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正文內(nèi)容

高電壓技術(shù)復(fù)習(xí)總結(jié)(已修改)

2025-08-17 18:56 本頁(yè)面
 

【正文】 第2章 氣體放點(diǎn)的基本物理過(guò)程(這章比較重要,要記得知識(shí)點(diǎn)很多,要認(rèn)真看)在第二章標(biāo)題下面有一句話“與固體和液體相比”(、正離子的過(guò)程.電離是需要能量的,所需能量稱(chēng)為電離能Wi(用電子伏eV表示,也可用電離電位Ui=Wi/e表示),電離方式可分為熱電離、光電離、碰撞電離(最重要)和分級(jí)電離。:(1)正離子撞擊陰極:正離子位能大于2倍金屬表面逸出功。(2)光電子發(fā)射:用能量大于金屬逸出功的光照射陰極板。光子的能量大于金屬逸出功。(3)強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射:陰極表面場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到106V/cm(高真空中決定性)(4)熱電子發(fā)射:陰極高溫:電子與氣體分子或原子碰撞時(shí),也有可能發(fā)生電子附著過(guò)程而形成負(fù)離子,并釋放出能量(電子親合能)。電子親合能的大小可用來(lái)衡量原子捕獲一個(gè)電子的難易,越大則越易形成負(fù)離子。負(fù)離子的形成使自由電子數(shù)減少,因而對(duì)放電發(fā)展起抑制作用。SF6氣體含F(xiàn),其分子俘獲電子的能力很強(qiáng),屬?gòu)?qiáng)電負(fù)性氣體,因而具有很高的電氣強(qiáng)度。:(1)帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散:帶電質(zhì)點(diǎn)從濃度較大的區(qū)域向濃度較小的區(qū)域的移動(dòng),使帶電質(zhì)點(diǎn)濃度變得均勻。電子的熱運(yùn)動(dòng)速度高、自由行程大,所以其擴(kuò)散比離子的擴(kuò)散快得多。(2)帶電質(zhì)點(diǎn)的復(fù)合:帶異號(hào)電荷的質(zhì)點(diǎn)相遇,發(fā)生電荷的傳遞和中和而還原為中性質(zhì)點(diǎn)的過(guò)程,稱(chēng)為復(fù)合。帶電質(zhì)點(diǎn)復(fù)合時(shí)會(huì)以光輻射的形式將電離時(shí)獲得的能量釋放出來(lái),這種光輻射在一定條件下能導(dǎo)致間隙中其他中性原子或分子的電離。:第一階段:電流隨外施電壓的提高而增大,因?yàn)閹щ娰|(zhì)點(diǎn)向電極運(yùn)動(dòng)的速度加快復(fù)合率減小 第二階段:電流飽和,帶電質(zhì)點(diǎn)全部進(jìn)入電極,電流僅取決于外電離因素的強(qiáng)弱(良好的絕緣狀態(tài)) 第三階段:電流開(kāi)始增大,由于電子碰撞電離引起的電子崩 第四階段自持放電:電流急劇上升放電過(guò)程進(jìn)入了一個(gè)新的階段(擊穿) 外施電壓小于U0時(shí)的放電是非自持放電。電壓到達(dá)U0后,電流劇增,間隙中電離過(guò)程只靠外施電壓已能維持,不再需要外電離因素。自持放電7. 電子碰撞電離系數(shù)α:代表一個(gè)電子沿電力線方向行經(jīng)1cm時(shí)平均發(fā)生的碰撞電離次數(shù)。 8. 自持放電的條件:必須在氣隙內(nèi)初始電子崩消失之前產(chǎn)生新的電子(二次電子)來(lái)取代外電離因素產(chǎn)生的初始電子;實(shí)驗(yàn)表明:二次電子的產(chǎn)生與氣壓氣隙長(zhǎng)度的乘積(pd)有關(guān): Pd較小,自持放電可由湯遜理論(和巴申定律) 解釋。 