【正文】 。復(fù)位正脈沖過去后FD區(qū)與RD區(qū)呈夾斷狀態(tài)，F(xiàn)D區(qū)具有一定的浮置電位。；在輸出信號中疊加有復(fù)位期間的高電平脈沖。RS：復(fù)位脈沖，使復(fù)位場效應(yīng)管導(dǎo)通，將剩余信號電荷卸放掉，以保證新的信號電荷接收。亮度很低的可見光圖像或者人眼不可見的光學(xué)圖像經(jīng)光電陰極轉(zhuǎn)換成電子圖像；電子光學(xué)系統(tǒng)將電子圖像聚焦成像在熒光屏上，并使光電子獲得能量增強；熒光屏再將入射到其上的電子圖像轉(zhuǎn)換為可見光圖像。2. 光磁盤存儲器是用磁性材料作為記錄介質(zhì)，用激光作為記錄、讀出和擦除手段的存儲器。6. DLP投影機有三片式、單片式、雙片式不同檔次的產(chǎn)品。3存儲壽命長；4信息的信噪比高；5信息位價格低。這種光盤制造工藝簡單，成本低，價格便宜，其普及率和市場占有率最高。？持續(xù)光譜燒孔和三維光信息存儲、電子俘獲光存儲技術(shù)、全息信息存儲、光致變色存儲。（2） 低電壓驅(qū)動，十幾至幾伏，功耗低。由于等離子體顯示單元具有很強的開關(guān)特性，能得到較高的圖像對比度。（5）制造工藝簡單，投資小。（３） 優(yōu)秀的圖像質(zhì)量。11. 激光加工的優(yōu)點。（4） 節(jié)省能源和材料消耗。（8） 特別是先進的飛秒激光加工技術(shù)，可以實現(xiàn)亞微米、納米尺度的高精習(xí)加工，甚至可以對細胞，基因進行加工。（4） 加工能量低耗性。答：精度高，抗干擾能力強，制導(dǎo)系統(tǒng)體積小，重量輕。答：光子晶體激光器和LED；高性能的反射鏡；光子晶體超棱鏡，超透鏡，光子晶體偏振器；光子晶體光波導(dǎo)；光子晶體全光開關(guān)。解：G光=G亮G暗=1/501/5000=（s）該樣品的光電導(dǎo)即為所求。7. 納米結(jié)構(gòu)的LED器件優(yōu)點答：高發(fā)光量子效率、寬光譜范圍光發(fā)射、色飽和度優(yōu)于LCD和OLED、低激發(fā)能量態(tài)、可以通過熱激發(fā)、加電顯示時器件耗電更低、具有光化學(xué)和熱的高穩(wěn)定性、制備工藝簡單、適合旋涂法、噴霧沉積，壓印光刻，可制作柔性大面積器件8. 納米光存儲的種類答：金屬納米棒光存儲、一萬GB超級DVD9. 光子晶體的分類答：一維光子晶體，二維光子晶體，三維光子晶體10. 光子晶體的能帶效應(yīng)答：超校直效應(yīng)、超棱鏡效應(yīng)、超透鏡效應(yīng)、復(fù)折射效應(yīng)計算題 探測器的D*=cm第八章。答：（1）命中率高；（2）機動靈活；（3）無放射性污染；（4）不受電磁干擾；（5）效費比高。較傳統(tǒng)的激光加工有哪些優(yōu)勢？（1） 加工過程的非熱熔性（2） 加工精準(zhǔn)、質(zhì)量高。（6） 可進行遠距離遙控加工。（2） 由于是非接觸加工，加工中無加工助力，工件無機械變形，切熱變形極小。10. 硅基液晶顯示器ＬＣＯＳ的特點。9. DLP投影顯示的技術(shù)優(yōu)勢有哪些？答：（1）完全的數(shù)字化顯示，這是ＤＬＰ獨有的特色。 （3）有存儲特性，使得在大屏幕顯示時能得到較高的亮度，因而制作高分辨率大型PDP成為可能。而無機材料難生長，特別是藍光材料。7. 簡述OLED顯示器的優(yōu)點。⑶可擦重寫光盤 用戶除了可在這種光盤上寫入、讀出信息外，還可以將已經(jīng)記錄在盤上的信息擦除掉，然后再寫入新的信息；但擦與寫需要兩束激光、兩次動作才能完成。3. CD只讀光盤的加工有哪些過程？ 答：主盤制備工序；2副盤制備工序；3注塑復(fù)制工序；4濺射鍍鋁工序；5甩膠印刷工序。8. 激光傳統(tǒng)加工技術(shù)有：激光切割、激光打孔、激光焊接、激光表面熱處理、激光打標(biāo)。4. 