無(wú)機(jī)材料物理性能習(xí)題解答-wenkub
2023-04-19 02:26:13 本頁(yè)面
【正文】 后的應(yīng)變，應(yīng)變的回復(fù)方程就可寫成 110當(dāng)取Tg為參考溫度時(shí)log中的C1=,C2=，求以Tg+50℃為參考溫度時(shí)WLF方程中的常數(shù)C1和C2。103 N/m2,若可用單一Maxwell模型來描述,求其松弛時(shí)間τ值。解：Maxwell模型可以較好地模擬應(yīng)力松弛過程： Voigt模型可以較好地模擬應(yīng)變?nèi)渥冞^程： 以上兩種模型所描述的是最簡(jiǎn)單的情況，事實(shí)上由于材料力學(xué)性能的復(fù)雜性，我們會(huì)用到用多個(gè)彈簧和多個(gè)黏壺通過串并聯(lián)組合而成的復(fù)雜模型。若該陶瓷含有5 %的氣孔，再估算其上限和下限彈性模量。解：根據(jù)題意可得下表拉伸前后圓桿相關(guān)參數(shù)表體積V/mm3直徑d/mm圓面積S/mm2拉伸前拉伸后 由計(jì)算結(jié)果可知：真應(yīng)力大于名義應(yīng)力，真應(yīng)變小于名義應(yīng)變。12一試樣長(zhǎng)40cm,寬10cm,厚1cm，受到應(yīng)力為1000N拉力，109 N/m2，能伸長(zhǎng)多少厘米?1cm10cm40cmLoadLoad解： 108 N/m2,，計(jì)算其剪切模量和體積模量。解：令E1=380GPa,E2=84GPa,V1=,V2=。如采用四元件模型來表示線性高聚物的蠕變過程等。解：根據(jù)Maxwell模型有： 可恢復(fù) 不可恢復(fù) 依題意得：所以松弛時(shí)間τ=η/E=105/2104=5(s).19一非晶高聚物的蠕變行為可用一個(gè)Maxwell模型和一個(gè)Voigt模型串聯(lián)描述，若t=104 N/m2至10小時(shí),移去應(yīng)力后的回復(fù)應(yīng)變可描述為,t為小時(shí)，請(qǐng)估算該力學(xué)模型的四個(gè)參數(shù)值。 解：FττNτ60176。5102030405060250500950125014701565169070809010012015016601500140013801380(斷)ε屈服點(diǎn)揚(yáng)氏模量,由圖中未達(dá)屈服點(diǎn)時(shí)線段的斜率可求出。解： 115波函數(shù)的幾率流密度，取球面坐標(biāo)時(shí)，算符，求定態(tài)波函數(shù)的幾率流密度。彈性模量從60到75Gpa=118 融熔石英玻璃的性能參數(shù)為：E=73 Gpa；γ= J/m2；理論強(qiáng)度σth=28 Gpa。如果E=380 Gpa，μ=，求KIc值，設(shè)極限荷載達(dá)50Kg。討論用此試件來求KIC值的可能性。(3)2 um, 分別求上述三種情況下的臨界應(yīng)力。94= J/22 康寧1723玻璃（硅酸鋁玻璃）具有下列性能參數(shù)：λ=(.℃)。=226*==447℃2系統(tǒng)自由能的增加量，又有若在肖特基缺陷中將一個(gè)原子從晶格內(nèi)移到晶體表面的能量求在0℃產(chǎn)生的缺陷比例（即）是多少？25在室溫中kT=,，采用玻爾茲曼統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)計(jì)算時(shí)，相對(duì)于費(fèi)米狄拉克統(tǒng)計(jì)分布函數(shù)計(jì)算的誤差有多少？26 NaCl和KCl具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，它們?cè)诘蜏叵碌腄ebye溫度θD分別為310K和230K，*102J/(),試計(jì)算NaCl在5K和KCl在2K的定容摩爾熱容。 29 試計(jì)算一條合成剛玉晶體Al2O3棒在1K的熱導(dǎo)率，它的分子量為102，直徑為3mm，聲速500m/s，密度為4000kg/m3，德拜溫度為1000K。(2) 若給定T1=500K，σ1=109（T2=1000K，σ2=106（ 計(jì)算電導(dǎo)活化能的值。（4）討論添加Al2O3對(duì)NiO電導(dǎo)率的影響。試回答以下問題：（1）設(shè)N=1023cm3,k=”*, Si(Eg=),TiO2(Eg=)在室溫（20℃）和500℃時(shí)所激發(fā)的電子數(shù)（cm3）各是多少：（2）半導(dǎo)體的電導(dǎo)率σ（）可表示為式中n為載流子濃度（cm3），e為載流子電荷（*1019C）,μ為遷移率（）當(dāng)電子（e）和空穴（h）同時(shí)為載流子時(shí)，假定Si的遷移率μe=1450（），μh=500（），且不隨溫度變化。49 設(shè)硅中施主雜質(zhì)電離能，施主雜質(zhì)濃度，以施主雜質(zhì)電離90%作為達(dá)到強(qiáng)電離的最低標(biāo)準(zhǔn)，試計(jì)算保持飽和雜質(zhì)電離的溫度范圍。解：垂直于板面方向磁化,則為垂直于磁場(chǎng)方向J = μ0M = 1Wb/m2退磁場(chǎng)Hd = NM大薄片材料,退磁因子Na = Nb = 0, Nc =
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