Pd較大,自持放電可由流注理論解釋。湯遜理論認(rèn)為二次電子的來(lái)源是正離子碰撞陰極表面發(fā)生的電子逸出。 ad ≈ lnpd值較大時(shí),放電也是從電子崩開(kāi)始的,但當(dāng)電子崩發(fā)展到一定階段后,會(huì)產(chǎn)生電離特強(qiáng)、發(fā)展速度更快的空間的光電離,形成流注(等離子體)。流注的發(fā)展速度比電子崩的快一個(gè)數(shù)量級(jí),且出現(xiàn)曲折分支。流注理論認(rèn)為,二次電子的主要來(lái)源是空間的光電離。一旦出現(xiàn)流注,放電就可以由空間光電離自持維持;若電場(chǎng)均勻,間隙將被擊穿。ad = ln流注理論可以解釋湯遜理論無(wú)法說(shuō)明的pd值大時(shí)的放電現(xiàn)象。兩種理論各適用于一定條件的放電過(guò)程,不能用一種理論取代另一種理論。兩種理論的自持放電條件具有完全相同的形式,但兩者維持放電的過(guò)程不同。(書(shū)上的這一段話要好好看,三種現(xiàn)象以后好像考研面試有用),在間隙擊穿千看不到有什么放電的跡象,極不均勻電場(chǎng)中放電則不同,當(dāng)所加電壓達(dá)到某一臨界值時(shí),曲率半徑較小的電極附近空間的電場(chǎng)強(qiáng)度首先達(dá)到了起始場(chǎng)強(qiáng)E0,在這個(gè)局部區(qū)域出現(xiàn)藍(lán)紫色的暈光,并伴隨有“滋滋” 聲、電磁輻射和能量損耗。這種僅僅發(fā)生在強(qiáng)場(chǎng)區(qū)的電暈放電是一種自持放電。:f = / ,即間隙中最大場(chǎng)強(qiáng)與平均場(chǎng)強(qiáng)的比值。通常f2時(shí)為稍不均勻電場(chǎng),f4時(shí)為極不均勻電場(chǎng)。補(bǔ)充:電暈放電的危害與對(duì)策(四班老師復(fù)習(xí)強(qiáng)調(diào))p22。12. 在極不均勻電場(chǎng)中,放電一定從曲率半徑較小的那個(gè)電極表面開(kāi)始,與該電極極性無(wú)關(guān)。但后來(lái)的發(fā)展過(guò)程、氣隙的電氣強(qiáng)度、擊穿電壓等都與該電極的極性有密切的關(guān)系。極不均勻電場(chǎng)中的放電存在著明顯的極性效應(yīng)。同一間隙在不同電壓極性下的電暈起始電壓不同,擊穿電壓也不同,這就是放電的極性效應(yīng)。13. 正極性(棒)電暈放電 棒極帶正電位時(shí),電子崩頭部的電子到達(dá)棒極后即被中和,棒極附近空間留下許多正離子。 這些正離子雖朝板極移動(dòng),但速度很慢而暫留在棒極附近。這些正空間電荷削弱了棒極附近的電場(chǎng)強(qiáng)度,而加強(qiáng)了正離子群外部空間的電場(chǎng)。 正空間電荷阻止了正棒極附近流注的形成,使電暈起始電壓有所提高。14. 負(fù)極性棒-板間隙擊穿電壓比正極性棒-板電極高正極性棒-板電極容易被擊穿 。補(bǔ)充:12——14點(diǎn)很重要,會(huì)畫(huà)圖,描述,記住結(jié)論。P25第三段有知識(shí)點(diǎn),大家看一下。第3章 氣體間隙的擊穿場(chǎng)強(qiáng):(特點(diǎn))1)均勻電場(chǎng)中電極布置對(duì)稱(chēng),擊穿無(wú)極性效應(yīng);2)均勻場(chǎng)間隙中各處電場(chǎng)強(qiáng)度 U相等,擊穿所需時(shí)間極短,直流擊穿電壓、工頻擊穿電壓峰值、50%沖擊擊穿電壓相同;3)擊穿電壓的分散性很小。