模擬電子技術(shù)及數(shù)字電子技術(shù)綜合復(fù)習(xí)題庫(kù)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》綜合復(fù)習(xí)資料第一章常用半導(dǎo)體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中，測(cè)得晶體管的各個(gè)電極的電位如下圖所示，該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管

2025-06-05 21:32

模擬電子技術(shù)模擬試題一-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（

2025-01-07 21:39

模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】模擬電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題：在下列各題中，將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題，總計(jì)34分)2、(本小題2分)若用萬(wàn)用表測(cè)二極管的正、反向電阻的方法來(lái)判斷二極管的好壞，好的管子應(yīng)為()。(a)正、反向電阻相等(b)正向電阻大，反向電阻小(c)反向電阻比正向電

2024-10-27 08:12

模擬電子技術(shù)模擬試題一-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】1《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結(jié)正偏時(shí)（），反偏時(shí)（），所以PN結(jié)具有（）導(dǎo)電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關(guān)，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當(dāng)其正偏時(shí)，結(jié)電阻為（

2024-10-29 08:43

數(shù)字電子技術(shù)模擬試卷及答案-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】試卷一一、填空題（20分）1．?dāng)?shù)字信號(hào)只有和兩種取值。2．十進(jìn)制123的二進(jìn)制數(shù)是；八進(jìn)制數(shù)是；十六進(jìn)制數(shù)是。3．設(shè)同或門(mén)的輸入信號(hào)為A和B，輸出函數(shù)為F。若令B=0，則F=若令

2024-10-26 18:00

數(shù)字電子技術(shù)模擬題一-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】01A=1A=1A=0A=0《數(shù)字電子技術(shù)》模擬題一一、單項(xiàng)選擇題（2×10分）1．下列等式成立的是（）A、A⊕1=AB、A⊙0=AC、A+AB=AD、A+AB=B2．函數(shù)F=(A+B+C+D)(

2025-01-09 20:04

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試題-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】專業(yè)班號(hào)姓名學(xué)號(hào)題號(hào)一二三四五六七總分得分一、選擇填空（每空2分共24分）1．非線性失真與線性失真（頻率失真）的最主要差別是________。（A）非線性失真使信號(hào)波形中任一點(diǎn)的幅值沒(méi)有得到

2025-03-25 04:55

電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】電子技術(shù)模擬試題卷庫(kù)電子技術(shù)試卷一一、單項(xiàng)選擇題：在下列各題中，將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)(本大題共13小題，總計(jì)34分)1、(本小題2分)由開(kāi)關(guān)組成的邏輯電路如圖所示，設(shè)開(kāi)關(guān)接通為“1”，斷開(kāi)為“0”，電燈亮為“1”，電燈暗為“0”，則該電路為()。(a)“與”門(mén) (b)“或”門(mén) (c)“非”門(mén)2、(本小題2

2025-03-25 06:14

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)—試題—填空-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=(1)。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為：高電平、低電平和高阻態(tài)。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)4位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器，其地

2025-03-25 02:54

數(shù)字電子技術(shù)試題及答案-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題庫(kù)一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器，其

2025-06-22 17:27

數(shù)字電子技術(shù)試題試卷一-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】試卷一一、填空題（每題3分，共24分）1．（F8）16=（_______）10=（____________）2。2．X=(-16)D，其一字節(jié)長(zhǎng)的[X]反=__________；[X]補(bǔ)=____________。3．寫(xiě)出右圖邏輯電路的輸出表達(dá)式F，F(xiàn)=____________。4．動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元是

2024-10-04 18:47

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題（一）一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)

2025-01-14 20:29

數(shù)字電子技術(shù)試題及答案-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】、填空題：（每空3分，共15分）1．邏輯函數(shù)有四種表示方法，它們分別是（真值表）、（邏輯圖）、（邏輯表達(dá)式）和（卡諾圖）。2．將2020個(gè)“1”異或起來(lái)得到的結(jié)果是（0）。3．由555定時(shí)器構(gòu)成的三種電路中，（施密特觸發(fā)器）和（單穩(wěn)定觸發(fā)器）是脈沖的整形電路。4．TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入（高）

2024-10-20 09:56

數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)—試題—選擇-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】二、選擇題：(選擇一個(gè)正確的答案填入括號(hào)內(nèi)，每題3分，共30分)，找出圖中觸發(fā)器在時(shí)鐘信號(hào)作用下,輸出電壓波形恒為0的是：（C）圖。圖1，輸出端可實(shí)現(xiàn)線與功能的電路是（D）。A、或非門(mén)B、與非門(mén)C、異或門(mén)D、OC門(mén)，其多余輸入端正確的處理方法是（D）。A、通過(guò)大電阻接地（）B、懸空C、通過(guò)小電阻接地（1KΩ）

2025-03-25 02:54

數(shù)字電子技術(shù)試題及答案-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】試題_2006_年~__2007__年第2學(xué)期課程名稱：數(shù)字電子技術(shù)專業(yè)年級(jí)：自動(dòng)化05級(jí)考生學(xué)號(hào)：考生姓名：試卷類型：A卷■B卷□考試方式:

2024-10-25 13:00

自考模擬數(shù)字與電力電子技術(shù)試題(存儲(chǔ)版)

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