材料物理性能-吳其勝-習題解答-wenkub
2023-04-19 02:26:54 本頁面
【正文】 恢復后的應變，應變的回復方程就可寫成 110當取Tg為參考溫度時log中的C1=,C2=，求以Tg+50℃為參考溫度時WLF方程中的常數(shù)C1和C2。103 N/m2,若可用單一Maxwell模型來描述,求其松弛時間τ值。解：Maxwell模型可以較好地模擬應力松弛過程： Voigt模型可以較好地模擬應變蠕變過程： 以上兩種模型所描述的是最簡單的情況，事實上由于材料力學性能的復雜性，我們會用到用多個彈簧和多個黏壺通過串并聯(lián)組合而成的復雜模型。若該陶瓷含有5 %的氣孔，再估算其上限和下限彈性模量。解：根據(jù)題意可得下表拉伸前后圓桿相關參數(shù)表體積V/mm3直徑d/mm圓面積S/mm2拉伸前拉伸后 由計算結果可知：真應力大于名義應力，真應變小于名義應變。12一試樣長40cm,寬10cm,厚1cm，受到應力為1000N拉力，109 N/m2，能伸長多少厘米?1cm10cm40cmLoadLoad解： 108 N/m2,，計算其剪切模量和體積模量。解：令E1=380GPa,E2=84GPa,V1=,V2=。如采用四元件模型來表示線性高聚物的蠕變過程等。解：根據(jù)Maxwell模型有： 可恢復 不可恢復 依題意得：所以松弛時間τ=η/E=105/2104=5(s).19一非晶高聚物的蠕變行為可用一個Maxwell模型和一個Voigt模型串聯(lián)描述，若t=104 N/m2至10小時,移去應力后的回復應變可描述為,t為小時，請估算該力學模型的四個參數(shù)值。 解：FττNτ60176。5102030405060250500950125014701565169070809010012015016601500140013801380(斷)ε屈服點揚氏模量,由圖中未達屈服點時線段的斜率可求出。解： 115波函數(shù)的幾率流密度，取球面坐標時，算符，求定態(tài)波函數(shù)的幾率流密度。彈性模量從60到75Gpa=118 融熔石英玻璃的性能參數(shù)為：E=73 Gpa；γ= J/m2；理論強度σth=28 Gpa。如果E=380 Gpa，μ=，求KIc值，設極限荷載達50Kg。討論用此試件來求KIC值的可能性。(3)2 um, 分別求上述三種情況下的臨界應力。94= J/22 康寧1723玻璃（硅酸鋁玻璃）具有下列性能參數(shù)：λ=(.℃)。=226*==447℃2系統(tǒng)自由能的增加量，又有若在肖特基缺陷中將一個原子從晶格內移到晶體表面的能量求在0℃產(chǎn)生的缺陷比例（即）是多少？25在室溫中kT=,，采用玻爾茲曼統(tǒng)計分布函數(shù)計算時，相對于費米狄拉克統(tǒng)計分布函數(shù)計算的誤差有多少？26 NaCl和KCl具有相同的晶體結構，它們在低溫下的Debye溫度θD分別為310K和230K，*102J/(),試計算NaCl在5K和KCl在2K的定容摩爾熱容。 29 試計算一條合成剛玉晶體Al2O3棒在1K的熱導率，它的分子量為102，直徑為3mm，聲速500m/s，密度為4000kg/m3，德拜溫度為1000K。(2) 若給定T1=500K，σ1=109（T2=1000K，σ2=106（ 計算電導活化能的值。（4）討論添加Al2O3對NiO電導率的影響。試回答以下問題：（1）設N=1023cm3,k=”*, Si(Eg=),TiO2(Eg=)在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm3）各是多少：（2）半導體的電導率σ（）可表示為式中n為載流子濃度（cm3），e為載流子電荷（*1019C）,μ為遷移率（）當電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，假定Si的遷移率μe=1450（），μh=500（），且不隨溫度變化。49 設硅中施主雜質電離能，施主雜質濃度，以施主雜質電離90%作為達到強電離的最低標準，試計算保持飽和雜質電離的溫度范圍。解：垂直于板面方向磁化,則為垂直于磁場方向J = μ0M = 1Wb/m2退磁場Hd = NM大薄片材料,退磁因子Na = Nb = 0, Nc
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