邏輯門dd2ppt(已修改)
2025-08-17 20:45 本頁面
【正文】 電子技術(shù) 數(shù)字電路部分 2 邏輯門電路 第二章 邏輯門電路 二極管的開關(guān)特性 BJT的開關(guān)特性 基本邏輯門電路 TTL邏輯門電路 CMOS門電路 二極管的開關(guān)特性：正向?qū)ǎ聪蚪刂埂? 在數(shù)字電路中，一般用高電平代表 低 電平代表 0，即所謂的 正邏輯系統(tǒng) 。 1 二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€ 反向恢復過程 ts稱為存儲時間， tt 稱為渡越時間， tre =ts + tt 稱為反向恢復時間 2 產(chǎn)生反向恢復過程的原因 電荷存儲效應 .把正向?qū)〞r，非平衡少數(shù)載流子積累的現(xiàn)象叫做電荷存儲效應 二極管在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中出現(xiàn) 的反向恢復過程， 實質(zhì)上是由于電荷存儲效應所引起的， 反向恢復時間就是存儲電荷消失所需要的時間。 3 二極管的開通時間 二極管從截止轉(zhuǎn)為正向?qū)ㄋ璧臅r間 R1 R2 A L +Vcc uA t uL t +Vcc (1)截止 (2)飽和 BJT的 開關(guān)特性 BJT的 開關(guān)作用 概念： 基極臨界飽和電流 IBS(VCC/BRC)， 集電極飽和電流 ICS(VCC/RC) ， 飽和壓降 VCES 。 截止、飽和的條件： BJT的開關(guān)時間 td tr ts tf 開通時間 ton = td + tr 就是建立基區(qū)電荷時間。 關(guān)閉時間 toff = ts + tf 就是存儲電荷消散時間。 +VB2 VB1 0 t vi t td tr tf ts ICS 0 ic 問題：如何提高 BJT的開關(guān)速度？ (AND gate) L D1 D2 A B +5V V A V B V L 0V 0V 0V 0V 5 V 0V 5V 0V 0V 5V 5V 5V 設(shè)二極管的飽和壓降 為 0伏。 與門符號 : amp。 A B L 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 A B L 與邏輯真值表 VA VB VL 0V 0V 0V 0V 5 V 0V 5V 0V 0V 5V 5V 5V (OR gate) L D1 D2 A B 0V 或門符號 : A B L ≥1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 A B L 或邏輯真值表 R1 D R2 A L +12V +3V U A U L 3V 0 0V 3 嵌位二極管 （三極管的飽和壓降假設(shè)為 0伏） (NOT gate) －－ BJT反相器 真值表 0 1 1 0 A L 1 L A R1 D R2 L +12V +3V 三極管非門 D1 D2 A B +12V 二極管與門 DTL與非門 與分立元件電路相比，集成電路具有體積小、可靠性高、速度快的特點，而且輸入、輸出電平匹配，所以早已廣泛采用。 TTL 邏輯門電路 根據(jù)電路內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，可分為 DTL、TTL、 HTL、
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