微星h61主板bios設(shè)置-wenkub
2023-04-28 04:56:17 本頁面
【正文】 稱是High Precision Event Timer（高精度事件定時器）。 3HPET配置可點擊放大 開啟/關(guān)閉板載HD音頻解碼器，默認是開啟。硬盤設(shè)置為熱插拔后，這個SATA接口就可以連接eSATA移動硬盤，可以在開機是插拔?？牲c擊放大 這是H61的SATA配置。開啟，就是從網(wǎng)卡ROM啟動。S1是只關(guān)閉顯示，S3是只保持內(nèi)存有+5V SB供電，其余都停止供電。 2ACPI待機狀態(tài)可點擊放大比如第一個設(shè)置就是延遲32個PCI總線時鐘。 一、主菜單該菜單顯示基本硬件配置和設(shè)置日期時間（可點擊放大）可點擊放大可點擊放大英特爾在6系列芯片組取消了PCI總線。都默認是S3，可點擊放大 2種狀態(tài)，閃爍和雙色。 3板載網(wǎng)卡可點擊放大開啟/關(guān)閉板載網(wǎng)卡。一般無盤網(wǎng)要設(shè)置為開啟。 3SATA配置可點擊放大有IDE和AHCI 2種模式。 3聲卡配置可點擊放大HPET是Intel制定的用以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的8254（PIT）中斷定時器與RTC定時器的新定時器。 整合圖形設(shè)備可點擊放大IGD是內(nèi)部整合顯卡。 [IGD]是 內(nèi)置顯卡，設(shè)為首選項時系統(tǒng)首先初始化IGD。 [PEG]是PCIE顯卡，設(shè)為首選項時系統(tǒng)首先初始化PEG。 [PCI]是PCI顯卡，設(shè)為首選項時系統(tǒng)首先初始化PCI。 4內(nèi)置顯卡共享內(nèi)存可點擊放大這里設(shè)置的是靜態(tài)共享顯存。 USB配置可點擊放大 5USB控制器開啟/關(guān)閉USB控制器，默認是開啟（可點擊放大） 開啟/，默認是開啟。 超級I/O配置可點擊放大 設(shè)置項有自動和若干IO地址、中斷號。 設(shè)置項有自動和若干IO地址、中斷號。 7監(jiān)控頁面可點擊放大目標溫度就是CPU的溫度，從40到70度，設(shè)置時選定一個溫度，就是說CPU在達到這個溫度前風扇是低速轉(zhuǎn)，達到這個溫度后風扇加速。 72設(shè)置風扇最小轉(zhuǎn)速可點擊放大設(shè)定溫度目標后，彈出風扇最小轉(zhuǎn)速設(shè)置，這里的轉(zhuǎn)速是按風扇的實際轉(zhuǎn)速百分比設(shè)置的。 這里是控制系統(tǒng)風扇的轉(zhuǎn)速，有三檔，百分之50、7100。開啟EUP2013可能導致開機加電時間略微延遲。市電有時會掉電，這項設(shè)置就是應對市電掉點后再來電電腦是開機，還是關(guān)機，或者保持掉電前的狀態(tài)。 APS模式（Active Phase Switching）也叫主動相變換模式，是微星的動態(tài)相位切換功能，其原理是依據(jù)CPU的負載調(diào)控PWM供電的相數(shù)。 關(guān)閉：關(guān)閉CPU供電相切換功能喚醒事件管理可點擊放大 設(shè)置喚醒事件由BIOS管理/OS管理。時鐘喚醒 開啟/關(guān)閉時鐘喚醒，默認是關(guān)閉。超頻菜單該菜單主要設(shè)置CPU、GPU、DRAM的頻率、電壓（可點擊放大）超內(nèi)部PLL電壓可點擊放大 設(shè)置項有Auto/關(guān)閉/開啟，默認是自動。到后來，新推出的桌面處理器也內(nèi)置了該項技術(shù)。單核工作時頻率可提高20%。 這是一鍵超頻功能，在H61主板上沒有作用。開啟/關(guān)閉XMP，默認是關(guān)閉。第一梯隊的六個參數(shù) 這6個參數(shù)是最重要的，可以在CPUZ里面看到。這個選項是內(nèi)存控制器開始發(fā)送命令到命令被送到內(nèi)存芯片的延遲。性能低的設(shè)置1T后肯定要藍屏死機。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應該盡可能設(shè)低。JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能，如果該值設(shè)置太低，同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。也叫做“內(nèi)存行地址控制器預充電時間”，預充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。參數(shù)值大將提高系統(tǒng)的穩(wěn)定。即“內(nèi)存行有效至預充電的最短周期”，調(diào)整這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。它是“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數(shù)。DRAM參數(shù)的第二梯隊 tWR：參數(shù)范圍516T。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預充電操作，會導致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。tWTR值偏高，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。也稱為RAS to RAS delay ，表示“行單元到行單元的延時”。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。這個參數(shù)實際上就是讀命令和預充電明令之間的時間間隔。該選項通常設(shè)置為Auto即可，對性能以及穩(wěn)定性影響不大。這個參數(shù)和tCL（CASLatency）是相對的，tCL是“讀”的延遲，tWCL是“寫”的延遲。RTL就是DRA
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