掃描電鏡的成像過(guò)程-wenkub
2023-05-22 02:10:40 本頁(yè)面
【正文】 數(shù) NBS除以入射到 靶位上的電子數(shù) NB。 可以得出相互作 用區(qū)在接近電子 束轟擊點(diǎn)處有一 個(gè)密集的核，而 且沉積的能量沿 徑向逐漸減小。 截面或散射事件的幾率： Ｑ＝Ｎ /ｎ ｔ ｎ ｉ （ｃｍ ２ ） Ｎ為單位體積中發(fā)生散射事件的數(shù)目 ｎ ｔ 為單位體積中靶位的數(shù)目 ｎ ｉ 為單位面積中的入射粒子數(shù) ｃｍ ２ 理解為一個(gè)原子在給定的相互作用中的有效面積 電子在兩個(gè)特定散射事件中穿行的平均自由程或平均距離： λ＝Ａ /Ｎ oρＱ (cm) A為原子量 No為阿伏伽德羅常數(shù) Ｑ 為截面 散射可分為：彈性散射和非彈性散射 １ .彈性散射： 電子能量無(wú)損失，散射角比較大 彈性散射截面可以用盧瑟福公式描述： 在高原子序數(shù)和低電子能量的情況下易發(fā)生彈性散射。三：電子束與樣品的相互作用 SEM能顯示各種圖像的信息是由于電子束與樣品的相互 作用而產(chǎn)生的各種信號(hào)。 ２ .非彈性散射： 電子將能量交換給靶的電子和原子，一次散射角比較小。 在 PMMA中能量沉 積是位置的函數(shù)，蒙特 卡羅模擬計(jì)算和腐蝕法 實(shí)驗(yàn)測(cè)定的結(jié)果如圖 PMMA經(jīng)電子 轟擊后腐蝕，隨腐 蝕時(shí)間顯示的能量 沉積輪廓的變化。 KO范圍的 （信息深度） BBSBBS iinn ???BSE電子信號(hào)區(qū)域 二次電子 二次電子是指從樣品中出射的能量小于 50ev的電子 二次電子系數(shù) ：取樣深度較淺，計(jì)算出最大發(fā)射深度 約為 5λ，橫向擴(kuò)散也相同。發(fā)射的 X射線的能 量與原子中確定能級(jí)間的能量有關(guān)。原子在電離后約 1012s內(nèi)復(fù)原到基態(tài)，在復(fù)原過(guò)程中，電 子從某一殼層躍遷到另一殼層。 由輻射躍遷而發(fā)射的 X射線稱(chēng)為特征 X射線。 41 SEM的基本成像過(guò)程 ? 掃描作用 ? 圖像的構(gòu)成 ? 放大倍率 ? 象素 ? 景深 掃描電鏡工作動(dòng)畫(huà) 掃 描 電 鏡 成 像 掃描作用 SEM的成像是利用電子束和樣品相互作用產(chǎn)生的信號(hào) 來(lái)成像，信號(hào)是電子束在樣品上光柵掃描時(shí)產(chǎn)生的。 圖像的構(gòu)成 SEM的信息： 樣品相互作用的強(qiáng)度。 樣品空間長(zhǎng)度 l的直線上的信息被成像到 CRT空間的長(zhǎng)度 L上線性放大倍率M=L/l CRT長(zhǎng)度 L是固定的，減少樣品上掃描面積的邊長(zhǎng) l就能增加放大倍率。象素是 電子束在樣品上獲得信息的區(qū)域，從這個(gè)區(qū)域產(chǎn)生的信息被傳送給 CRT上的某個(gè) 光點(diǎn)成像。 在樣品上相應(yīng)的象素直徑與放大倍率有關(guān)，可以用下面的公式計(jì)算： 象素直徑 r0 = 當(dāng)入射電子的取樣面積小于象素尺寸時(shí)，圖像才算是真 正的聚焦。為了計(jì)算景深，必須知道在最佳焦點(diǎn)的上、下方多少距離內(nèi)電子束變寬到致使重疊上足夠的象素，從而產(chǎn)生離焦。 工作模式：一個(gè)高能電子轟擊閃爍體材料，這一電子產(chǎn)生許多光子，通過(guò)一個(gè)光管將它們導(dǎo)入光電倍增管中。 。 利用高能電子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生的電子空穴對(duì)研制出的固 體探測(cè)器。 樣品電流探測(cè)器 陰極熒光探測(cè)器 樣品電流探測(cè)器、陰極熒光探測(cè)器、 CCD相機(jī)、 EBSD采集等等 167。 （背散射電子信號(hào)）
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