【正文】 散作用，（ B）擴散通量，（ C）擴散系數(shù)，（ D）擴散能 ,（ A）三相交界處 ,自固液界面經(jīng)氣體至液氣界面的夾角，（ B） 三相交界處 ,自固液界面經(jīng)固體內(nèi)部至液氣界面的夾角，（ C）三相交界處 ,自固液界面經(jīng)液體內(nèi)部至液氣界面的夾角，（ D）接觸角 C,D1．體心立方金屬晶體具有良好的塑性和韌性。 (A)容易， (B)不易， (C)， (D)于 90 度時，粗糙度愈大，就愈 ____潤濕。 （ A）反應(yīng)擴散 ,（ B）互擴散 ,（ C）自擴散 B？確實有問題，題目的目的不明確。 √？√（按照教材的內(nèi)容，該表述應(yīng)是正確的） 就是指擴散通量不隨時間變化僅隨距離變化的擴散。 (從自由能考慮 )一般表示為 D=D0Exp(Q/RT),顯然擴散激活能與擴散系數(shù)呈正比 ,Q 值愈大 ,D 值愈大。√ ， d 溶質(zhì) /d 溶劑≥。 √ ，螺型位錯的柏氏矢量與位錯線垂直。 √√ 。 （ A）√，（ B），（ C），（ D） 獨立改變而不引起相變的變量數(shù)。 √√ ，自由度為 2，這就是說溫度變化時，成份隨之變化。 √√ ，即是系統(tǒng)中具有均勻成份而且性質(zhì)相同并與其他部分有界面分開的部分。 （ A）共晶，（ B）共析，（ C）包晶 ， S→ L＋ S1 稱為 _____轉(zhuǎn)變。 √√ ，四面體空隙的體積 ____八面體空隙的體積。 （ A） 4，（ B） 6，（ C） 8，（ D） 成的八面體間隙數(shù)為 ____。 （ A） 2，（ B） 4，（ C） 6，（ D） 成的 八面體間隙數(shù)為 ____。 (A)， (B)，(C)， (D) 的點陣常數(shù)為 ，其晶胞中原子體積是 ，其結(jié)構(gòu)為 ___。 √ ，屬于最緊密堆積的是 ____。 （ A）較高，（ B）較低，（ C）居中 ，其面間距 ____。 （ A ） BS ，（ B ） BR ，（ C ） BQ ，（ D ）出的 [021]晶向為 ____。 （ A） AF，（ B） HA，（ C） CE，（ D） ，____的晶向指數(shù)為 [1– 10]。 （ A） [111]，（ B） [110]，（ C） [101]，（ D） [010]單立方晶胞中，指數(shù)為（ 011）的晶面是 ____。 （ A）（ 111），（ B）（ 110），（ C）（ 101），（ D）（ 011） 簡單立方點陣晶胞，其中 ABCD面的指數(shù)是 ____。 （ A） 1/2， 1/2， 0； （ B） 1/2， 0， 1/2； （ C） 1/2， 1/2， 1/2； （ D） 0， 1/2， 1/ fcc 晶胞中，八面體間隙中心的坐標是____。 （ A） ABAB，（ B） ABCD，（ C） ___。 （ A） 6，（ B） 8，（ C） 10，（ D） ___。 （ A） 6，（ B） 4，（ C） 3，（ D） 晶胞中原 子的半徑是 ____。（ A）配位數(shù)，（ B）致密度，（ C）點陣常數(shù)，（ D）晶格常數(shù) 垛順序是 ___。 √√ ____種型式。 √ ，則空間點陣與晶體點陣是同一概念。 √ ,面上原子密度相同，彼此相互平行?！獭蹋浚ㄔ榆壍懒逊值姆肿榆壍溃?（ A）絕緣體，（ B）導(dǎo)體，（ C）半導(dǎo)體，（ D） 重疊（ A）絕緣體，（ B）半導(dǎo)體，（ C）導(dǎo)體，（ D） （ A）絕緣體，（ B）導(dǎo)體，（ C）半導(dǎo)體，（ D） A， ，僅取決于原子間距，間距大，帶寬大?！獭?4．δ軌道是由兩個 d 軌道線性組合而成，它們是（ A） dx dx2（ B） dx2ydx2y2（ C） dxy、 dxyB5．費米能級是對金屬中自由電子能級填充狀態(tài)的描述?！?12．金屬原子半徑隨配位數(shù)增加而增加?！?不大的原子間通過共用電子對而形成的化學(xué)鍵。 √ (,)4．同一族中，原子共價半徑隨價電子到原子核的距離增加而減小?！?17．金屬鍵是由眾多原子最（及次）外層電子釋放而形成的電子氣形成的，因而具有最高的鍵能。√√ 13．范德華力包括取向力、色散力和氫鍵三種類型。 ，氫鍵有方向性和飽和性。 √ ，易形成離子鍵，不易形成共價鍵。 。 n,l,ml,ms√9．泡利不相容原理、能量最低原則和洪特規(guī)則是電子在原子軌道中排列必須遵循的三個基本原則。 5．在四個量子數(shù)中， ml決定電子自旋的方向（ ms）。四川大學(xué)材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)考試題庫 [5篇模版 ] 第一篇：四川大學(xué)材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)期末復(fù)習(xí)考試題庫 ，因而物質(zhì)就是材料。 6．在四個量子數(shù)中， n是第一量子數(shù)，它決定體系的能量。 √ 10． Na 原子中 11 個電子的填充方式為 1s22s22p53s2。 ，也無飽和性。 ，易形成離子鍵，不易形成共價鍵。 √ ，它的基本特點是電子共有化?！?14．原子的基本鍵合中不一定存在著電子交換?！?1．隨著兩個原子間距離減小，相互間的吸引力下降，排斥力增加。√ 5．正離子的半徑隨離子價數(shù)的增加而減小。 √√？（只能是兩個原子間） 9．離子化合物的配位數(shù)取決于離子最有效的堆積?！獭? 平衡間距的一半。 √（ T＝ 0K 時） 6．費米能級是，在 T＝ 0K 時，金屬原子中電子被填充的最高能級，以下能級全滿，以上能級全空。 （ A）√，（ B），（ C），（ D） ，分裂成的能帶寬度越大。 √ 。 √√ 。（ A） 12，（ B） 14，（ C）16，（ D） ____個晶系。 （ A） ABAB，（ B） ABCD，（ C） ___。 （ A） 21/2a/2，（ B） 21/2a/4，（ C） 31/2a/2，（ D） 31/2a/原子半徑 R 為單位， fcc晶體的點陣常數(shù) a是 ____。 （ A） 6，（ B） 4，（ C） 3，（ D） ___。 （ A） ，（ B） ，（ C） ，（ D） 結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是 ___。 （ A） 1/2， 1/2， 0； （ B） 1/2， 0， 1/2； （ C） 0， 1/2， 1/2； （ D） 1/2， 1/2， 1/。 （ A）（ 111），（ B）（ 110），（ C）（ 101），（ D）（ 011） 簡單立方點陣晶胞， AD 的晶向指數(shù)是 ____。 （ A） ADE，（ B） CDE，（ C） ACE，（ D） CHFABDCHGFEC=CEG(F 為原點 )，以 F 為原點若 X軸為 FB，則 C正確。 ABDCHGFE（ A） BG，（ B） CH，（ C） CE，（ D） GEHAA， F 為原點可？（ HAH 為原點， A 點坐標為 1， 1， 0）也可是 GB,G 點為原點， B 點坐標為 1， 1， 0) (121)晶面為 ____。 （ A） BR，（ B） BS，（ C） BQ，（ D） 指數(shù)（ 111）的晶面和指數(shù) [111]的晶向，可以發(fā)現(xiàn)它們彼此 ____。 a)最小，（ B）最大，（ C）居中 fcc 和 bcc 結(jié)構(gòu)中，一切相鄰的平行晶面間的距離可用公式： d=a/(h2+k2+l2)1/2√ d=a/[(h2+k2+l2)]1/2適用于 ____的一切晶面（ h， k， l 為密勒指數(shù)）。 (A)體心立方， (B)面心立方， (C)簡單立方， (D)式中，屬于最緊密堆積的是 ____。 (A)密排六方， (B)體心立方， (C)面心立方， (D)簡單立方 ，晶胞中原子體積是 ，其點陣常數(shù)為 ___。 （ A） 4，（ B） 3，（ C） 2，（ D） 成的四面體間隙數(shù)為 ____。 （ A） 1，（ B） 2，（ C） 3，（ D） 個原子平均形成的四面體間隙數(shù)為 ____。 (A)大于， (B)等于， (C)小于， (D)恒定，而平衡三相成分可變。 （ A）共晶，（ B）共析，（ C）包 晶 物理意義是 ____?！獭?是兩個不同的相，否則是同一相。 √ ，二元凝聚系統(tǒng)最多可以 3 相平衡共存，它們是一個固相、一個液相和一個氣相。