【正文】 A0 D D D D D D D . . . 16片 A15 A14 A0 … A15 D .A14 64K 1 A0 D D D D D D D . . . 16片 A15 A14 A0 … 片 選 譯 碼 A16 A17 9. 2114是排列成 64 64陣列的六管存儲芯片 ，試問組成 4K l6位的存儲器 ， 共需少片 2114?畫出邏輯框圖 。 EPROM是只讀存儲器 ， 與半導體隨機存儲器制作工藝不同 ， 不會因掉電丟失數據 。 ROM只是把信息固定地存放在存儲器中 ，而訪問存儲器仍然是隨機的 。 (2) 。 由于每個存儲單元在存儲體中的地位平等 ， 為區(qū)別不同單元 ， 為每個存儲單元賦予地址 ， 都有一條唯一的地址線與存儲單元地址 編碼對應 。 計算機在存取數據時 ， 以 存儲單元 為單位進行存取 。 指出下列存儲器哪些是易失性的 ? 哪些是非易失性的 ? 哪些是讀出破壞性的 ? 哪些是非讀出破壞性的 ? 動態(tài) RAM，靜態(tài)取 RAM， ROM， Cache，磁盤，光盤 解 : 動態(tài) RAM、靜態(tài) RAM、 Cache是易失性的， ROM、磁盤、光盤是非易失性的。 在存儲器進行讀寫操作時 ， 由于存儲元件本身的性能 ，做完一次存或取之后 ， 不能馬上進行另外的存或取 ， 需要一段穩(wěn)定和恢復時間 。 解 : 存取時間 TA是指存儲器從接收到 CPU發(fā)來的讀寫有關信號開始 ， 到讀出 /寫入數據所需的時間 。 而 存取周期 TW是指連續(xù)兩次讀寫存儲器所需的最小時間間隔 。 存取周期就是存取時間加上存儲單元的恢復穩(wěn)定時間 。動態(tài) RAM是讀出破壞性的，其余均為非讀出破壞性的。 機器的所有存儲單元長度相同 ， 一般由 8的整數倍個 存儲元 構成 。 6. 下面關于存儲器的描述 ， 請選則正確的敘 (1)CPU訪問存儲器的時間是由存儲體的容量決定的 ，存儲容量越大 ， 訪問存儲器所需的時間就越長； (2)因為動態(tài)存儲器是破壞性讀出 ， 必須不斷地刷新； (3)隨機半導體存儲器 (RAM)中的任何一個單元都可以隨時訪問； (4)固定存儲器 (ROM)中的任何一個單元不能隨機訪問； (5)一般情況下 ， ROM和 RAM在存儲體中是統一編址的； (6)由于半導體存儲器加電后才能存儲數據 ， 斷電后數據就丟失了 ， 因此 ， 用 EPROM做的存儲器 ， 加電后必須重寫原來的內容 。 刷新不僅僅是因為存儲器是破壞性讀出 ， 還在于動態(tài)存儲器在存儲數據時 ， 存儲器不做任何操作時 ， 電荷也會泄漏 ， 為保證數據的正確性 ， 必須使數據周期性地再生 ， 即刷新 。 (5)√。 7 、 某計算機系統字長為 32位，主存以字節(jié)編址，試畫出存儲器中字地址和字節(jié)地址的分配情況。 解： Intel 2114芯片一片的容量為 lK 4b， 采用雙譯碼線路 。 組織結構圖： 1Kx4 CS 地址總線 D0 D2 D15 D1 D3 D14 … 數據總線 A0 A1 A9 … 1Kx4 CS A0 A1 A9 … 1Kx4 CS A0 A1 A9 … 1Kx4 CS A0 A1 A9 … 片 選 譯 碼 A11 A10 10. 在 ， 如果存儲器以字節(jié)編址 ， CPU用一根控制線指明所尋址的是字還是字節(jié) ，試設計這根控制線的連接方法 。請回答： (1)設計該存儲器共需幾片 RAM芯片 ? (2)畫出存儲體組成框圖 ? 解： (1)存儲器共需 16/1x8/4＝ 32片 (2)存儲器組成框圖 （ 略 ） 。 CPU可用 3位地址碼選擇 8個模板塊 (23)。 (2)B。 (4)C。 解： (1) 確定芯片 ：根據要求 ROM的容量為2KB， 故只需 1 片 EPROM；而 RAM的容量為2KB， 故需 RAM芯片 2 片 。 由此 ， 可得到如下的邏輯式： EPROM ： RAM： 0 111 11 102 11 10C S AC S A AC S A A???CS0 =A11 CS1 =A11 A10， CS2 =A11 A10 15. 請畫出八體交叉主存系統中的編址方式 。 若每體能并行讀出 2個字 ， 八體交叉存儲器在 1個周期內最多可讀出 16個字 ，每個字長為 2個字節(jié) ， 即 16bit， 則此存儲器的帶寬＝ 16 16bit/T＝ 256bit/T。 畫出它的電流波 。 1 0 0 1 1 1 0 ◇ 改進不歸零制（ NRZI） 記錄“ 1”時改變方向 記錄“ 0 時不改變方向 1 1 0 0 1 1 1 0 ◇ 改進調頻制 (MFM) “1”是“ 0 ”頻率的 2倍 !注意 :MFM是FM的改進 ,只有在記錄連續(xù)兩個或以上 0時電流方向才翻轉一次 用于雙密度磁盤 . 1 18. 對活動頭磁盤來講 ， 磁盤地址是由 、 和 組成的 ， 每個區(qū)存儲一個 。 每個記錄面的內磁道直徑為 22cm， 外磁道直徑為33cm， 最大位密度為 1600位 /cm， 道密度為80道／ cm， 轉速為 3600r/min。 20. 某磁盤存儲器轉速為 3000轉 /分 ， 共有 4個記錄面 ， 每毫米 5道 ， 每道記錄信息為 12288字節(jié) ，最小磁道直徑為 230mm， 共有 275道 。 前兩個已在題中給出 ， 只需計算 1個扇區(qū)數據的傳送時間 。 試求其格式化容量 。 實現存儲器層次結構的先決條件是 程序局部性 ， 即存儲器訪問的局部性是實現存儲器層次結構的基礎 。 物理空間是在運行程序時 ，