213 他所示。 NPN 型管和 PNP 型管工作在放大狀態(tài)時，電位滿足如下關(guān)系： NPN 管： UC≧ UBUE PNP 管： UC≦ UBUE 硅管導(dǎo)通時發(fā)射結(jié)壓降大約為 ，鍺管導(dǎo)通時發(fā)射結(jié)壓降大約為 。在動態(tài)信號為零時，二極管導(dǎo)通，電阻 R 中電流與二極管電流相等。 解： IC≈ ? IE，而 BCE III ?? 則EBEI II ??? = ??? ??1 =39 ? ? ? ?μA4011 1CBOCBOC E O ????? III ?? 16. 某放大電路中雙極型晶體三個電極的電流如題 217 圖所示。 17. 一個結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如題 218 圖所示。 （ 2）當(dāng) uI=8V，即 UGS=8V 時，從輸出特性曲線可知，管子工作在恒流區(qū)，且 iD=1mA，則 u=uDS=VDDiDRD=155=10(V)。 （ A）發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 （ 2） .晶體管工作在飽和區(qū)時，具有如下特點(diǎn) 。 （ D）發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。用直流電壓表測得 UCE=8V，這說明 。 （ A）正半波消波 （ B）負(fù)半波消波 （ C）雙向消波 （ D）不消波 （ 10） .當(dāng)輸入電壓為余弦信號時，如果 NPN 管共射極放大電路發(fā)生飽和失真，則基極 iB的波形將 ，集電極電流 iC的波形將 ，輸出電壓 uo 的波形將 。當(dāng)為 CE 組態(tài)電路時， ui 和 uo 的相位 ；當(dāng)為 CC 組態(tài)電路時，ui 和 uo 的相位 ；當(dāng)為 CB 組態(tài)電路時， ui 和 uo 的相位 。 （ A） 耦合 （ B） 旁路 （ C）三極管間 （ 17） .三極管的特征頻率 ?T點(diǎn)對 應(yīng)的 β 為 。電路的通頻寬帶為 。 （ A）耦合 （ B）旁路 （ C ）三極管極間 答案： . ,B. . ,A,C,A. . ,A ,A,B 13,B,A,A ,C,B,D ,B,CC,B 16,A,B,C 17,A 18,A 20,C,ABC,AB 21. 說明利用三極管組成放大電路的基本原則。 22. 題 33 圖所示電路中，已知硅型晶體三極管發(fā)射結(jié)正向?qū)妷簽?， β=100，臨 界放大飽和時三極管壓降（集電極 —發(fā)射極電壓）為 ，判斷電路中各晶體管的 工作狀態(tài)。 23. 試畫出用 PNP、 NPN 型三極管組成的單管共 射放大電路的原理圖，標(biāo)出電源電壓的極性，靜態(tài)工作電流 IB、 IC的實際方向及靜態(tài)電壓 UBE、 UCE 的實際極性。 其中靜態(tài)工作電路 UU 的實際方向如圖中箭頭所示，靜態(tài)電壓 UBE 、UCE 。 （ a） 不能。 （ c） 不能。 25. 請畫出題 36 圖中放大電路的直流通路。 27. 已知晶體管的 ? =50， UBE=，求題 38 圖所示電路的工作點(diǎn)。 解： （ 1） 放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn) CQI 和 CEQU 的計算如下。 若 RL=∞ ，交流負(fù)載線斜率與直流負(fù)載線斜率相同，為3CLC 103 11//1 ?????? RRR. 如題 39 解圖（ b）所示。 解：根據(jù)題 310 圖所示電路列寫輸出直流負(fù)載線方程。 （ 1）估算直流工作點(diǎn) ICQ 和 UCEQ ； （ 2）若偏置電阻 RB RB2 分別開路，試分別估算集電極電位 UC，并說明三極管的工作狀態(tài)； （ 3）若 RB1 開路時，要求 ICQ=2mA ，試確定 RB2 應(yīng)該取多大值？ 解： （ 1）直流工作點(diǎn) ICQ 和 UCEQ 的估算。 （ 1）畫出交流通路及簡化 h 參數(shù)等效電路； （ 2）計算輸入電阻 ?ir 、電壓增益 UA 、考慮信 號源內(nèi)阻時的電壓增益 UA 和輸出電阻 ?or 。 （ A）柵源電流 （ B）柵源電壓 （ C）漏源電流 （ D）漏源電壓 （ 2）結(jié)型場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷后，管子 。 （ A）大于零 （ B）小于 零 （ C）等于零 （ D）大于零或小于零 （ 6）增強(qiáng)型 NMOS 管的開啟電壓 。 （ A）管子跨導(dǎo) gm （ B）源極電阻 RS （ C）管子跨導(dǎo) gm和源極電阻 RS RB1 RS (a)交流通路 VT uo RL RC RB2 + ui + RC + ri/ RS (b) 交流等效電路 hie uo RL RB1//RB2 + us + ib hfeib ui ro/ 題 316 圖 （ 10）某場效應(yīng)管的 DSI 為 6mA，而 DQI 自漏極流出，大小為 8mA，則該管是 。 解： （ a） 能。 （ c） 能。 雖然 N 溝道耗盡型MOSFET 的漏極 D和源極 S 可以顛倒使用，但是此時襯底的接法也需要調(diào)整。 VT 是一個 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，開啟電