基于單片集成控制單元的數(shù)控電壓源設(shè)計(jì)——本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(已修改)
2025-07-20 15:43 本頁(yè)面
【正文】 （ 20xx 屆） 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）資料 題 目 名 稱(chēng)： 基于單片集成控制單元的 數(shù)控 電壓源設(shè)計(jì) 學(xué) 院（部）： 電氣與信息工程學(xué)院 專(zhuān) 業(yè)： 測(cè)控技術(shù)與儀器 學(xué) 生 姓 名： 張三豐 班 級(jí)： 測(cè)控 101 學(xué)號(hào) 10401600199 指導(dǎo)教師姓名： 張三 職稱(chēng) 副 教授 職稱(chēng) 最終評(píng)定成績(jī)： 湖南工業(yè)大學(xué)教務(wù)處 題目名稱(chēng)如果只有一行文字則去掉第二行。 成績(jī)由老師手寫(xiě)，在優(yōu)秀（ ≥90 分）、良好（ 80~89分）、中等（ 70~79 分）、及格（ 60~69 分）和不及格中選擇一個(gè)等級(jí)。 助教職稱(chēng)的填寫(xiě)在第二行；如只有一位指導(dǎo)教 師則去掉第二行。 楷體 GB2312 小三號(hào) 宋體小一號(hào) 模板中紅色的說(shuō)明需要?jiǎng)h除 。 20xx 屆 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）資料 第一部分 畢業(yè)論文 （ 20xx 屆） 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 學(xué) 院（部）： 電氣與信息 工程學(xué)院 專(zhuān) 業(yè)： 測(cè)控技術(shù)與儀器 學(xué) 生 姓 名： 張三豐 班 級(jí)： 測(cè)控 101 學(xué)號(hào) 10401600199 指導(dǎo)教師姓名： 張三 職稱(chēng) 副 教授 最 終評(píng)定成績(jī) 20xx 年 5 月 成績(jī)老師手寫(xiě)，在優(yōu)秀（ ≥90 分）、良好（ 80~89分）、中等（ 70~79 分）、及格（ 60~69 分）和不及格中選擇一個(gè)等級(jí)。 宋體小一號(hào) 宋體四號(hào) 湖南工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） I 摘 要 摘要 是 在對(duì)論文進(jìn)行總結(jié)的基礎(chǔ)之上，用簡(jiǎn)單、明確、易懂、精辟的語(yǔ)言對(duì)全文內(nèi)容加以概括，留主干去枝葉，提取論文的主要信息。作者的觀點(diǎn)，論文的主要內(nèi)容，研究成果，獨(dú)到的見(jiàn)解，這些都應(yīng)該在摘要中體現(xiàn)出來(lái)。摘要一般采用第三人稱(chēng)寫(xiě)作 ， 是完整的短文，具有獨(dú)立性，可以單獨(dú)使用。即使不看論文全文的內(nèi)容，仍然可以理解論文的主要內(nèi)容，作者的新觀點(diǎn)和想法以及論文所要實(shí)現(xiàn)的目的，采取的方法，研究的結(jié)果與結(jié)論。一般寫(xiě) 法建議采用“對(duì) ......進(jìn)行了研究”、“報(bào)告了 ......現(xiàn)狀”、“進(jìn)行了 ......調(diào)查”等記述方法標(biāo)明一次文獻(xiàn)的性質(zhì)和文獻(xiàn)主題，不必使用“本文”、“作者”等作為主語(yǔ)。 要求 文字簡(jiǎn)明扼要，不容贅言，采用直接表述的方法，不使用不必要的文學(xué)修飾，做到用最少的文字提供最大的信息量。 摘要中不宜使用公式、圖表，不標(biāo)注引用文獻(xiàn)編號(hào)。避免將摘要寫(xiě)成目錄式的內(nèi)容介紹 。 目的、方法、結(jié)果和結(jié)論稱(chēng)為摘要的四要素 ， 重點(diǎn)是結(jié)果和結(jié)論。 摘要 要求 400 字符 左右 。 （空 1 行） 關(guān)鍵詞： 開(kāi)關(guān)電源 ， 反激式 ， （ 小四 號(hào)宋體 ， 單倍 行距 ，最 后 一個(gè)關(guān)鍵詞后面無(wú)標(biāo)點(diǎn)符號(hào) ） 三 號(hào) 黑體 居中 ，段前 行，段后 3 行，單倍行距 。 小四 號(hào) 黑體 。 關(guān)鍵詞說(shuō)明：是供檢索用的主題詞條，應(yīng)采用能覆蓋 論文主要內(nèi)容的通用技術(shù)詞條 (參照相應(yīng)的技術(shù)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn) )。關(guān)鍵詞一般列 3~5 個(gè)，按詞條的外延層次排列（外延大的在前面） 湖南工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） II ABSTRACT The structure of dislocation cores in GaP was investigated by weakbeam electron microscopy. The dislocations are dissociated into two Shokley partials with separations of 80177。10 and 40177。10 A in the pure edge and screw cases respectively. The. (小四 號(hào) Times New Roman， 行距 20 磅 ，首行縮進(jìn) 2 字符 ) （空 1 行） Keywords: Singlechip switching power supply, Flyback, （ 小四 號(hào) Times New Roman） 小四號(hào) Times New Roman 加粗 。 湖南工業(yè)大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） III 目 錄 摘 要 ........................................................................................................................... I ABSTRACT .....................................................................................................................II 第 1 章 開(kāi)關(guān)電源概述 ......................................................................................... 1 開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展簡(jiǎn)況及分類(lèi) ........................................................................... 1 開(kāi)關(guān)電源的分 類(lèi) .................................................................................... 1 隔離式開(kāi)關(guān)電源 .................................................................................... 1 單片機(jī) .............................................................................................................. 1 80C51 單片機(jī) ......................................................................................... 1 第 2 章 系統(tǒng)總體方案設(shè)計(jì) ................................................................................ 5 總體方案設(shè)計(jì)原則 .....................
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