【正文】 (3)在時(shí)，將Rw 調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將( B )； (4)若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將( B )。 (2)若測得輸入電壓有效值時(shí)，輸出電壓有效值，則電壓放大倍數(shù)( )≈( 120 )。因?yàn)門截止。圖(g)可能。圖(e)不能。圖(c)不能。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。()。,才稱其有放大作用。，一只的β=200 , ；另一只的β=100 , ，其它參數(shù)大致相同。 (a) (b) (c) (d) 解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。當(dāng)=4V時(shí)，小于開啟電壓，故T 截止。 ，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。(e)可能。試問：當(dāng)時(shí)？；當(dāng)時(shí)？解：當(dāng)時(shí)，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿。解： (1)當(dāng)時(shí)，T 截止。在圓圈中畫出管子，并說明它們是硅管還是鍺管。 (2) R的范圍為: ?！鄷r(shí)，；時(shí)，；時(shí)，∴。試問：(1)若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？(2)若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？解：(1)串聯(lián)相接可得4種：；14V；；。試畫出與的波形圖，并標(biāo)出幅值。； ； 所示，已知(V)，試畫出與的波形。(l)在本征半導(dǎo)體中加入( A )元素可形成N 型半導(dǎo)體，加入( C )元素可形成P 型半導(dǎo)體。試分析各管的工作狀態(tài)（截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內(nèi)。右圖中穩(wěn)壓管沒有擊穿，故UO2=5V。 解：UO1=, UO2=0V, UO3=, UO4=2V, UO5=, UO6=2V。 (2)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 C 。( )(5)結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其大的特點(diǎn)。(1)在N 型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P 型半導(dǎo)體。( √ ) (2)因?yàn)镹 型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。( √ ) (6)若耗盡型N 溝道MOS 管的 大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。 (3)當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 B 。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ=6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin=5mA。五、VCC=15V，b=100，UBE=。 管號(hào)UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513恒流區(qū)T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)解：因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS 管。 (2)當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將(A) 。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計(jì)。 解：。 (2)并聯(lián)相接可得2種：；6V。(2)當(dāng)負(fù)載開路時(shí)，故穩(wěn)壓管將被燒毀。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其方向，并在圓圈中畫出管子，且分別求出它們的電流放大系數(shù)β。 解:。(2)當(dāng)時(shí)，因?yàn)? 所以T處于放大狀態(tài)。當(dāng)時(shí)，晶體管飽和。① 、② 、③ 的電位分別為4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流區(qū)。 (a) (b)解：在場效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線( (a)所示),讀出其與各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及值，建立坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線， (b)所示。當(dāng)=8V時(shí)，設(shè)T 工作在恒流區(qū)，根據(jù)輸出 特性可知，管壓降， 因此，小于開啟電壓，說明假設(shè)成立，即T工作在恒流區(qū)。(a)、(b)所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓, R 的取值合適，的波形如圖(c)所示。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？解：選用β=100 , 的管子，因其β適中,較小，因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。()。(√)，所以當(dāng)輸入直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無變化。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h) (i)解：圖(a)不能。輸入信號(hào)與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。輸入信號(hào)被電容C2短路。圖(h)不合理。三． 所示電路中，已知, 晶體管β=100。若負(fù)載電阻值與相等，則帶上 負(fù)載后輸出電壓有效值( )=( )V。 減小 C. 減小五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下： 、(a)、 (a)、 . 9(a)所示；設(shè)圖中，且、均相等。解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管， 所示。(b)在+VCC與基極之間加Rb。