液晶分子排列的類型有：近晶相、向列相、膽甾相。像增強器：接受微弱可見光圖像的直視型光電成像器件：級聯(lián)式像增強器、帶微通道板的像增強器、負電子親和勢光陰極的像增強器等，功能是完成圖像的亮度增強。解： 轉(zhuǎn)移次數(shù) % TCD1200D的中心距為14μm，它能分辨的最小間距是多少？它的極限分辨率怎樣計算？ 它能分辨的最小間距是14μm。 CCD驅(qū)動脈沖工作頻率的上、下限受哪些條件限制，應(yīng)該如何估算？、φSH、RS起什么作用？它們之間的位相關(guān)系如何？為什么？ 2：驅(qū)動脈沖驅(qū)動脈沖2，將模擬寄存器中的信號電荷定向轉(zhuǎn)移到輸出端形成序列脈沖輸出。此時FD區(qū)（即A點）的電位變化量為：式中，QFD是信號電荷包的大小，C是與FD區(qū)有關(guān)的總電容（包括輸出管T的輸入電容、分布電容等）。在φ3為高電位期間，電荷包存儲在φ3電極下面。其中“浮置擴散輸出”結(jié)構(gòu)應(yīng)用最廣泛。t4時刻，φ2為高電位，φφ3為低電位，φ2下面的勢阱最深，信號電荷都被轉(zhuǎn)移到φ2下面的勢阱中，這與t1時刻的情況相似，但電荷包向右移動了一個電極的位置。假設(shè)此時已有信號電荷（電子）注入，則電荷就被存儲在φ1電極下的勢阱中。每相隔兩個柵的柵電極連接到同一驅(qū)動信號上，亦稱時鐘脈沖。耗盡層及其鄰近區(qū)域在一定溫度下產(chǎn)生的電子將逐漸填滿勢阱，這種熱產(chǎn)生的少數(shù)載流子電流叫作暗電流，以有別于光照下產(chǎn)生的載流子。當(dāng)表面存在勢阱時，如果有信號電子（電荷）來到勢阱及其鄰近，它們便可以聚集在表面。以表面溝道CCD為例，簡述CCD電荷存儲、轉(zhuǎn)移、輸出的基本原理。 MTF：能客觀地表示器件對不同空間頻率目標(biāo)的傳遞能力。光學(xué)圖像投射到光電陰極上，產(chǎn)生相應(yīng)的光電子發(fā)射，在加速電場和聚焦線圈所產(chǎn)生的磁場 共同作用下打到靶上，在靶的掃描面形成與圖像對應(yīng)的電位分布最后，通過電子束掃描把電 位圖像讀出，形成視頻信號，——極限分辨率、調(diào)制傳遞函數(shù)和惰性是如何定義的？ 分辨率表示能夠分辨圖像中明暗細節(jié)的能力。1 為什么結(jié)型光電器件在正向偏置時沒有明顯的光電效應(yīng)？結(jié)型光電器件必須工作在哪種偏置狀態(tài)?答：因為pn結(jié)在外加正向偏壓時，即使沒有光照，電流也隨著電壓指數(shù)級在增加，所以有光照時，光電效應(yīng)不明顯。 什么是光電發(fā)射效應(yīng)？答：某些金屬或半導(dǎo)體受到光照時，若入射的光子能量足夠大，則它與物質(zhì)中的電子相互作用，致使電子逸出電子表面，這種現(xiàn)象稱為光電發(fā)射效應(yīng)。 措施：溫度 應(yīng)怎樣理解熱釋電效應(yīng)？熱釋電探測器為什么只能探測調(diào)制輻射？答：熱電晶體的自發(fā)極化矢量隨溫度變化，從而使入射光可引起電容器電容改變的現(xiàn)象成為 熱釋電效應(yīng)。10. 光電探測器有光電導(dǎo)器件、結(jié)型光電器件、光電發(fā)射器件 二、簡答 什么是光電器件的光譜特性？答：光電器件對功率相同而波長不同的入射光的響應(yīng)不同，即產(chǎn)生的光電流不同。6. 光電效應(yīng)分為 光電導(dǎo)效應(yīng) 、 光伏效應(yīng) 、 光電發(fā)射效應(yīng) 。2. 光電效應(yīng)分為 光電導(dǎo)效應(yīng) 、 光伏效應(yīng) 、 光電發(fā)射效應(yīng) 。9. 半導(dǎo)體光源編碼的優(yōu)點？（1） 因為數(shù)字光信號在信道上傳輸，引進的噪聲和失真，可采用間接中繼器的方法去掉，故抗干擾能力強。