電暈放電和沿面放電-wenkub
2023-05-26 12:36:52 本頁面
【正文】 第三節(jié) 自放電條件 110kV全封閉組合電器 (2) 分相母線筒 圖 戶外 1000kV特高壓 GIS變電站實(shí)景圖 (3) (4) 電暈放電 電場(chǎng)不均勻系數(shù) 電場(chǎng)不均勻系數(shù) avEEf m a x?式中 Emax 最大電場(chǎng)強(qiáng)度 ,Eav為平均電場(chǎng)強(qiáng)度。 電暈放電 一、稍不均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)的放電特征 按照電場(chǎng)的不均勻程度分為 稍不均勻電場(chǎng) 和 極不均勻電場(chǎng)。 稍不均勻電場(chǎng) ： 放電特性與均勻電場(chǎng)相似，一旦出現(xiàn)自持放電便一定立即導(dǎo)致整個(gè)氣隙擊穿。 dUEav ? f 2 時(shí)為 稍不均勻電場(chǎng) f 4 以上時(shí)明顯地屬于 極不均勻電場(chǎng) 第 (5) 二、電暈放電 電暈放電可以是極不均勻電場(chǎng)氣隙擊穿過程的第一階段，也可以是長(zhǎng)期存在的穩(wěn)定放電形式。 四、防止和減輕電暈的方法 根據(jù)產(chǎn)生的機(jī)理制定方法 采用擴(kuò)徑導(dǎo)線和空心導(dǎo)線，更加合適的措施是采用 分裂導(dǎo)線（ 思考其他優(yōu)點(diǎn)？）。 330— 750kv的超高壓線路，分裂數(shù)一般取 2— 4； 1000kv及以上的特高壓線路分裂數(shù)就更多，例如取 8或更大。 不均勻電場(chǎng)氣隙的擊穿 非自持放電階段 （ 1） 當(dāng)棒具有正極性時(shí) 在棒極附近 ， 積聚起正空間電荷 ， 減 少了緊貼棒極附近的電場(chǎng) ， 而略微 加強(qiáng)了外部空間的電場(chǎng) ， 棒極附近難 以造成流柱 ， 使得放電自持 ， 即電暈 放電難以形成 。 頭部前方產(chǎn)生電子崩 ， 吸引入流柱頭部 正電荷區(qū)域 ， 加強(qiáng)并延長(zhǎng)流柱通道； 流柱及其頭部的正電荷使強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)更向前 推移 （ 曲線 3） ， 促進(jìn)流柱通道進(jìn)一步發(fā)展 ， 逐漸向陰極推進(jìn) ， 形成正流柱 。 二、長(zhǎng)氣隙的擊穿 氣隙較長(zhǎng)時(shí)，流注往往不能一次貫穿整個(gè)氣隙，而出現(xiàn)逐級(jí)推進(jìn)的 先導(dǎo)放電 現(xiàn)象。 沿面放電和污閃事故 一、沿面放電概念 沿面放電 ：沿氣體和固體絕緣或氣體和液體絕緣表面發(fā)生的氣體放電現(xiàn)象叫沿面放電。 界面
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