【正文】 解：VO1≈，VO2＝0，VO3≈－，VO4≈2V，VO5≈，VO6≈－2V。圖b：對(duì)D1有陽(yáng)極電位為 0V，陰極電位為－12 V，故D1導(dǎo)通，此后使D2的陰極電位為 0V，而其陽(yáng)極為－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。解 （a）畫傳輸特性 0＜vI＜12 V時(shí)，D1，D2均截止，vo＝vI； vI≥12 V時(shí)，D1導(dǎo)通，D2截止 －10V＜vI＜0時(shí)，D1，D2均截止，vo＝vI； vI≤－10 V時(shí)，D2導(dǎo)通，D1 截止 傳輸特性如圖解 2．4 13中 a所示。1V） 解（1）求二極管的電流和電壓（2）求vo的變化范圍，溫度 T＝300 K。 vi1R D1+VCC（5V） D2vi2t 3 t 3 vi2/V (a) (b)vo 設(shè)二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆挥?jì)。圖中電壓表中流過(guò)的電流忽略不計(jì)。A．正向?qū)▍^(qū) B．反向截止區(qū) C．反向擊穿區(qū)。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬（3）設(shè)二極管的端電壓為vD，則二極管的電流方程是 c 。 (5) 五 種 數(shù) 據(jù) 時(shí)，分 析 哪 個(gè) 是 合 理 的？ 哪 個(gè) 表 明 出 了故 障？ 并 指 出 原 因。4．整 流 濾 波 電 路 如 圖 所 示， 變 壓 器 副 邊 電 壓 有 效 值， 負(fù) 載 電 阻， 電 容，當(dāng) 輸 出 電 壓 平 均 值 為: (1)14V。 ， 二極管為理想元件， 變壓器原邊電壓有效值 為220V， 負(fù)載電 阻。18. 當(dāng)三極管被接成共射極放大電路時(shí)，從輸出特性可劃分為三個(gè)工作區(qū)域，即_______________區(qū)，_______________區(qū)和 _______________區(qū) 。 C. 10/ V 9．橋式整流加電容濾波電路，設(shè)整流輸入電壓為20V，此時(shí)，輸出的電壓約為( ) 10．兩個(gè)硅穩(wěn)壓管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那個(gè)不是兩者串聯(lián)時(shí)可能得到的穩(wěn)壓值（ ）。A．小 B．大 C．中等 D．為零7．測(cè)得晶體管三個(gè)電極的靜態(tài)電流分別為 ， 和 。一、 （a）輸入電流控制輸出電流 （b）輸入電流控制輸出電壓 選擇題1．在N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子為電子，N型半導(dǎo)體（ ）A、帶正電 B、帶負(fù)電 C、不帶電 D、不能確定2．如果在NPN型三極管放大電路中測(cè)得發(fā)射結(jié)為正向偏置，集電結(jié)也為正向偏置，則此管的工作狀態(tài)為 （ ） A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、不能確定3．在一個(gè)放大電路中，測(cè)得某三極管各極對(duì)地的電位為U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣，則可知該管為（ ）。則電壓U0等于（ ）。（a）5V （b）17V （c）7V （a） (b) 6 ，二極管為理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV,R=4KΩ,則uF等于( ).（a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 7 ，二極管為理想元件，則輸出電壓U0為（ ）。（a）12V （b）9V （c）3V2 ，所有二極管均為理想元件，則DDD3的工作狀態(tài)為（ ）。（a）D1導(dǎo)通，DD3截止 （b）DD2截止，D3導(dǎo)通 （c）DD3截止，D2導(dǎo)通 3 ，所有二極管均為理想元件，則DD2的工作狀態(tài)為（ ）。（a）3V （b）0V （c）－12V8 （1）所示電路中，二極管D為理想元件，設(shè)u1=2sinωtV,穩(wěn)壓二極管DZ的穩(wěn)定電壓為6V，正向壓降不計(jì)，則輸出電壓u0的波形為圖（2）中的波形（ ）。（a）3V （b）15V （c）－3V11 ，穩(wěn)壓二極管DZ1的穩(wěn)定電壓UZ1=12V,DZ2的穩(wěn)定電壓UZ2=6V，則電壓U0等于（ ）。A. PNP鍺管 B. NPN硅管 C. NPN鍺管 D. PNP硅管 已知某三極管的三個(gè)電極電位為6V, , 2V, 則可判斷該三極管的類型及工作狀態(tài)為（ ）。則該管的β為（ ）。 V A. 15 V B. V C. V D. 3 V二、 填空題，雜質(zhì)半導(dǎo)體分為兩類，一類是在Si或Ge的晶體中摻入正三價(jià)的硼，稱為 或 ，在其中 是多數(shù)載流子， 是少數(shù)載流子；另一類是在Si或Ge中摻入正五價(jià)的磷，稱為 或 ，在其中 是多數(shù)載流子， 是少數(shù)載流子。在穩(wěn)壓時(shí)一定要在電路中加入 限流。則在模擬電路中，三極管一般工作在____________ 狀態(tài)，而在數(shù)字電路中，三極管一般工作_______________ 和 ______________狀態(tài)。 變壓器變比 .試 求:(1) 變壓器副邊電壓有效值。 (2)12V 。（15分）（c）輸入電壓控制輸出電壓　　　　　　　第1章　半導(dǎo)體二極管習(xí)題選解。A. B. C. （4）當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 a 。（1）（a）所示電路中二極管為理想器件，則D1工作在 狀態(tài)，D2工作在 狀態(tài)，VA為 V。當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)，電壓表V和電流表AA2的讀數(shù)分別為 、 、 ；當(dāng)開關(guān)S斷開時(shí)，其讀數(shù)分別為 、 、 。+ +_vi_vo +_vi_voR R DD1 D2 3V3V+++__ ，已知vi＝5sinωt (V)，二極管導(dǎo)通電壓VD＝。vi1/V 解：。 當(dāng)rd1=rd2=rd時(shí)，則 的變化范圍為，～。（b）當(dāng)vo＝vI=20 sinωt V時(shí)，vo波形如圖解2．