（ A）√，（ B），（ C），（ D） ?A 在一定范圍內(nèi)改變，故 ：（ A）置換原子、晶格間隙； （ B）空位、間隙原子； （ C）空位、晶格間隙 許多點缺陷，例如 ____。 √√ 。 √ ____。√√ 的過程。 √ ？不是正比 ____。 √ 。去掉 ，原子的流量直接正比于 ____。 (A)容易， (B)不易， (C)， (D)A 由于粗糙度涉及到，未講，建議去掉 ，熔體的表面張力一般將 ____?！?2．面心立方金屬晶體具有較高的強度、硬度和熔點?！獭?？（ C%≤ 2%?！獭?11．鋁和紫銅都是面心立方晶體結(jié)構(gòu)?！獭?15．共析鋼中的碳含量為（ A） ～ %（ B）%（ C） ～ %（ D） %C B 為 ____，小晶粒 ____。√√ 8．硅酸鹽晶體是由［ SiO4］ 4四面體兩兩共頂相連而成，有 5 種排列方式，其中在層狀結(jié)構(gòu)中，每個［ SiO4］ 4四面體的橋氧原子數(shù)為（ A） 2（ B） 1（ C） 3（ D） 4C9．石墨、金剛石、富勒烯和巴基管均為碳同素異構(gòu)體，具有相同的晶體結(jié)構(gòu)?！獭?聚乙烯相似，聚四氟乙烯的結(jié)晶鏈也是平面鋸齒形。 √（） ?！?( )?√ 。 √（√） ； 價電子能級展寬成的帶； 。 錯誤 ，否則是同一相。 正確 ； 晶胞內(nèi)原子總體積與晶胞體積之比； 原子堆積因子。 錯誤 D=D。 ，其晶胞分子數(shù)是 4。 能力。 正確 。 正確 。 正確 。 錯誤 是指間隙。 正確 42．材料是指用來制造某些有形物體的基本物質(zhì)。 錯誤 。 ，得到的是積累量。 ，即使在熱力學(xué)平衡狀態(tài)下也是如此。 58．所謂相，即是系統(tǒng)中具有均勻成分而且性質(zhì)相同并與其他部分有界面分開的部分。 錯誤 62．范氏力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性和飽和性。 ～ %。 正確 70．共價鍵是由兩個或多個電負性相差不大的原子間通過共用電子對而形成的化 學(xué)鍵。 錯誤 74．相數(shù)即為系統(tǒng)內(nèi)性質(zhì)相同且均勻的部分的種類數(shù)。 正確 78． 空間點陣有 14 種，他們每個點陣都代表一個原子。 82．在二元相圖中， S→ L+S1成為包晶轉(zhuǎn)變。 錯誤 。 正確 ，其致密度、配位數(shù)、間隙大小都是相同的，密排六方面上的堆垛順序也是相同的。 ， S→ S1+S2是指共析。 10%時，再結(jié)晶所形成的是細晶粒。 錯誤 是指配位數(shù)； 原子具有的第一臨近原子數(shù)。 錯誤 ，有許多原子軌道組成的近似連續(xù)的能級帶。 ，當正負離子半徑比在 ～ 的范圍內(nèi)，形成簡單立方或面心立方配位。 正確 。 。 錯誤 ， Fe/C=2/1。 錯誤 ，二 元凝聚系統(tǒng)最多可以 3 相平衡共存，他們是一個固相、一個液相、一個氣相。 ，可以把材料分成三種基本類型有機高分子材料、金屬材料和無機非金屬材料。 5．在四個量子數(shù)中， ml決定電子自旋的方向（ ms）。 n,l,ml,ms√9．泡利不相容原理、能量最低原則和洪特規(guī)則是電子在原子軌道中排列必須遵循的三個基本原則。 。 √ ，易形成離子鍵，不易形成共價鍵。 ，氫鍵有方向性和飽和性。√√ 13．范德華力包括取向力、色散力和氫鍵三種類型?！?17．金屬鍵是由眾多原子最（及次）外層電子釋放而形成的電子氣形成的，因而具有最高的鍵能。 √ (,)4．同一族中，原子共價半徑隨價電子到原子核的距離增加而減小。√ 不大的原子 間通過共用電子對而形成的化學(xué)鍵?！?12．金屬原子半徑隨配位數(shù)增加而增加?！獭?4．δ軌道是由兩個 d 軌道線性組合而成，它們是（ A） dx dx2（ B） dx2ydx2y2（ C） dxy、 dxyB5．費米能級是對金屬中自由電子能級填充狀態(tài)的描述。√√？（原子軌道裂分的分子軌道） （ A）絕緣體，（ B）導(dǎo)體，（ C）半導(dǎo)體，（ D） （ A）絕緣體，（ B）半導(dǎo)體，（ C）導(dǎo)體，（ D） （ A）絕緣體，（