法拉第效應(yīng)：光波通過磁光介質(zhì)、平行于磁場方向傳播時，線偏振光的偏振面發(fā)生旋轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。 LD、LED 外調(diào)制：調(diào)制系統(tǒng)比較復(fù)雜、消光比高、插損較大、驅(qū)動電壓較高、難以與光源集成、偏振敏感、損耗大、而且造價也高。什么是光輻射的調(diào)制？有哪些調(diào)制的方法？它們有什么特點和應(yīng)用？ 光輻射的調(diào)制是用數(shù)字或模擬信號改變光波波形的幅度、頻率或相位的過程。 光輻射的調(diào)制有 機械調(diào)制 、電光調(diào)制 、聲光調(diào)制 、磁光調(diào)制。（2） 單色輻射出射度和輻射出射度均隨溫度升高而增大。6. 激光的特點？激光的高亮度、高方向性、高單色性和高度時間空間相干性是前述一般光源所望塵莫及的，它為光電子技術(shù)提供了極好的光源。3. 氣體放電光源的特點？效率高、結(jié)構(gòu)緊湊、壽命長、輻射光譜可選擇4. 半導(dǎo)體激光器特點？體積小、重量輕、易調(diào)制、功效低、波長覆蓋廣、能量轉(zhuǎn)換效率高。14. 熱輻射光源是使發(fā)光物體升溫到足夠高而發(fā)光的光源。10. 按入眼的感覺強度進行度量的輻射能大小稱為光能。6. 光纖激光器的工作物質(zhì)主要是稀土參雜的光纖。2. 低壓鈉燈的單色性較好，常用作單色光源。D檢測顯示體陣CCD和點陣CCD面陣CCD和體陣CCD B( A )AB本征型和晶格型A本征型和激子型色性好電光強度調(diào)制C( C )D發(fā)生拉曼—納斯衍射必須滿足的條件是( 溫度成正比. 、亮度高及（ B ）A色性好 B單色性好 C 吸收性強 D吸收性弱（ D ）. A 100280nm B 380440 nm C 640770 nm D 7701000 nm（ C ）. A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm18. 一只白熾燈，假設(shè)各向發(fā)光均勻，用照度計測得正下方地面的照度為30lx，該燈的光通量為（ A ）.A .848lx B .212lx C .424lx D .106lx19. 下列不屬于氣體放電光源的是（ D ）.A .汞燈 B .氙燈 C .鉈燈 D .鹵鎢燈（?。痢。? ，靶面的有效高度約為10mm，若可分辨的最多電視行數(shù)為400，則相當(dāng)于（ A ）線對/mm. 22.適當(dāng)偏置是 （D）A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置，提到光纖以SiO2為材料的主要是由于（ A ） （ D ） （ C ）有關(guān) （ C ） （ D ） 攝像器件的信息是靠（ B ）存儲 ，可以分為（ ABCD ）A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 （ D ）之間的電子空穴對符合產(chǎn)生的，激勵過程是使半導(dǎo)體中的載流子從平衡狀態(tài)激發(fā)到非平衡狀態(tài)的激發(fā)態(tài)。( B )AB光功率成正比C暗電流成正比D光子的能量成正比23.超聲波頻率低，光波平行聲波面入射，聲光作用長度短超聲波頻率高，光波平行聲波面入射，聲光作用長度短超聲波頻率低，光波平行聲波面入射，聲光作用長度長D多C本征型和雜質(zhì)型D本征型和自由載流子型CD計算BC300K的海水與同溫度的黑體比較（A）A 峰值輻射波長相同 B 發(fā)射率相同C 發(fā)射率隨波長變化 D 都不能確定52. 下列探測器最適合于作為光度量測量的探測器 （C）A 熱電偶 B 紅外光電二極管C 2CR113藍硅光電池 D 雜質(zhì)光電導(dǎo)探測器第一章填空1. 