(書(shū)旁邊的圖看一下)間距1-10cm均勻電場(chǎng)擊穿場(chǎng)強(qiáng)為30kV/cm。(312這一節(jié)只要記住P25頁(yè)的結(jié)論(上邊補(bǔ)充的)就可以了,其他不作要求,四班的老師如是說(shuō))32這一節(jié)很重要,知識(shí)較多,大家好好看:(這個(gè)圖很重要,各點(diǎn)的意義要知道)雷電沖擊電壓與系統(tǒng)電壓無(wú)關(guān)。避雷器動(dòng)作后,作用在系統(tǒng)上的為避雷器的殘壓。標(biāo)準(zhǔn)雷電波的波形:=177。30%,=50μs177。20 % 對(duì)于不同極性:+ 操作沖擊波的波形: /=250( 177。20 %) / 2500( 177。60%) μs (要理解):要使氣體間隙擊穿,除了足夠場(chǎng)強(qiáng)、引起電子崩并導(dǎo)致流注的有效電子外,氣隙擊穿還需要一定的時(shí)間,讓放電得以逐步發(fā)展并完成擊穿。4. 50%擊穿電壓:多次施加電壓時(shí)有半數(shù)會(huì)導(dǎo)致?lián)舸┑碾妷褐档透怕蕮舸╇妷海?= 3σ:同一間隙50%沖擊擊穿電壓與穩(wěn)態(tài)擊穿電壓之比,稱(chēng)為擊穿系數(shù)β。均勻和稍不均勻電場(chǎng):β≈1放電時(shí)延短,分散性??;極不均勻電場(chǎng):β1放電時(shí)延長(zhǎng),擊穿常一般發(fā)生在波尾。6. 伏-秒特性:在同一沖擊電壓波形下,擊穿電壓值與放電時(shí)延(或電壓作用時(shí)間)有關(guān)的特性。50%擊穿電壓只是50%伏秒特性曲線上的一個(gè)點(diǎn),即在沖擊全波作用下的50%擊穿電壓。(重要,還有書(shū)上的相關(guān)圖形):在極不均勻電場(chǎng)中,空氣中的水分(濕度增大)能使間隙的擊穿電壓有所提高。隨著海拔高度增加,外絕緣的放電電壓將下降。補(bǔ)充:,其中操作沖擊電壓的擊穿對(duì)象,有“U形曲線”,”由圖可見(jiàn)…..這一句老師有提到。,海拔的影響要求。8. 是理想的氣體絕緣介質(zhì)和滅弧介質(zhì),其滅弧能力是空氣的100 以上。 (設(shè)備的幾種要記?。怏w的液化溫度較低,一般可滿足工程實(shí)際的應(yīng)用,如 (7個(gè)大氣壓,作為斷路器的絕緣)的液化溫度是 -25℃,(4個(gè)大氣壓,作為GIS絕緣)的液化溫度不高于-40℃。 氣體的應(yīng)用可大大降低設(shè)備尺寸,與空氣介質(zhì)相比,500kV的GIS是敞開(kāi)式的1/50。氣體廣泛應(yīng)用于高壓斷路器、GIS、充氣管道電纜,充氣體的變壓器和開(kāi)關(guān)柜也在發(fā)展中。只有在均勻電場(chǎng)和稍不均勻電場(chǎng),氣體才能發(fā)揮其優(yōu)異的絕緣性能,因而一般應(yīng)用氣體做絕緣時(shí),應(yīng)盡量保證其電場(chǎng)的均勻性。此外,氣體中水含量的增加,將會(huì)大大降低其絕緣性能,因而使用中應(yīng)定期檢測(cè)其微水含量。氣體價(jià)格高,溫室效應(yīng)相當(dāng)于的23900倍,且氣體不會(huì)自然分解,在大氣中壽命長(zhǎng)達(dá)3200年。一般工程中多采用混合氣體。 氣體在極不均勻電場(chǎng)中擊穿的異?,F(xiàn)象:一是擊穿電壓隨氣壓的變化出現(xiàn)駝峰現(xiàn)象;二是在駝峰氣壓范圍內(nèi),雷擊沖擊擊穿電壓明顯低于穩(wěn)態(tài)擊穿電壓。補(bǔ)充:P38第一句,p39頁(yè)倒數(shù)第二段第一句,老師有提到,其他的沒(méi)有怎么說(shuō)。,大
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