4．13b所示。圖c：對(duì)D1有陽(yáng)極電位為12 V，陰極電位為0 V，對(duì)D2有陽(yáng)極電位為12 V，陰極電位為－6V．故D2更易導(dǎo)通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。 ，二極管導(dǎo)通電壓VD＝，常溫下VT≈26mV，電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路；vi為正弦波，有效值為10mV。 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值VZ＝6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin＝5mA。 （1）分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； （2）若VI＝35V時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？解：（1）當(dāng)UI＝10V時(shí)，若UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。+_VI_Vo+DZR 500Ω RL 1kΩ 10V_Vo+DZR 100Ω RL IZ=6V，PZ=，IZmin=2mA，當(dāng)要求RL兩端電壓Vo穩(wěn)定在6V時(shí)，求RL的變化范圍。若把電源電壓調(diào)到V1=10V，則電流的大小將是___。A、Vd= B、Vd C、Vd，已知二極管的反向擊穿電壓為20V, 當(dāng)V1=5V、溫度為20176。C下降到10176。A、B B、C C、A ，二極管是理想的，電阻R=6歐姆。為了減小溫度對(duì)穩(wěn)壓值的 影響，有人把同一型號(hào)的兩個(gè)穩(wěn)壓管正、反串聯(lián)，（A）和(B)所示。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等) 控制型器件。=100。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定，僅當(dāng)Rc減小時(shí)，VCEQ將____。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等），三極管223。，開關(guān)與C相接，三極管處于__狀態(tài)。=50,VBE=,若要求靜態(tài)電流ICQ=2mA,VCEQ=4V,則電路中的Rb=__。A、正半波削波 B、負(fù)半波削波 C、雙向削波 D、不削波，原來(lái)沒(méi)有發(fā)生非線性失真，然而在換上一個(gè)223。A、增大 B、減小 C、不變（或基本不變） D、變化不定，其靜態(tài)工作點(diǎn)靠近截止區(qū)，當(dāng)除去旁路電容Ce后，放大倍數(shù)Av___。A、增大 B、減小 C、不變（或基本不變） D、變化不定，當(dāng)室溫升高時(shí)，其三極管的VCEQ___。,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測(cè)量電流的平均值),在靜態(tài)時(shí),電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為：輸出產(chǎn)生飽和失真時(shí)Ic__ ICQ。=30,VBE=,rbb39。=200歐姆,若要求放大電路的最大不失真幅度盡可能大，則Rb1應(yīng)取__。 D、不定，若輸入為正弦波形，用示波器觀察Vo和Vi的波形，當(dāng)放大電路為共集電路時(shí)，則Vo和Vi 的相位___。 D、不定，也能放大電流的是___組態(tài)電路。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最大的是___組態(tài)電路。A、A B、B C、C（40分）(注:答案清使用加上中文單位。，已知鍺三極管的223。=60,rbe=3千歐。,IDSS=16mA,Vp=4V,該電路的跨導(dǎo)gm為__。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若增加電容C1的容量，則下限頻率?L___。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若減小電阻Rc,則上限頻率?H___。A、直接 B、阻容 C、變壓器 D、光電，放大電路應(yīng)采用___耦合方式。1=223。1=223。1=223。1=223。1=223。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，換一個(gè)? t較低的晶體管，則上限頻率?H___。，總的通頻帶一定比它的任意一級(jí)都___。A、會(huì)產(chǎn)生線性失真 B、會(huì)產(chǎn)生非線性失真 C、為正弦波 D、不會(huì)失真，當(dāng)Rb2在正常放大范圍增加，則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對(duì)值|AVM|___。A、增大 B、減小 C、不變，增加電容C1,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對(duì)值|AVM|___。A、增大 B、減小 C、不變，若將一個(gè)6800pF的電容接在b,c之間,則下限頻率___。=100,Cb39。=100,Cb39。=50,rbe=2千歐，電路的中頻增益20lg|Avs|=20lg|Vo/Vs|=40dB，通頻帶寬為10Hz~100kHz，試確定Rc的值為___.模擬集成單元電路測(cè)試題（1），其中T1的偏置電路未畫出。A、充當(dāng)T1的集電極負(fù)載 B、消除交越失真 C、增大輸出功率 D、減小三極管的穿透電流，其中T1的偏置電路未畫出。A、0V B、9V C、9V D、任意，已知T4和T3的管子特性對(duì)稱，VBE4=VBE5=。A、接上 B、斷開 C、任意 ，已知T4和T3的管子特性對(duì)稱，VBE4=VBE5=。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)，已知T4和T3的管子特性對(duì)稱，VBE4=VBE5=。，已知TT6的集電極最大允許耗散功率為PCM=200mW,在TT6的靜態(tài)電流，飽和管壓降以及電阻R1R12的電壓損耗可忽略不計(jì)的條件下，電路允許接入的最小負(fù)載電阻大致為___。，D1D4為硅二極管，T1T4為硅三