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。，圖(b)：。 (a) (b) 解：空載時(shí)：； ， 。判斷下列結(jié)論是否正確，在括號(hào)內(nèi)打“√”和“”表示。 (3) Rb1開路,臨界飽和基極電流，實(shí)際基極電流。 (6) RC短路, 。 所示電路中的NPN管換成PNP管，其它參數(shù)不變，則為使電路正常放大電源應(yīng)作如何變化？ Q點(diǎn)、和變化嗎？如變化，則如何變化？若輸出電壓波形底部失真，則說明電路產(chǎn)生了什么失真，如何消除？解：由正電源改為負(fù)電源；Q點(diǎn)、和不會(huì)變化；輸出電壓波形底部失真對(duì)應(yīng)輸入信號(hào)正半周失真，對(duì)PNP管而言，管子進(jìn)入截止區(qū)，即產(chǎn)生了截止失真；減小Rb。 ，設(shè)靜態(tài)時(shí)，晶體管飽和管壓降。故 ，晶體管β=100，=100Ω。(1)求出Q點(diǎn)； (2)分別求出RL=∞和RL=3kΩ時(shí)電路的、和。 所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波電壓。(1)利用圖解法求解Q點(diǎn)；(2)利用等效電路法求解、和。(b)所示。 (a) (b) 解：(1)求Q 點(diǎn)：根據(jù)電路圖可知。（2）若想增大，就要增大漏極靜態(tài)電流以增大，故可增大R2或減小RRS。(c)構(gòu)成NPN 型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。(g)構(gòu)成NPN型管，上端為集電極，中端為基極，下端為發(fā)射極。(3)要求輸入電阻為100kΩ~200kΩ，電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100 , 第一級(jí)應(yīng)采用( B )，第二級(jí)應(yīng)采用( A )。(1)直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是( C、D )。 (5)用恒流源取代長尾式差動(dòng)放大電路中的發(fā)射極電阻，將使單端電路的( B )。試求：(1)靜態(tài)時(shí)Tl管和T2管的發(fā)射極電流。3 習(xí)題。 (2)各電路的、和的表達(dá)式分別為：(a)：； ； (b)： ； (c)： ； (d)：； (a) (b) (c) (d) (a)、(b)所示，圖(a)虛線框內(nèi)為電路Ⅰ，圖(b)虛線框內(nèi)為電路Ⅱ。 (a) (b)所示，晶體管的β均為150 , 均為，Q點(diǎn)合適。場效應(yīng)管的gm為15mS 。試求Rw的滑動(dòng)端在中點(diǎn)時(shí)T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流以及動(dòng)態(tài)參數(shù)Ad和Ri。 解：差模放大倍數(shù)和輸入電阻分別為： ； 。 解：Au、Ri和Ro的表達(dá)式分析如下： ∴。試問：(1)在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值Uimax為多少伏？(2)若Ui= 10mV（有效值），則Uo＝？若此時(shí)R3開路，則Uo＝？若R3短路，則Uo＝？ 解：(1)最大不失真輸出電壓有效值為:故在不失真的情況下，輸入電壓最大有效值： (2)Ui= 10mV ，則Uo＝1V（有效值）。 (1)集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)? C )。 (5)為增大電壓放大倍數(shù),集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用( A )。( √ )(3)運(yùn)放的共模抑制比。 , 試求IC2的值。 (2)分別說明各級(jí)采用了哪些措施來改善其性能指標(biāo)（如增大放大倍數(shù)、輸入電阻… … ）。第三級(jí)為互補(bǔ)輸出級(jí)，加了偏置電路，利用Dl、D2的導(dǎo)通壓降使T9和T10在靜態(tài)時(shí)處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，從而消除交越失真。(3)作幅值為1μV以下微弱信號(hào)的量測放大器，應(yīng)選用( ⑦ )。(6)要求輸出電壓幅值為177。 特性指標(biāo)AodridUIOIIOIIB3dBfHKCMRSR增益帶寬單位dBMΩmVnAnAHzdBV/μVMHzA110025200600786A213022407120A310010005865A410022201509665解：A1為通用型運(yùn)放，A 2為高精度型運(yùn)放，A3為高阻型運(yùn)放，A4為高速型運(yùn)放。先求出R 中電流，再求解ICIC2。 解：由于T2和T3 所組成的鏡像電流源是以Tl 為放大管的共射放大電路的有源負(fù)載， Tl和T2管d s 間的動(dòng)態(tài)電阻分別為rds1和rds2，所以電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式為：。 解：在圖示電路中：； ； ∴電壓放大倍數(shù)：，具有理想的對(duì)稱性。 (2)由于用T5和T6所構(gòu)成的鏡像電流源作為有源負(fù)載，將左半部分放大管的電流變化量轉(zhuǎn)換到右邊，故輸出電流變化量及電路電流放大倍數(shù)分別為： ； 。 解：(1)在忽略二極管動(dòng)態(tài)電阻的情況下：。 ，Tl和T2管為超β管，電路具有理想的對(duì)稱性。A ．增大輸入電阻 B ．增大電流放大系數(shù) C ．展寬頻帶(3)電路采用超β管能夠( B )。試問：(l) ； (2) ； (3) 解：(l)因?yàn)門l和T2為鏡像關(guān)系，且β＞ 2，所以： (2) (3)輸出電壓的變化量和放大倍數(shù)分別為： 圖P4 .9 所示兩個(gè)電路，分別說明它們是如何消除交越失真和如何實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的。D4對(duì)T4起過流保護(hù)，原因與上述相同。T 7對(duì)T 3起過流保護(hù)，原因與上述相同。 解：(1)為T l提供靜態(tài)集電極電流、為T 2提供基極電流，并作為T l的有源負(fù)載。(4)保護(hù)電路。 所示簡化的高精度運(yùn)放電路原理圖，試分析：(1)兩個(gè)輸入端中哪個(gè)是同相輸入端，哪個(gè)是反相輸入端；(2) T 3與T 4的作用；(3)電流源I3的作用 ；(4) D2與D3的作用。(4)消除交越失真?；パa(bǔ)輸出級(jí)兩只管子的基極之間電壓 使T 2T 24 處于微導(dǎo)通，從而消除交越失真。 (3)當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL或fH時(shí)，放大倍數(shù)的值約下降到中頻時(shí)的( B )。A . + 45o B. ?90o C. ?135o當(dāng)f =fH時(shí)，Uo與Ui相位關(guān)系是( C )。