【總結(jié)】第一章練習(xí)題第一部分:作業(yè)、課堂舉例第二部分:一、單項選擇題1.圖中C點的電位UC為(C)。A.9VB.-9V C.0VD.2.圖示有源二端網(wǎng)絡(luò)戴維南定理的等效電阻R0為(C)。A.8Ω B.5ΩC.3Ω
2025-03-25 06:24
【總結(jié)】1習(xí)題解答第六章234567891011121314
2024-10-19 19:39
【總結(jié)】第六章圖P6-1所示,RC橋式振蕩電路中,已知頻率為500Hz,C=,RF為負溫度系數(shù)、20kΩ的熱敏電阻,試求R和R1的大小。解:由于工作頻率為500Hz,所以可選用集成運放LM741。因提供的熱敏電阻為負溫度系數(shù),故該電阻應(yīng)接于RF的位置。為了保證起振,要求,現(xiàn)取。根據(jù)已知fo及C,可求得可取金屬膜電阻?!。遥脴蚴秸袷庪娐?/span>
2025-03-25 04:56
【總結(jié)】·110·第2章半導(dǎo)體二極管及直流穩(wěn)壓電源習(xí)題2,,測得,試問二極管VD是否良好(設(shè)外電路無虛焊)?解:內(nèi)部PN結(jié)或電極已開路,D已損壞。,,試分別估算開關(guān)斷開和閉合時輸出電壓的數(shù)值。解:S斷開:斷開VD,。所以VD
2025-07-25 12:13
【總結(jié)】第4章場效應(yīng)管放大電路與功率放大電路,請分別說明場效應(yīng)管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓(或夾斷電壓)約是多少。解:(a)N溝道耗盡型FETUP=-3V;(b)P溝道增強型FETUT=-4V;(c)P溝道耗盡型FETUP=2V。某MOSFET的IDSS=10mA且UP=-8V。(1)此元件是P溝道還是N溝道?(2)計算
【總結(jié)】電工與電子技術(shù)習(xí)題(下)解答1-1答:輸出電壓波形如圖1-1所示。1-2答:輸出電壓波形如圖1-2所示。圖1-2題1-2波形圖圖1-1題1-1波形圖1-3答:D1導(dǎo)通,D2截止,V。圖1-3題1-4波形圖1-4答:輸出電壓波形如圖1-3所示。1-5答:飽和狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏;放大狀態(tài):發(fā)射結(jié)正偏
2025-03-25 06:16
【總結(jié)】常用電子儀器的使用1.什么是電壓有效值?什么是電壓峰值?答:電壓峰值是該波形中點到最高或最低之間的電壓值;電壓有效值等于它的瞬時值的平方在一個周期內(nèi)職分的平均值再取平方根。2.常用交流電壓表測量的電壓值和用示波器直接測量的電壓值有什么不同?答:常用交流電壓表的電壓測量值一般都為有效值,而示波器的電壓直接測量都為峰值。3.在用示波器測量交流信號的峰值和頻率時,如何操作其關(guān)
2025-08-10 11:58
【總結(jié)】《電工與電子技術(shù)》習(xí)題與解答第二章:正弦交流電路、第三章:三相交流電路一、單項選擇題*1.R、L串聯(lián)的正弦交流電路如題1圖所示,若uR=5sin(ωt+10°)V,uL=5sin(ωt+100°)V,則總電壓u為(B)。(ωt+45°)V(ωt+55°)V(ωt+110°)V(ωt+
【總結(jié)】第一章思考題與習(xí)題解答1-1名詞解釋半導(dǎo)體、載流子、空穴、自由電子、本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體、PN結(jié)。解半導(dǎo)體——導(dǎo)電能力介乎于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物質(zhì)。例如硅(Si)和鍺(Ge),這兩種半導(dǎo)體材料經(jīng)常用來做晶體管。載流子——運載電流的粒子。在導(dǎo)體中的載流子就是自由電子;半導(dǎo)體中的載流子有兩種,就是自由電子與空穴,它們都能參加導(dǎo)電??昭ā?/span>
2025-03-25 04:55
【總結(jié)】《電力電子技術(shù)》習(xí)題解答第2章思考題與習(xí)題?導(dǎo)通后流過晶閘管的電流和負載上的電壓由什么決定?答:晶閘管的導(dǎo)通條件是:晶閘管陽極和陽極間施加正向電壓,并在門極和陽極間施加正向觸發(fā)電壓和電流(或脈沖)。導(dǎo)通后流過晶閘管的電流由負載阻抗決定,負載上電壓由輸入陽極電壓UA決定。? 如何實現(xiàn)? 晶閘管處于阻斷狀態(tài)時其兩端的電壓大小由什么決定?答:晶閘管的關(guān)斷條件是:要使
2025-03-25 06:06
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)自測題與習(xí)題解答第1章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負電。(×)(3)PN結(jié)在無光照、無外加電
2025-05-31 18:04
【總結(jié)】第1章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“×”和“√”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。(√)(2)因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負電。(×)(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。(√)(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40V時
2025-05-31 18:18
【總結(jié)】4基本放大電路自我檢測題一.選擇和填空1.在共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中,希望電壓放大倍數(shù)絕對值大,可選用A或C;希望帶負載能力強,應(yīng)選用B;希望從信號源索取電流小,應(yīng)選用B;希望既能放大電壓,又能放大電流,應(yīng)選用A;希望高頻響應(yīng)性能好,應(yīng)選用C。(A.共射組態(tài),B.共集組態(tài),C.共基組態(tài))2.射極跟隨器在連接組態(tài)方面屬共集電極接法
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】信號的運算與處理電路基本運算電路加法電路(反相輸入求和電路)反相比例運算電路ifVRRV10??22110SfSfvRRvRRv???)(2211SfSfvRRvRR???210SSvvv???若Rf=R1
2025-05-17 20:00