以黑體作為標(biāo)準(zhǔn)光源，其他熱輻射光源發(fā)射光的顏色如果與黑體在某一溫度下的輻射光的顏色相同，則黑體的這一溫度稱為該熱輻射光源的色溫。5. 半導(dǎo)體激光器亦稱激光二極管。9. 以輻射的形式發(fā)射、傳播或接收的能量，單位為 J 。13. 光照度單位lx。3． 簡答、頻率和光子的能量范圍分別是多少？波長：380~780nm 400~760nm頻率：385T~790THz 400T~750THz能量：~2. 發(fā)光二極管的優(yōu)點？效率高、光色純、能耗小、壽命長、可靠耐用、應(yīng)用靈活、綠色環(huán)保。受激電子返回基態(tài)時，就輻射出光子來。（2） 抗干擾能力強（3） 體積小質(zhì)量輕11. 簡要描述一下黑體光譜輻射出射度與波長和溫度的關(guān)系？（1） 對應(yīng)任一溫度單色輻射出射度隨波長連續(xù)變化，且只有一個峰值，對應(yīng)不同溫度的曲線不相交。Φ=L*4πR^2=30*4**^2=第二章 光輻射的調(diào)制使用數(shù)字或模擬信號改變光波波形的 幅度 、頻率 或 相位 的過程。 光束掃描技術(shù)包括 機械掃描 、電光掃描、電光數(shù)字式掃描、聲光掃描。但存在波長(頻率)的抖動。 磁場使晶體產(chǎn)生光各向異性，稱為磁光效應(yīng)。9. 什么是外調(diào)制？激光形成以后，在光路放置調(diào)制器，用調(diào)制信號改變調(diào)制器的物理性能，當(dāng)激光通過外調(diào)制器將使某參量受到調(diào)制。第三章一、填空1. 光探測器的物理效應(yīng)主要是 光熱效應(yīng) 和 光電效應(yīng) 。 5. 光探測器是將 光信號 轉(zhuǎn)變?yōu)?電信號 的關(guān)鍵器件。9. 光熱探測器有熱敏電阻和熱釋電探測器。功率譜與f成反比，稱1/f 噪聲。 什么是光電導(dǎo)效應(yīng)？答：當(dāng)半導(dǎo)體材料受光照時，由于對光子的吸收引起載流子濃度的變化，因而導(dǎo)致材料的電導(dǎo)率發(fā)生變化，這種現(xiàn)象稱為光電導(dǎo)效應(yīng)。光電探測器響應(yīng)較快，噪聲??；而熱電探測器的光譜響應(yīng)與波長無關(guān)，可以在室溫下工作。第四章。也用線對/mm表示。，簡述CCD電荷產(chǎn)生、存儲、轉(zhuǎn)移、輸出的基本原理。如果MOS結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體是P型硅，當(dāng)在金屬電極（稱為柵）上加一個正的階梯電壓時（襯底接地），SiSiO2界面處的電勢（稱為表面勢或界面勢）發(fā)生相應(yīng)變化，附近的P型硅中多數(shù)載流子——空穴被排斥，形成所謂耗盡層，如果柵電壓VG超過MOS晶體管的開啟電壓，則在SiSiO2界面處形成深度耗盡狀態(tài)，由于電子在那里的勢能較低，我們可以形象化地說：半導(dǎo)體表面形成了電子的勢阱，可以用來存儲電子。如果沒有外來的信號電荷。三相CCD是由每三個柵為一組的間隔緊密的MOS結(jié)構(gòu)組成的陣列。此時φ1電極下的表面勢最大，勢阱最深。此時φ1下的勢阱逐漸變淺，使φ1下的剩余電荷繼續(xù)向φ2下的勢阱中轉(zhuǎn)移。 電荷輸出結(jié)構(gòu)有多種形式，如“電流輸出”結(jié)構(gòu)、“浮置擴散輸出”結(jié)構(gòu)及“浮置柵輸出”結(jié)構(gòu)。電荷包的輸出過程如下：VOG為一定值的正電壓，在OG電極下形成耗盡層，使φ3與FD之間建立導(dǎo)電溝道。之后，φ3轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢?，?