某電池廠培訓(xùn)考核試卷-wenkub
2023-04-09 04:41:28 本頁(yè)面
【正文】 5POCL3≥600 3PCL5+ P205)，其中生成的P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)式為(2P2O5+5Si=5SiO2+4P)，在有氧氣的存在時(shí)，POCl3熱分解的反應(yīng)式為(POCL3+O2=2 P205+6CL2)。1進(jìn)入擴(kuò)散間必須經(jīng)過二次風(fēng)淋，穿戴好_潔凈服_____、_靜電鞋、口罩、 乳膠手套。制絨工藝主要控制點(diǎn)__減薄量__、__反射率___、_外觀__、_絨面成活率__。 制絨的目的是：去除表面污垢和金屬雜質(zhì)、去除硅片表面的損傷層、增加PN結(jié)的表面積、形成絨面減少反射增強(qiáng)陽(yáng)光的吸收。姓名 Name: 工號(hào)Employee No. 部門Department: 得分Score:一、 填空題（28）我們公司主要使用的太陽(yáng)能電池材料是_單晶硅_。制絨工藝化學(xué)反應(yīng)方程式__SI+NAOH→NA2SIO3+H2__。單晶制絨是利用晶體硅的___100__、___111___不同晶向在__堿溶液___中進(jìn)行__ 各向異性____腐蝕的特性。1擴(kuò)散方塊電阻不均勻度__≤10%____，同一硅片擴(kuò)散方塊電阻不均勻度_≤5%____。1PECVD的中文名稱：等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。2PECVD用橢偏儀儀器來檢測(cè)其質(zhì)量的好壞。50W/m2 、溫度 25177。A CF4 B SiO2 C 磷 D SiF4 刻蝕工藝會(huì)影響電池片的哪項(xiàng)電性能？（ A ）A 并聯(lián)電阻 B 開路電壓 C 短路電流 D 串聯(lián)電阻下列方程式中屬于刻蝕工藝的是（ C ）A SiF4+2HF→H2[SiF6]B CF4+SiO2 ——→ SiF4+CO2↑C CF4+SiO2 +O2——→ SiF4+CO2↑D SiO2+4HF——→SiF4+2H2O單晶絨面呈（ B ）形。A 5 B 6 C 3 D 4POCl3是一種__D___液體。 B、相長(zhǎng)干涉C、相消干涉 D、光的衍射1電池片SiNx：H薄膜鍍膜厚度和折射率一般控制在（ B ）A、65nm, — B.
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